- 近日，格芯宣布基于22nm FD-SOI （22FDX）工藝平臺，新型存儲器eMRAM（嵌入式、磁阻型非易失性存儲器）已投入生產。eMRAM屬新型存儲技術，與當前占據市場主流的DRAM和NAND閃存相比，具有更快的存取速度和更高的耐用性，在邊緣設備中具有替代NAND閃存和部分SRAM的潛質。它在22nm工藝下的投產，將加快新型存儲技術的應用進程，未來發展前景看好。
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存儲 格芯 eMRAM
- 格芯近日宣布基于其22nm FD-SOI(22FDX)平臺的嵌入式、磁阻型非易失性存儲器(eMRAM)已投入生產。格芯正在接洽多家客戶，計劃2020年安排多次生產流片。此次公告是一個重要的行業里程碑，表明eMRAM可在物聯網(IoT)、通用微控制器、汽車、終端人工智能和其他低功耗應用中作為先進工藝節點的高性價比選擇。
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格芯 22FDX平臺 eMRAM
- 甫于5/24-25舉行的Samsung Foundry Forum Event發布的諸多technology roadmap中有一個乍看下不怎么起眼的消息：三星的28nm FD-SOI(Fully Depleted Silicon on Insulator)制程有RF (射頻)與eMRAM (嵌入式磁性隨機存取存儲器)的選項，其中eMRAM的風險生產(risk production)為2018年;而18nm的FD-SOI制程風險生產將始于2020年，也有RF與eMRAM的選項。
之前于3月于
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eMRAM 晶圓
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