據外媒報道，英特爾確認將于今年晚些時候在其位于愛爾蘭萊克斯利普的Fab 34量產3nm芯片。據了解，Intel 3是該公司的第二個EUV光刻節點，每瓦性能比Intel 4工藝提高了18%。Intel公司在年度報告中表示，該工藝于2024年在美國俄勒岡州完成首批量產，2025年產能將全面轉至愛爾蘭萊克斯利普工廠。據介紹，英特爾同步向代工客戶開放Intel 4/3/18A及成熟制程7nm / 16nm工藝。此外，該公司還與聯電合作開發12nm代工工藝。英特爾還表示：基于Intel 18A工藝的客戶端處理器Pa
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英特爾 3nm Fab 34 14A
全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布一項非易失性存儲領域的重大創新。該創新利用X-FAB同類最佳的SONOS技術：基于其高壓BCD-on-SOI XT011這一110nm工藝節點平臺，X-FAB可為客戶提供符合AECQ100 Grade-0標準的32kByte容量嵌入式閃存IP，并配備額外的4Kbit EEPROM。此外，從2025年起，X-FAB還計劃推出更大容量的64KByte、128KByte閃存以及更大存儲空間的EEPRO
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X-FAB BCD-on-SOI 嵌入式數據存儲
全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，在其現有為光學傳感器而特別優化的180nm CMOS半導體工藝平臺——XS018上，現推出四款新型高性能光電二極管。豐富了光電傳感器的產品選擇，強化了X-FAB廣泛的產品組合。2×2光電二極管排列布局示例圖此次推出的四款新產品中，兩款為響應增強型光電二極管doafe和dobfpe，其靈敏度在紫外、可見光和紅外波長（全光譜）上均有所提升；另外還有兩款先進的紫外線專用光電二極管dosuv和dosu
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X-FAB 光電二極管 傳感靈敏度
6月6日消息，據媒體報道，英特爾近期宣布，已同意以110億美元的價格將其位于愛爾蘭的Fab 34芯片工廠49%的股份出售給阿波羅全球管理公司。這一舉措旨在為英特爾的大規模擴張計劃引入更多外部資金，同時緩解公司的財務壓力。根據英特爾的聲明，通過此次交易，英特爾將出售Fab 34芯片工廠相關實體中49%的股份，而保留51%的股份，保持對工廠的控股權。Fab 34工廠是英特爾在歐洲唯一一家使用極紫外線（EUV）光刻技術的芯片制造工廠，對采用Intel 4和Intel 3制程的晶圓提供支持，迄今為止，英特爾已在該
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英特爾 Fab
Source:Yulia Shaihudinova/iStock/Getty Images Plus via Getty Images模擬/混合信號和專業晶圓代工廠X-Fab Silicon Foundries SE（X-Fab）日前推出了其XP018高壓互補型金屬氧化物半導體（CMOS）制造平臺的更新。5月16日發布的一篇新聞稿表示，該平臺現在包括全新的40 V和60 V高壓基礎器件，可提供可擴展的安全工作區（安全工作區）以提高運行穩健性。這些第二代器件在RDSon數據上也有顯著降低，與此前版本相比降低
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X-Fab 180納米 高壓CMOS代工
據聯電（UMC）官網消息，5月21日，聯電在新加坡Fab 12i舉行第三期擴建新廠的上機典禮，首批設備到廠，象征公司擴產計劃建立新廠的重要里程碑。據悉，聯電曾表示新加坡Fab12i P3旨在成為新加坡最先進半導體晶圓代工廠之一，提供22/28nm制程，以支持5G、物聯網和車用電子等領域需求，總投資金額為50億美元。據了解，聯電早在2022年2月宣布了在新加坡Fab 12i P3廠的擴建計劃。當時消息稱，新廠第一期月產能規劃30,000片晶圓，2024年底開始量產，后又在2022年底稱，在過程中因缺工缺料及
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聯電 Fab 設備
全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，更新其XP018高壓CMOS半導體制造平臺，增加全新40V和60V高壓基礎器件——這些器件具有可擴展SOA，提高運行穩健性。與上一代平臺相比，此次更新的第二代高壓基礎器件的RDSon阻值降低高達50%，為某些關鍵應用提供更好的選擇——特別適合應用在需要縮小器件尺寸并降低單位成本的系統中。XP018平臺作為一款模塊化180納米高壓EPI技術解決方案，基于低掩模數5V單柵極核心模塊，支持-40°C
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X-FAB 180納米 高壓CMOS 代工
全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，其光學傳感器產品平臺再添新成員——為滿足新一代圖像傳感器性能的要求，X-FAB現已在其備受歡迎的CMOS傳感器工藝平臺XS018（180納米）上開放了背照（BSI）功能。BSI工藝截面示意圖通過BSI工藝，成像感光像素性能將得到大幅增強。這一技術使得每個像素點接收到的入射光不會再被后端工藝的金屬層所遮擋，從而大幅提升傳感器的填充比，最高可達100%。由于其能夠獲得更高的像素感光靈敏度，因而在暗
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X-FAB 圖像傳感器 背照技術 CMOS傳感器
12月22日，科創板上市公司格科微（688728.sh）成功舉辦以“Fab-Lite新模式·引領中國芯未來”為主題的20周年慶典暨臨港工廠投產儀式，及2023年產品推介會暨CEO交流會。圖1 格科微20周年慶典暨臨港工廠投產儀式.JPG以讓世界看見中國的創新為使命，格科微經過二十年的發展，成功實現了從Fabless到Fab-Lite的戰略轉型，迎來了歷史最佳的經營局面。值此良機，格科微高端產品再傳佳訊，公司推出三款全新單芯片高階產品，為未來加速核心技術產品化，邁向嶄新的發展階段奠定了基礎。整個活動，政府領
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Fab-Lite 格科微 5000萬像素 圖像傳感器
據臨港新片區管委會官網披露文件顯示，日前，中芯國際臨港12英寸晶圓代工生產線項目城鎮污水排入排水管網許可順利獲批。據悉，中芯國際臨港12英寸晶圓代工生產線項目由中芯國際和中國（上海）自由貿易試驗區臨港新片區管理委員會合作規劃建設。根據協議，雙方共同成立合資公司，規劃建設產能為10萬片/月的12英寸晶圓代工生產線項目，聚焦于提供28納米及以上技術節點的集成電路晶圓代工與技術服務。據中芯國際發布的公告顯示，該項目計劃投資約88.7億美元（折合人民幣約573億元），這也是中芯國際在上海的第一個按照Twin Fa
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中芯國際 12英寸晶圓 代工廠 Twin Fab
全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，推出專用近紅外版本的單光子雪崩二極管（SPAD）器件組合。與2021年發布的前一代SPAD保持同步，新版本也是基于X-FAB 180納米工藝的XH018平臺。得益于在制造過程中增加的額外工藝流程，在保持同樣低的本底噪聲水平的同時，顯著增強信號，而且不會對暗計數率、后脈沖和擊穿電壓等參數產生負面影響。X-FAB通過推出這一最新版本的產品，成功豐富了其SPAD產品的選擇范圍，提升了解決眾多視近紅外
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X-FAB 近紅外 SPAD
全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，在電隔離技術領域取得重大進展——X-FAB在2018年基于其先進工藝XA035推出針對穩健的分立電容或電感耦合器優化之后，現又在此平臺上實現了將電隔離元件與有源電路的直接集成。這是X-FAB對半導體制造工藝上的又一重大突破。這一集成方法使隔離產品的設計更加靈活，從而應對可再生能源、EV動力系統、工廠自動化和工業電源領域的新興機遇。XA035基于350納米工藝節點，非常適合制造車用傳感器和高壓工
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X-FAB 電隔離解決方案
全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，新增集成無源器件（IPD）制造能力，進一步增強其在射頻（RF）領域的廣泛實力。公司在歐洲微波展（9月17至22日，柏林）舉辦前夕推出XIPD工藝；參加此次活動的人員可與X-FAB技術人員（位于438C展位）就這一創新進行交流。X-FAB XIPD晶圓上的電感器測試結構XIPD源自廣受歡迎的X-FAB XR013 130nm RF SOI工藝——該技術利用工程基底和厚銅金屬化層，讓客戶能夠在其器
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X-FAB 無源器件 晶圓代工廠
中國北京，2023年6月15日——全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，正在開展photonixFAB項目---該項目旨在為中小企業和大型實體機構在光電子領域的創新賦能，使其能夠輕松獲得具有磷化銦（InP）和鈮酸鋰（LNO）異質集成能力的低損耗氮化硅（SiN）與絕緣體上硅（SOI）光電子平臺。在此過程中，模擬/混合信號晶圓代工領域的先進廠商X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）牽頭發起一項戰略倡議，旨在推
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X-FAB 硅光電子 PhotonixFab 光電子
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