格芯近日宣布基于其22nm FD-SOI(22FDX)平臺的嵌入式、磁阻型非易失性存儲器(eMRAM)已投入生產。格芯正在接洽多家客戶，計劃2020年安排多次生產流片。此次公告是一個重要的行業里程碑，表明eMRAM可在物聯網(IoT)、通用微控制器、汽車、終端人工智能和其他低功耗應用中作為先進工藝節點的高性價比選擇。

格芯的eMRAM產品旨在替代高容量嵌入式NOR閃存(eFlash)，幫助設計人員擴展現有物聯網和微控制器單元架構，以實現28nm以下技術節點的功率和密度優勢。

格芯的eMRAM是一款可靠的多功能嵌入式非易失性存儲器(eNVM)，已通過了5次嚴格的回流焊實測，在-40℃至125℃溫度范圍內具有100,000次使用壽命和10年數據保存期限。FDX eMRAM解決方案支持AEC-Q100 2級設計，且還在開發工藝，預計明年將支持AEC-Q100 1級解決方案。

格芯汽車、工業和多市場戰略業務部門高級副總裁和總經理Mike Hogan表示：“我們將繼續通過功能豐富的可靠解決方案實現差異化FDX平臺，客戶可利用這些解決方案來構建適用于高性能和低功耗應用的創新產品。我們的差異化eMRAM部署在業界先進的FDX平臺之上，可在易于集成的eMRAM解決方案中實現高性能射頻、低功耗邏輯和集成電源管理的獨特組合，幫助客戶提供新一代超低功耗MCU和物聯網應用。”

格芯攜手設計合作伙伴，即日起提供定制設計套件，包括通過芯片驗證的插入式MRAM模塊（4至48MB），以及MRAM內置自檢功能支持。

eMRAM是一種可擴展功能，預計將在FinFET和未來的FDX平臺上推出，作為公司先進eNVM路線圖的組成部分。格芯位于德國德累斯頓1號晶圓廠的先進300mm產品線將為MRAM22FDX的量產提供支持