- 幾年前突然“大火”的存儲行情，給業界帶來的極大的沖擊。在 PC 市場衰退后本就不多的 DIY 用戶，要么咬牙買高價內存(DRAM)和固態硬盤(SSD)、要么咬牙推遲或干脆直接放棄了裝機升級的計劃。當然，市場也不是沒有好消息。據集邦咨詢(DRAMeXchange)所述，近期閃存降價的趨勢，有望持續到 2019 上半年。 DRAMeXchange 報告稱，2018 年 3~4 季度，NAND 閃存的平均銷售價格，預計將下降 10% 。集邦認為，市場需求較低的情況下所增長的產能，是推動這一趨勢的主要原因。
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閃存 DRAM
- 在最近發布的《麥克萊恩2018年中期報告》(McClean Report 2018)中，IC Insights預測，2018-2022年全球GDP和IC市場相關系數將達到0.95，高于2010-2017年期間的0.88。 IC Insights描述了從2010年到2017年全球GDP增長與IC市場增長之間日益密切的關聯，以及到2022年的最新預測。 如圖所示，在2010-2017年的時間段內，全球GDP增長與IC市場增長的相關系數為0.88，這是一個強勁的數字，因為完全相關為1.0。在此期間之前的3
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DRAM NAND
- 今年下半年，隨著長江存儲、福建晉華、合肥長鑫國內三大存儲廠商相繼進入試產階段，中國存儲產業將迎來發展的關鍵階段。業界認為，國內存儲產業發展初期雖難大舉撼動全球版圖，但或將對全球存儲市場價格走勢造成影響。 而隨著中美貿易局勢的緊張，以及中國監管機構正式啟動對三星、美光、SK海力士等存儲機構的反壟斷調查，中國存儲產業的發展也愈發受到關注。 目前，中國存儲器產業已經形成以投入NAND Flash市場的長江存儲、專注于移動式內存的合肥長鑫，以及致力于利基型內存的福建晉華三大陣營。 近期傳出合肥長鑫投產8
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NAND DRAM
- 美光科技有限公司(納斯達克代碼：MU)宣布，中國福建省福州市中級人民法院于今日通知美光科技的兩家中國子公司，針對聯華電子股份有限公司(以下簡稱“聯電”)與福建省晉華集成電路有限公司(以下簡稱“晉華”)提起專利侵權訴訟的案件，該法院已批準向美光科技兩子公司裁定初步禁令。這次聯電和晉華提起專利侵權訴訟，實為報復此前臺灣檢察機關針對聯電及其三名員工侵犯美光商業機密提起的刑事訴訟，以及美光科技就此針對聯電和晉華向美國加利福尼亞北區聯邦地區法院提起的民事訴訟。 該初步禁令禁止美光科技兩中國子公司在中國制造、銷
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美光科技 DRAM NAND
- 此次對美國芯片巨頭美光(Micron)發出“訴中禁令”雖不是最終判決，但似乎暗示美光確實存在侵權行為。而這是中國發展半導體一路被指稱“竊密”和“侵權”以來，首次成功重拳回擊。
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芯片，美光，DRAM
- 受惠于市場需求強力推升，服務器存儲器供應持續吃緊，近來市場傳出，存儲器龍頭廠三星與海力士18nm制程出現良率問題，應用于高階服務器產品遭到退貨，包括美國及大陸廠商已要求暫時停止出貨。盡管三星對外刻意采取低調，但多家臺灣地區業者近日仍紛紛接獲消息，業界預計最快1~2個月左右應可改善良率，但由于第3季DRAM價格預期將緩步上升，如今再受到高階DRAM產出供不應求，將為下半年市場價格漲幅投下變量。 根據市場消息傳出，三星及SK海力士先后于5月起傳出18nm制程出現質量疑慮，并遭到數據中心客戶退貨，且在改善
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SK海力士 DRAM
- Gartner 6月11日公布，2018年第1季全球服務器銷售額年增33.4%至166.93億美元、出貨量年增17.3%。 Gartner研究副總裁Jeffrey Hewitt指出，服務器市場是由超大規模(Hyperscale)數據中心以及企業與中型數據中心支出攀高所驅動。他還提到，服務器第1季銷售均價上揚的原因之一是DRAM價格因供給吃緊而走高。 Gartner統計顯示，2018年第1季北美服務器銷售額、出貨量分別成長34%、24.3%，亞太分別成長47.8%、21.9%，歐洲、中東與非洲(EM
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DRAM
- 受中美競爭特別是中興事件的影響，國內對芯片的重視程度被進一步拔高，而在存儲芯片方面隨著三大存儲芯片企業長江存儲、合肥長鑫和福建晉華的快速推進讓人看到中國存儲芯片企業有機會打破當前由美日韓企業壟斷的局面，不過要打破這一局面還需要時間。 美日韓壟斷存儲芯片市場 存儲芯片主要分為兩種，分別是DRAM和NAND flash，在我們日常見到的產品中分別是PC用的DRAM內存條和SSD硬盤，這兩類產品在各個行業都有廣泛的應用，而且隨著各個產業的發展這兩類產品的重要性正日益凸顯，這也導致存儲芯片價格自2016年
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芯片，DRAM
- SK海力士在無錫可謂多災多難。2008年曾經停電4個小時，2013年又發生重大火災，都有大量晶圓報廢，對全球DRAM內存、NAND閃存供應造成重大影響。
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SK海力士，DRAM
- 韓國兩大存儲器廠三星、SK海力士傳被中國商務部旗下反壟斷主管機關約談，且被要求對中國科技廠調降存儲器售價。 韓國媒體KoreaTimes.com報導，去年存儲器價格飛漲不停，大幅侵蝕中國智能手機、PC廠的利潤，中國政府要求三星與SK海力士降價顯然為此而來。據統計，全球75%的DRAM供給掌握在三星、SK海力士的手里。 中國政府找韓國存儲器雙雄的碴，背后還有其它動機，推測應該與技術交叉授權有關。熟知內情的人士指出，盡管三星、SK海力士都在中國設廠，但產品采用的技術落后韓國廠至少兩個世代，且極少交叉授
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DRAM 三星
- 隨物聯網時代來臨，數據中心、高速傳輸的5G受重視，研調單位指出，協助運算處理的DRAM與資訊儲存的NAND Flash等需求也持續增溫，南亞科(2408)日前表示，今年DRAM市場仍供不應求，帶動存儲器族群行情向上，旺宏(2337)在權證市場同受關注，昨(29)日登上成交金額之首。 南亞科昨日股價雖然收小黑，小跌0.4%，收在98.9元(新臺幣，后同)，但獲外資逆勢敲進逾2,000張，頗有逢低承接意味。 南亞科今年首季每股盈余(EPS)達2.39元，隨著DRAM市場仍持續供不應求，對今年整體營運表
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DRAM NAND
- 韓國兩大存儲器廠三星、SK海力士傳被中國商務部旗下反壟斷主管機關約談，且被要求對中國科技廠調降存儲器售價。
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DRAM SK海力士
- 特朗普政府發起的貿易戰雖然收場，但這幾個月，人們開始尋找中國可能被卡脖子的短板，中國大量進口的IGBT也被挖了出來。有媒體就認為，由于中國IGBT需要大量進口，而這個產業又被西方國家把持，對于中國正在大力發展的高鐵和新能源汽車來說是一個潛在的威脅。不過，在IGBT技術上，中國其實并不差，大量依賴進口，并非技術水平不行。 造成大量進口國外產品的局面，只是因為商業上和其他一些原因。 IGBT市場基本被外商壟斷 IGBT英文全稱是Insulated Gate Bipolar Transistor，也就
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IGBT DRAM
- 長期以來，我國的NAND閃存芯片和DRAM內存芯片的需求幾乎全部靠進口來解決，市場長期被三星、SK海力士以及美光等存儲器巨頭所壟斷。
以全球存儲芯片市場前兩位的三星和SK海力士為例。數據顯示，三星的全球內存市場占有率為46%，閃存市場占有率為39%。SK海力士的全球內存市場占有率為29%，閃存市場占有率為15%。僅這兩家企業，就占據了全球75%的內存市場以及閃存市場的半壁江山。如果再加上美光的市場份額，這三家企業的全球內存市場份額之和達到了95%。
毫無疑問，現在存儲市場話語權仍被這幾
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存儲器 DRAM
- 韓國政府與企業的相互配合
1961年，樸正熙發動軍事政變奪取政權，以反對政治貪腐為名趕走了李承晚，建立了威權體制。樸正熙上臺之初宣布要嚴懲“腐敗政治”，發布了一份包含11位企業家的名單，要以“發不義之財”的名義逮捕他們。
排在首位的便是第一制糖(三星的前身)的會長李秉喆。當時，李秉喆滯留在日本，韓國政府遣人催促他回國，一番猶豫之后，李秉喆在日本開了新聞發布會，宣布所有家產全部捐獻國家，之后返回韓國。
當時，樸正熙與李秉喆面談，作為有&l
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半導體 DRAM
dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態隨機存儲器最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數據就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應用。
動態RAM的工作原理 動態RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [
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