- 本文介紹的采樣／保持電路采用全差分結構，并通過底板采樣技術有效的抑制電荷注入和時鐘饋通效應 它采用高性能的增益自舉運算放大器來減小由于有限增益和不完全建立帶來的誤差。
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CMOS 性能 采樣保持電路
- 在電路板上，有時可觸摸到燙手的數字IC，或發現數字IC突然損壞。因為數字IC的功耗很低。出現上述狀況讓人不可思議。 圖1是標準化的CMOS數字IC輸出級。不論是在"H"或"L"狀態，總有一個輸出管(Q1或Q2)處于關斷狀態。但如果輸入電壓vin處于門限值1／2Vdd附近，就可能出現Q1和Q2都導通的狀態，這時在IC中將流過較大的電流而發熱，圖2是CMOS數字IC輸入電壓和輸出電流的關系。 如果CMOS數字IC的
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CMOS IC 模擬IC
- 1 引 言
低噪聲放大器(Low Noise Amplifier，LNA)在微波∕射頻接收系統中處于前端位置，其性能指針的好壞對接收機整體性能有很大的影響。例如根據文獻[1]，對于由多級放大器組成的接收系統，其整機噪聲系數基本上取決于前級放大器的噪聲系數。典型地，接收機接收的信號強度在-120～-20 dBm之間，因而為了滿足系統要求，對LNA主要有以下要求：
(1) 提供合適的增益放大信號，以減小后續電路對系統的噪聲影響。
(2) 在放大過程中自身引入盡可能小的噪聲和信號失真。
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模擬技術 電源技術 CMOS 低噪聲放大器 放大器
- 提出了CMOS(互補金屬氧化物半導體)圖像傳感器在嵌入式系統中的接口技術，通過設計軟件驅動使嵌入式處理器能夠控制CMOS圖像傳感器圖像數據自動采集。
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CMOS 嵌入式系統 接口技術 圖像傳感器
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 CMOS 運算放大器 LTC6081 和 LTC6082，這兩款器件在 -40oC 至 +125oC 的整個溫度范圍內以 3.5MHz 的增益帶寬和低于 90uV 的偏移突破了精確度極限。雙路 LTC6081 和 四路 LTC6082 具有軌至軌輸入和輸出級，實現了僅為 1.3uVp-p 的低頻噪聲以及在 25oC 時最大為 1pA 的低輸入偏置電流，非常適用于精密儀器。
LTC6081 和 LTC6082
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模擬技術 電源技術 凌力爾特 CMOS 運算放大器 放大器
- 支持手機功能的兩大核心芯片之一的射頻收發芯片一直被認為是中國無線通信和3G產業的薄弱環節。去年下半年，國內兩家領先的射頻芯片企業銳迪科微電子(上海)有限公司(以下簡稱“銳迪科”)和鼎芯通訊(上海)有限公司(以下簡稱“鼎芯”)都宣布推出采用CMOS工藝的TD-SCDMA射頻(RF)芯片，一舉彌補了中國TD-SCDMA產業鏈發展的短板。隨后，銳迪科宣布“推出全球首顆支持HSDPA的TD-SCDMA/GSM雙模射頻芯片”。CMOS工藝正逐漸取代硅鍺BiCMOS工藝和硅BiCMOS工藝成為射頻芯片的主流工藝，與此
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嵌入式系統 單片機 射頻 芯片 CMOS RF RF IF
- 安森美半導體推出極高精度的NCP590系列雙輸出CMOS低壓降(LDO)穩壓器。該系列器件采用超小、低高度的封裝，非常適合電池供電的消費類產品和微處理器控制的便攜應用，如手機、個人數字助理(PDA)、GPS和便攜式媒體播放器(PMP)。 NCP590 LDO系列每路輸出能夠提供高達300毫安(mA)的電流，特別結合了工藝與架構，能夠提供快速的客戶反應和極高的靈活性。0.8伏(V)到5 V的電壓范圍能夠配合客戶的不同需求。無論使用哪種類型的電容，或在空載條件下，NCP590都能穩定工作。
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模擬技術 電源技術 安森美 CMOS LDO 穩壓器 元件 制造
- 在經歷了一段時間的瘋狂增長之后，CMOS傳感器市場市場終于衰退下來。 最近有報導稱，在CMOS圖象傳感情市場一片頹勢的情況下，全球最大CMOS圖象傳感器供應商美光公司正在準備剝離這一業務。 OmniVision、三星、意法半導體和東芝等CMOS圖象傳感器市場的其它供應商也同樣經歷了一段混亂時期。 ICInsights公司分析師Ro
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消費電子 CMOS 圖象傳感器 美光 消費電子
- Avago Technologies(安華高科技)宣布，已經在65納米(nm) CMOS工藝技術上取得17 Gbps SerDes(串行/解串)的高性能輸出。持續其在嵌入式SerDes技術的領導地位，Avago最新一代的工藝技術能夠節省高達25%的功耗和空間。擁有接近4,500萬通道數的SerDes總出貨量，Avago在提供可靠高性能知識產權(IP)上擁有輝煌穩定的紀錄，現在更以65 nm工藝上經驗證的17 Gbps SerDes性能將
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嵌入式系統 單片機 安華高科技 65 nm CMOS 嵌入式
- 這個設計思路展示給大家如何去創建一個可靠、低成本、簡單的電感測試儀。這個測試儀的基礎是一個皮爾茲CMOS緩沖振蕩器（圖一）。這種振蕩器采用單一CMOS逆變偏頻在其線性區域通過電阻R1 以形成一個高增益反相放大器。由于這個高增益，這個逆變器比一個非緩沖門消耗的功率低，甚至是很小的信號就是可以驅動輸出端得高低。
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測試 測量 電感 CMOS 緩沖振蕩器 測試測量
- 日前，德州儀器(TI)宣布推出支持大輸出電流的3ppm/℃最大溫度漂移、高精度、低成本CMOS電壓基準產品系列——REF50xx。該系列產品提供的超高精度與系統性能等級，先前只有成本高昂的掩埋齊納技術才能提供。雖然REF50xx主要面向新一代工業過程控制，但是也廣泛適用于多種應用，其中包括醫療儀器、高精度數據采集以及測試與測量等。
REF50xx具有+/-10mA的大輸出電流范圍，能夠為ADC提供精確的電壓基準，而無需額外運放緩沖器。高精度(0.05%最大
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嵌入式系統 單片機 德州儀器 CMOS 電壓基準 嵌入式
- 日前，Vishay Intertechnology宣布推出兩種新系列四通道 SPST CMOS 模擬開關，這些器件將高開關速度與高信號帶寬進行了完美結合，可用于眾多開關應用，其中包括音頻、視頻、數據及電源。
Vishay Siliconix DG451 及 DG454 系列器件具有四個可獨立選擇的 44V SPST 開關，每個均具有 4Ω 的典型導通電阻及 0.2Ω 的典型平坦度，這兩個參數是低失真音頻信號開關的理想參數。
所有這些器件均可與 Vishay Siliconix DG411、
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Vishay SPST CMOS 開關
- CMOS工藝具有價格便宜、集成度高、功耗低的特點。隨著CMOS工藝的發展，器件特征頻率大幅提高，采用CMOS工藝實現超高速集成電路成為可能。本文給出了使用CMOS工藝設計的單片集成超高速4：1復接器。
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0.18 CMOS 超高速 復接器
- 富士通微電子（上海）有限公司近日宣布，富士通株式會社、富士通微電子美國公司（FMA）以及捷智技術公司的全資子公司捷智半導體公司（Jazz）將合作生產用于RF CMOS設備的片上系統（SoC）產品。根據各方簽署的協議備忘錄，此次合作旨在使捷智公司一流的RF及混合信號專業技術與富士通處于領先地位的90nm 及65nm生產技術相結合，使兩家公司能夠為SoC客戶提供高性能的客戶自有工具（COT）代工服務。此次聯合將使富士通能夠利用其自身先進的90nm 及65nm低漏電LSI生產工藝，提供給捷智高精度的RF模型
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65nm 90nm CMOS RF 代工 富士通 捷智
- 近年來，電子產品不斷向小型化和便攜式方向發展，需要低電壓、低功耗的集成電路，以延長電池的使用壽命。CMOS技術可以將包括數字電路和模擬電路的整個系統同時封裝和制造在一個芯片上。因此，低電壓、低功耗的要求，不僅是對數字集成電路，也同樣針對于模擬集成電路。由于數字集成電路工作在開關狀態，通過合理減小電路尺寸，不難滿足其要求。但是，對于模擬集成電路，由于場效應管的閾值電壓(Vth)不隨電源電壓的降低而成比例地下降，如果采用低電壓供電，將使輸出范圍大大減小，輸出電流的信噪比(S/N)減小，共模抑制比(CMRR)降
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