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賽靈思Kintex-7 FPGA DDR3接口性能演示

嵌入式DSP訪問片外SDRAM的低功耗設計研究

  • 嵌入式DSP訪問片外SDRAM的低功耗設計研究,DSP有限的片內存儲器容量往往使得設計人員感到捉襟見肘,特別是在數字圖像處理、語音處理等應用場合,需要有高速大容量存儲空間的強力支持。因此,需要外接存儲器來擴展DSP的存儲空間。在基于DSP的嵌入式應用中,存儲
  • 關鍵字: 設計  研究  功耗  SDRAM  DSP  訪問  嵌入式  

利用FPGA解決TMS320C54K與SDRAM的接口問題

  • 在DSP應用系統中,需要大量外擴存儲器的情況經常遇到。例如,在數碼相機和攝像機中,為了將現場拍攝的諸多圖...
  • 關鍵字: FPGA  TMS320C54K  SDRAM  

PDMA在測試SDRAM控制器中的應用

  • PDMA在測試SDRAM控制器中的應用,我們設計了一個PDMA(Programmable Direct Mem o ry Access)用于測試SDRAM控制器的性能。在SoC中,SDRAM控制器往往跟多個IP模塊(圖形處理單元,音頻處理單元等)交換數據,采用多個PDMA通道同時訪問Memory可以真實
  • 關鍵字: 應用  控制器  SDRAM  測試  PDMA  

電源設計技巧:DDR內存電源

  • CMOS邏輯系統的功耗主要與時鐘頻率、系統內各柵極的輸入電容以及電源電壓有關。器件形體尺寸減小后,電源...
  • 關鍵字: 電源設計  DDR  內存電源  

電源設計小貼士 41:DDR 內存電源

  • CMOS 邏輯系統的功耗主要與時鐘頻率、系統內各柵極的輸入電容以及電源電壓有關。器件形體尺寸減小后,電源電壓也隨之降低,從而在柵極層大大降低功耗。這種低電壓器件擁有更低的功耗和更高的運行速度,允許系統時鐘頻
  • 關鍵字: 電源  內存  設計  DDR  

基于VHDL的SDRAM接口設計

  • 基于VHDL的SDRAM接口設計,RAM通常用于數據和程序的緩存,隨著半導體工業的發展,RAM獲得了飛速的發展,從RAM、DRAM(Dynamic RAM,即動態RAM)發展到SDRAM(Synchronous Dynamic RAM,即同步動態RAM),RAM的容量越來越大、速度越來越高,可以說存
  • 關鍵字: 設計  接口  SDRAM  VHDL  基于  

深入研究DDR電源

  • DDR存儲器的發展歷程 由于幾乎在所有要求快速處理大量數據(可能是計算機、服務器或游戲系統)的應用中都要求 ...
  • 關鍵字: DDR  電源  

使用Xilinx的Spartan-6 FPGA作DDR芯片測試

  • 目前廣泛使用的計算機內存芯片是DDR(雙倍數據率同步動態隨機存儲器)[1]。它的最新品種DDR3單片容量已經可以...
  • 關鍵字: DDR  測試  

使用Xilinx公司的Spartan-6 FPGA作DDR芯片測試

  • 使用Xilinx公司的Spartan-6 FPGA系列芯片所提供的MCB,在生成控制模塊時設置不同參數,可以輕而易舉的實現對不同型號的DDR存儲芯片的測試,數據率可高達800Mb/s以上。由于時間利用率比使用計算機主板測試DDR芯片高得多,所以可以極大地節約測試時間。
  • 關鍵字: Xilinx  FPGA  DDR  201109  

SDRAM接口時序和PCB布線長度的分析

  • 隨著系統復雜度的提高,SDRAM的運行速度也越來越快,對PCB布線帶來了影響,僅僅使用一些經驗法則來設計SDRAM走線并不能完全保證系統的穩定。不同的芯片有不同的時序要求,對走線的要求也是有差別,需要從理論上分析SDRAM時序和PCB走線長度之間的關系。
  • 關鍵字: SDRAM  PCB  201109  

便攜設備訪問片外SDRAM的低功耗設計研究

  • DSP有限的片內存儲器容量往往使得設計人員感到捉襟見肘,特別是在數字圖像處理、語音處理等應用場合,需要有高...
  • 關鍵字: SDRAM  低功耗  

高速圖像處理系統中DDR2-SDRAM接口的設計

  • 摘要:為了滿足高速圖像處理系統中需要高接口帶寬和大容量存儲的目的,采用了FPGA外接DDR2-SDRAM的設計方法,提出一種基于VHDL語言的DDR2-SDRAM控制器的方案,針對高速圖像處理系統中的具體情況,在Xilinx的ML506開發
  • 關鍵字: 接口  設計  DDR2-SDRAM  理系  圖像  處理  高速  

爾必達采用TSV技術SDRAM芯片開始供貨

  •   爾必達存儲器宣布,開始樣品供貨采用TSV(Through Silicon Via,硅貫通孔)技術積層4個2Gbit DDR3 SDRAM芯片和1個接口芯片的單封裝DDR3 SDRAM。爾必達表示采用TSV技術實現32bit的輸入輸出“在全球尚屬首次”。據爾必達介紹,與采用引線鍵合(Wire Bonding)技術的現有SO-DIMM(Small-Outline Dual Inline Memory Module)相比,新產品可以大幅削減耗電量和封裝體積,因此有助于平板終端和超薄型筆記本電腦(PC)等節省
  • 關鍵字: 爾必達  SDRAM  

基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設計

  • 基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設計,摘要:介紹了一種最新DDR NAND閃存技術,它突破了傳統NAND Flash 50 MHz的讀寫頻率限制,提供更好的讀寫速度,以適應高清播放和高清監控等高存儲要求的應用。分析該新型閃存軟硬件接口的設計方法。
    關鍵詞:DDR NAN
  • 關鍵字: 嵌入式  接口  設計  高性能  閃存  DDR  NAND  基于  
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