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第三代半導體 文章 進入第三代半導體技術社區

中國香港地區將建首個具規模的半導體晶圓廠

  • 香港科技園公司與微電子企業杰平方半導體簽署合作備忘錄,設立以第三代半導體為主的全球研發中心。大半導體產業網消息,10月13日,香港科技園公司(科技園公司)與微電子企業杰平方半導體(上海)有限公司(杰平方半導體)簽署合作備忘錄,在科學園設立以第三代半導體為主的全球研發中心,并投資開設香港首間碳化硅(SiC)8寸先進垂直整合晶圓廠,共同推進香港微電子生態圈及第三代半導體芯片產業的發展。據悉,該項目總投資額約69億港元,計劃到2028年年產24萬片碳化硅晶圓,帶動年產值超過110億港元,并創造超過700個本地和
  • 關鍵字: 晶圓  碳化硅  第三代半導體  

基于ST CCM PFC L4986A 設計的1KW 雙BOOST PFC電源方案

  • L4986簡介:L4986是一款峰值電流模式PFC升壓控制器,采用專有的乘法器“模擬器”,除了創新型THD優化器,還保證在所有工條件下具有非常低的總諧波失真(THD)性能。該器件引腳采用SO封裝,集成了800V 高壓啟動功能,無需使用傳統的放電電阻。可以支持的功率范圍從一兩百瓦到幾千瓦。 ST 提供兩個版本:A為65 kHz,B為130 kHz。本案例方案中使用的是65K A版本。Double -boost 電路簡介:Double-boost 是無橋PFC的一種, 去掉了大功耗的整流橋,可以顯著提
  • 關鍵字: ST  SIC  第三代半導體  CCM PFC  4986  電動工具  割草機  雙boost  double boost  無橋PFC  

基于ST VIPERGAN50的20V/2.25A 小體積之PD快充方案

  • 過往產品的充電裝置多由各家廠牌使用各自的接口,導致裝置汰換時將造成許多浪費。由于USB的普及,市面大部分的產品都透過此接口傳輸數據,進而促使人們欲提升USB供電能力的想法。過去即使透過USB Battery Charging 1.2(BC1.2) 方式最多也只能提供7.5W (5V 1.5A),則電子產品需要較長的時間來充電。USB-IF (USB Implementers Forum) 于2012年發表第一版USB Power Delivery規范 (USB Power Delivery Specifi
  • 關鍵字: ST  意法半導體  GAN  第三代半導體  Power and energy  PD  協議  快充  

基于STM32G474RBT6 MCU的數字控制3KW通信電源方案

  • STDES-3KWTLCP參考設計針對5G通信應用的3 kW/53.5V AC-DC轉換器電源,使用完整的ST數字電源解決方案。STDES-3KWTLCP參考設計針對5G通信應用的3 kW/53.5V AC-DC轉換器電源,使用完整的ST數字電源解決方案。電路設計包括前端無橋圖騰柱PFC和后端LLC全橋架構。前級圖騰柱PFC提供功率因數校正(PFC)和諧波失真(THD)抑制,后記全橋LLC轉換器提供安全隔離和穩定的輸出電壓。該參考設計為高效率緊湊型解決方案,在230 VAC輸入時,測量峰值效率為96.3%
  • 關鍵字: ST  第三代半導體  SIC  GNA  圖騰柱PFC  無橋PFC  全橋LLC  數字電源  

第三代半導體高歌猛進,誰將受益?

  • “現在的新車,只要能用碳化硅的地方,便不會再用傳統功率器件”。功率半導體大廠意法半導體(ST)曾以此言表達碳化硅于新能源汽車市場的重要性。當下,在全球半導體行業的逆流中,第三代半導體正閃爍著獨特的光芒,作為其代表物的碳化硅和氮化鎵順勢成為耀眼的存在。在此賽道上,各方紛紛加大馬力,堅定下注,一部關于第三代半導體的爭奪劇集已經開始上演。一、三代半方興未艾產業進入高速成長期近日,科學技術部黨組成員、副部長相里斌在2023中關村論壇上表示,2022年在全球疫情和需求端疲軟等多重因素影響下,全球半導體產業進入下行周
  • 關鍵字: 第三代半導體  SiC  GaN  

碳化硅功率器件的應用機會及未來

意法半導體與歐陸通設立聯合開發實驗室,瞄準第三代半導體領域

  • 近日,歐陸通與意法半導體(ST)宣布,雙方將在歐陸通子公司上海安世博及杭州云電科技兩地分別設立針對數字電源應用的聯合開發實驗室,雙方合作的研發團隊將在服務器電源及新能源兩大產業應用領域進行合作。據介紹,在服務器電源領域,歐陸通將結合意法半導體廣泛的芯片組合,包含主芯片控制器,功率器件(包含碳化硅,氮化鎵等寬禁帶材料),模擬器件(如隔離式柵極驅動器),傳感器等等,聯合打造高效率、高功率密度的服務器數字電源解決方案。在新能源領域,歐陸通將結合意法半導體主控芯片以及碳化硅、氮化鎵等創新的寬禁帶技術,打造液冷散熱
  • 關鍵字: 意法半導體  歐陸通  第三代半導體  

“第三代半導體”迎來新方向,新能源車成為主線,重點在5家短線大牛

  • 以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導體材料具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率等特點,可以極大滿足新能源汽車電動化、網聯化、智能化發展趨勢的要求,對新能源汽車發展具有重要意義。《中國電子報》開設“寬禁帶半導體與新能源汽車”專欄,以寬禁帶半導體在新能源汽車范疇的應用為切入點,全面系統報道寬禁帶半導體技術趨勢、市場發展現狀和產業發展困難等。敬請關注。我國新能源汽車產銷量、保有量持續6年居世界首位,為寬禁帶半導體的技術驗證和更新迭代提供了大量應用數據樣本。記者在采訪時領會到,寬禁帶半導體能有效提升新能源汽
  • 關鍵字: 第三代半導體  汽車電子  新能源汽車  

聞泰科技:已布局第三代化合物半導體,暫無氧化鎵相關產品

  • IT之家 3 月 20 日消息,聞泰科技今日在投資者互動平臺表示,公司已布局第三代化合物半導體,主要聚焦于由減少碳排放和綠色能源所帶來技術機遇,更加注重功率器件,以增強和擴展半導體產品組合,提供更多復雜的高功率產品,包括 SiC 與 GaN。公司暫無氧化鎵相關產品,會持續關注半導體新技術。封測技術方面,聞泰科技稱公司半導體業務具有 LFPAK、夾片粘合、SiP(系統級封裝)等多種先進封測技術與幾十種封測型號,可滿足汽車客戶、工業、消費客戶的不同產品性能的需求。此外,聞泰科技表示,公司半
  • 關鍵字: 聞泰科技  第三代半導體  

市場規模節節攀升,第三代半導體成收購的熱門賽道

  • 以碳化硅與氮化鎵為代表的第三代半導體市場正如火如荼地發展著,而“圍墻”之外的企業亦對此賽道十分看重。近日,中瓷電子資產重組重新恢復審核,其對第三代半導體業務的開拓有了新的進展。3月6日,中瓷電子發布了《發行股份購買資產并募集配套資金暨關聯交易報告書(草案)(修訂稿)》。根據該修訂稿,中瓷電子擬以發行股份的方式,購買博威公司73.00%股權、氮化鎵通信基站射頻芯片業務資產及負債、國聯萬眾94.6029%股權。事實上,除中瓷電子外,近來還有許多企業選擇以收購的方式,布局或擴大第三代半導體業務。2023年3月2
  • 關鍵字: 第三代半導體  收購  SiC  GaN  

英飛凌與VinFast擴大合作,第三代半導體企業與車企的不解之緣

  • 關注電動汽車領域的人,在近年來應當頻繁看見“VinFast”這個名字。從美國建廠到擬赴美上市,VinFast用大動作刷足了存在感。事實上,VinFast對未來有著宏大的規劃,并正朝著這個規劃,積極聯手供應鏈企業。01“野心勃勃”的VinFastVinFast成立于2017年,是越南一家年輕的初創企業。而背靠著越南首富潘日旺(Pham Nhat Vuong)及其旗下以房地產為主業的Vingroup,VinFast的發展可謂“光速”:2018年,VinFast收購通用在越南的汽車生產線;同年底,VinFast
  • 關鍵字: 英飛凌  VinFast  第三代半導體  

博世創業投資公司投資致能科技,加速第三代半導體布局

  • 隸屬于博世集團的羅伯特·博世創業投資公司(以下簡稱“博世創投”)已完成對廣東致能科技有限公司(以下簡稱“致能科技”)的Pre-A輪投資。致能科技總部位于廣州,是國內領先的氮化鎵IDM(Integrated Device Manufacturer)公司。憑借其在氮化鎵器件領域的豐富經驗和創新技術,致能科技致力于研發新一代氮化鎵功率器件,在現有基礎上全面提升氮化鎵工作電壓、導電能力、開關頻率等關鍵性能參數,助力實現更高效的功率管理系統。根據市場研究機構Yole Développement最新報告,全球功率半導
  • 關鍵字: 博世創業投資公司  致能科技  第三代半導體  

第三代半導體與硅器件未來將長期共存

  • 目前全球能源需求的三分之一左右是用電需求,能源需求的日益增長,化石燃料資源的日漸耗竭,以及氣候變化等問題,要求我們去尋找更智慧、更高效的能源生產、傳輸、配送、儲存和使用方式。在整個能源轉換鏈中,第三代半導體技術的節能潛力可為實現長期的全球節能目標做出很大貢獻。除此之外,寬禁帶產品和解決方案有利于提高效率、提高功率密度、縮小尺寸、減輕重量、降低總成本,因此將在交通、新能源發電、儲能、數據中心、智能樓宇、家電、個人電子設備等極為廣泛的應用場景中為能效提升做出貢獻。除高速之外,碳化硅還具有高熱導率、高擊穿場強、
  • 關鍵字: 202207  第三代半導體  英飛凌  

打造驅動第三代功率半導體轉換器的IC生態系統

  • 受訪人:亞德諾半導體  大規模數據中心、企業服務器和5G電信基站、電動汽車充電站、新能源等基礎設施的廣泛部署使得功耗快速增長,因此高效AC/DC電源對于電信和數據通信基礎設施的發展至關重要。近年來,以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)晶體管為代表的第三代功率器件已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開關,從而可提高能源轉換效率和密度。新型和未來的SiC/GaN功率開關將會給方方面面帶來巨大進步,其巨大的優勢——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率,將有助于實現更緊湊、更具成本效益的功率應用。好馬
  • 關鍵字: 202207  ADI  第三代半導體  IC  功率器件  

第三代半導體與硅器件將長期共存

  • 受訪人:英飛凌科技1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導體,在材料特性上有什么相似之處和不同之處?根據其不同的特性,分別適用在哪些應用領域?貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導體器件方面都有哪些主要的產品?  相似之處:相較于傳統的硅材料,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導體材料,具有更大的禁帶寬度、更高的臨界場強,使得基于這兩種材料制作的功率半導體具有耐高壓、低導通電阻、寄生參數小等優異特性。  不同之處及分別適用于哪些應用:碳化硅和氮化硅這兩種寬禁帶半導體材料之間也存在著諸多差異。 
  • 關鍵字: 英飛凌  第三代半導體    
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