- 摘要：本文在試驗和理論兩個方面，系統研究了芯片熱機械應力特征。作者利用紅外熱成像技術研究了芯片內部熱機械應力隨工作電流的瞬態變化關系，發現芯片熱機械應力隨工作電流呈對數增長。同時本文利用有限元方法模擬計算了芯片熱機械應力在不同電流密度下與總工作電流的關系，從而驗證了上述實驗結論，并發現隨著電流密度增加芯片內部熱機械應力上升速率變快。
引言
隨著集成電路技術的發展，電路元件集成度不斷提高，盡管芯片總功耗在降低，由于芯片面積和元件尺寸不斷減小，導致芯片的熱功耗密度不斷增大，芯片內部溫度和熱機械
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集成電路 熱機械應力 紅外熱成像 GaAs 熱膨脹系數 201411
- 采用電路仿真ADS軟件進行了原理圖及版圖仿真，研究了增益控制電路在放大器中的位置對性能的影響。最終實現了在6~9GHz頻率范圍內，1 dB壓縮點輸出功率大于33 dBm,當控制電壓在-1~0 V之間變化時，放大器的增益在5~40dB之間變化，增益控制范圍達到了35 dB.將功率放大器與增益控制電路制作在同一個單片集成電路上，面積僅為3.5 mm×2.3 mm,具有靈活易用、集成度高和成本低的特點，可廣泛應用于衛星通信和數字微波通信等領域。
甚小口徑終端(verysmall apert
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功率放大器 可變增益 GaAs
- 1、LED芯片的制造流程是怎樣的?
LED芯片制造主要是為了制造有效可靠的低歐姆接觸電極，并能滿足可接觸材料之間最小的壓降及提供焊線的壓墊，同時盡可能多地出光。渡膜工藝一般用真空蒸鍍方法，其主要在1.33×10?4Pa高真空下，用電阻加熱或電子束轟擊加熱方法使材料熔化，并在低氣壓下變成金屬蒸氣沉積在半導體材料表面。一般所用的P型接觸金屬包括AuBe、AuZn等合金，N面的接觸金屬常采用AuGeNi合金。鍍膜后形成的合金層還需要通過光刻工藝將發光區盡可能多地露出來，使留下來的合金層能滿
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LED GaAs
- 全球領先的單芯/單模RF前端模塊提供商RFaxis公司宣布，榮獲北美Frost&Sullivan技術創新領導大獎。RFaxis致力于單芯/單模RF前端集成電路(RFeIC?)研發，推出獨特的無線通信RF前端解決方案。?Frost&Sullivan根據其對于無線通信射頻前端模塊(RF?FEM)市場的最新分析結果，認為RFaxis的創新解決方案實現了卓越性能、功能與經濟性的完美結合，已經得到證明是傳統GaAs?(砷化鎵)解決方案的理想替代選項。 傳統上，FR
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RFaxis Frost&Sullivan GaAs RF
- 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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數字射頻存儲器 GaAs ADC 比較級電路
- PIN二極管廣泛應用于限幅器、開關、衰減器、移相器等控制電路中。與MESFET和PHEMT器件相比較，PIN二極管...
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GaAs PIN 二極管 單刀雙擲開關
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超低噪聲 S頻段 放大器 GaAs
- 摘要：射頻開關作為一個系統的重要組成部分其性能直接影響整個系統的指標和功能。其中插入損耗和隔離度以及開關速度是射頻開關最重要的幾個指標。在實際測試中，S波段脈沖信號源需要產生快前沿的窄脈沖信號。在此基于
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單刀 單擲 開關 GaAs 波段 MMIC 技術 基于
- 在通信接收器中低噪聲放大器(LNA)對于從噪聲中析出信號十分關鍵。控制系統內噪聲還有其他技術，包括過濾和低 ...
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GaAs PHEMT MMIC LNA
- 2011年9月13日 日本東京訊—高級半導體廠商瑞薩電子株式會社（TSE：6723，以下簡稱“瑞薩電子”）宣布推出新款SiGe:C異質接面晶體管 (SiGe:C HBT, 注1)NESG7030M04，可作為低噪聲放大晶體管用于無線局域網絡系統、衛星無線電及類似應用。本裝置的制程采用全新開發的硅鍺：碳(SiGe:C)材料 (注2) 并達到領先業界的低噪聲效能。
- 關鍵字：
瑞薩 晶體管 SiGe:C HBT
- 根據市場戰略研究公司Strategy Analytics分析：全球無線網絡基礎設施中使用砷化鎵（GaAs）半導體的市場預計將增長，從2011年的大約2.05億美元達到2015年約為3.2億美元。
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無線網絡 GaAs
- 本文設計了四種結構的射頻有源電感， 其中包括兩種正電感和兩種負電感。研究結果表明由晶體管構成的有源電感的性能受晶體管的組態及偏置影響較大。四種電路結構中，由共射放大器與共集放大器級聯反饋構成的有源電感性能較好。采用回轉器原理實現的有源電感，電感值不隨面積減小而減小。改變晶體管的偏置電壓，有源電感具有可調諧性。
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電感 設計 有源 射頻 SiGe HBT 基于
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