- 近日，格芯2017技術大會（GLOBALFOUNDRIES Technology Conference或GTC）于上海舉行，格芯盛邀數百位半導體行業領導者、客戶、研究專家與核心媒體齊聚一堂，并精心為與會者準備了公司的核心業務、市場推進方向與創新成果，以及包括制程工藝、設計實現、IP、射頻以及生態圈的發展等方面的最新進展，共同聚焦格芯面向5G互聯時代的技術解決方案。作為格芯的年度技術盛會，本次大會格芯分享的技術主題十分廣泛，包括FDX?設計和生態系統、IoT，5G/網絡和汽車解決方案智能應用，FDX?、Fi
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GTC FDSOI FINFET 制程
- 法國研究機構CEA-Leti宣布開發出可為全耗盡型絕緣體上覆矽(FDSOI)矽通道制程誘導局部應變的2種新技術，可望用于實現更快速、低功耗與高性能的下一代FDSOI電路。 意法半導體(STMicroelectronics;ST)和Globalfoundries倡議為先進晶片中采用FDSOI，并視其為能夠達到世界級能效的方法，而且不必面對像FinFET制程的復雜性與高成本。 晶格上的應變通常用于增加傳統平面CMOS與FinFET CMOS的行動性。如今，Leti則提議將它用在下一代的FDSOI電路上
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FDSOI
- 法國兩家半導體研究機構CEA-Leti和Circuits Multi Projets日前宣布，他們將在一項定于明年9月份啟動的300mm多項目晶片研究計劃中采用基于20nm制程的全耗盡型SOI工藝制作這種芯片。這次 多項目晶片研究計劃是由歐洲一個專門研究SOI技術的學術團體EuroSOI+負責參與支持的。
所謂的多項目芯片(multi-project wafer：MPW)，指的是在同一片晶圓上采用相同的制程制出不同電路設計的IC芯片，這樣可以為多家廠商或研究機構的IC設計驗證節約成本，非常適用于
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FDSOI 20nm
fdsoi介紹
FDSOI技術即全耗盡型SOI技術，有些文獻上也寫成ETSOI即超薄型SOI，具有非常強的競爭力，適合20nm及更高級別制程的移動/消費電子產品使用。 FD-SOI是下一代晶體管結構的熱門技術之一。目前制造晶體管的主流技術是采用體硅技術制作的32/28nm制程平面型晶體管。 AMD，IBM以及其它部分廠商目前則在使用基于部分耗盡型SOI技術的平面型晶體管制造自己的處理器產品。相比之下，In [
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