近日，我國在8英寸碳化硅領域多番突破，中國電科48所8英寸碳化硅外延設備再升級，三義激光首批碳化硅激光設備正式交付，天岳先進8英寸碳化硅襯底批量銷售，上海漢虹成功制備8英寸碳化硅晶體。8英寸碳化硅時代已呼嘯而來，未來將會有更多廠商帶來新的產品和技術，我們拭目以待。關鍵突破！中國電科48所8英寸碳化硅外延設備再升級近日，中國電科48所自主研發的8英寸碳化硅外延設備關鍵技術再獲突破。圖片來源：中國電科據中國電科官方消息，碳化硅外延爐是第三代半導體碳化硅器件制造的核心裝備之一。此次“全新升級”的8英寸碳化硅外延
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8英寸 碳化硅
9 月 3 日消息，“南京發布”官方公眾號于 9 月 1 日發布博文，報道稱國家第三代半導體技術創新中心（南京）歷時 4 年自主研發，成功攻關溝槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造關鍵技術，打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”，實現我國在該領域的首次突破。項目背景碳化硅是第三代半導體材料的主要代表之一，具有寬禁帶、高臨界擊穿電場、高電子飽和遷移速率和高導熱率等優良特性。碳化硅 MOS 主要有平面結構和溝槽結構兩種結構，目前業內應用主要以平面型碳化硅 MOSFET 芯片為主。平面碳化硅 MOS
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碳化硅 mosfet 第三代半導體 寬禁帶
據南京發布近日消息，國家第三代半導體技術創新中心（南京）歷時4年自主研發，成功攻關溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造關鍵技術，打破平面型碳化硅MOSFET芯片性能“天花板”。據悉這是我國在這一領域的首次突破。公開資料顯示，碳化硅是第三代半導體材料的主要代表之一，具有寬禁帶、高臨界擊穿電場、高電子飽和遷移速率和高導熱率等優良特性。碳化硅MOS主要有平面結構和溝槽結構兩種結構。目前業內應用主要以平面型碳化硅MOSFET芯片為主。平面碳化硅MOS結構的特點是工藝簡單，元胞一致性較好、雪崩能量比較高；缺點是當電流被
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碳化硅 溝槽型碳化硅 MOSFET
正如業界預期的那樣，目前碳化硅正邁入高速增長階段。觀察市場情況，碳化硅產業熱鬧不斷：英飛凌、意法半導體、天岳先進、三安光電、羅姆等大廠加速擴充碳化硅產能；英國Alan
Anderson公司和印度大陸器件公司CDIL簽署合作協議，安森美與Entegris已開展合作，PVA TePle已與Scientific
Visual建立合作伙伴關系；印度首家半導體芯片制造商Polymatech
Electronics收購美國碳化硅相關公司Nisene；長飛先進與懷柔實驗室簽署碳化硅功率器件成果合作轉化意向協
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碳化硅
近日消息，全球最大8英寸碳化硅晶圓廠啟動。功率半導體大廠英飛凌于8月8日宣布，已正式啟動位于馬來西亞新晶圓廠的第一階段，該晶圓廠將成為全球最大、最具競爭力的200毫米（8英寸）碳化硅(SiC)功率半導體晶圓廠，預計2025年開始量產。碳化硅尺寸越大，單位芯片成本越低，故6英寸向8英寸轉型升級是技術發展的必然趨勢。業界人士稱，預計從2026年至2027年開始，現在的6英寸碳化硅產品都將被8英寸產品替代。當前來看，第三代半導體碳化硅加速邁進8英寸時代，并引得“天下群雄”踴躍進軍。據全球半導體觀察不完全統計，英
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碳化硅
據外媒報道，8月5日，印度首家半導體芯片制造商Polymatech Electronics宣布已正式收購美國公司Nisene
Technology Group Inc。此次收購由Polymatech位于新加坡的全資子公司Artificial Electronics
Intelligent Materials Pte Ltd.執行。Nisene即將上任的首席執行官Ryan
Young表示，此次收購補充了Polymatech的尖端產品組合，并推動了新產品的開發。資料顯示，Nisene自20世紀70
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印度 碳化硅
●? ?馬來西亞總理、吉打州州務大臣與英飛凌管理層共同出席了新晶圓廠一期項目的生產運營啟動儀式。●? ?新晶圓廠將進一步鞏固和增強英飛凌在全球功率半導體市場的領導地位。●? ?強有力的客戶支持與承諾以及重要的設計訂單為持續擴建提供了支撐。●? ?居林晶圓廠100%使用綠電并在運營實踐中采取先進的節能和可持續舉措。馬來西亞總理拿督斯里安瓦爾·易卜拉欣、吉打州州務大臣拿督斯里莫哈末·沙努西與英飛凌科技首席執行官Jochen Han
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英飛凌 碳化硅 晶圓廠
IT之家 8 月 8 日消息，英飛凌今日宣布，其位于馬來西亞的居林第三廠區（Kulim 3）一期正式啟用。該階段聚焦碳化硅（SiC）功率半導體的生產，也將關注氮化鎵（GaN）外圍晶圓。▲ 英飛凌居林第三廠區英飛凌在 2022 年宣布了 Kulim 3 的一期建設計劃，投資額達 20 億美元（IT之家備注：當前約 143.43 億元人民幣），可創造 900 個高價值工作崗位。英飛凌此后又在 2023 年 8 月宣布了價值 50 億美元（當前約 358.57 億元人民幣）的 Kulim 3 二期計劃
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英飛凌 碳化硅 功率器件
毋庸置疑，從社會發展的角度，我們必須轉向采用可持續的替代方案。日益加劇的氣候異常和極地冰蓋的不斷縮小，清楚地證明了氣候變化影響的日益加劇。但有一個不幸的事實是，擺脫化石燃料正被證明極其困難，向綠色技術的轉變也帶來了一系列技術挑戰。無論是生產要跟上快速擴張的市場步伐，還是新解決方案努力達到現有系統產出水平，如果我們要讓化石燃料成為過去，這些難題都必須被克服。對于電動汽車（EV）和太陽能電池板等應用，工程師面臨著更多的挑戰，因為敏感的電子元件必須在惡劣的環境中持續可靠地運行。為了進一步推動這些可持續解決方案，
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安森美 碳化硅
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碳化硅
新聞要點●? ?最新一代EliteSiC M3e MOSFET能將電氣化應用的關斷損耗降低多達 50%●? ?該平臺采用經過實際驗證的平面架構，以獨特方式降低了導通損耗和開關損耗●? ?與安森美(onsemi) 智能電源產品組合搭配使用時，EliteSiC M3e 可以提供更優化的系統方案并縮短產品上市時間●? ?安森美宣布計劃在 2030 年前加速推出多款新一代碳化硅產品 ? ? ?面對不斷升級
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安森美 碳化硅 電氣化轉型
當地時間7月17日，美國商務部宣布與全球第三大半導體晶圓供應商環球晶圓（GlobalWafers）簽署了不具約束力的初步備忘錄（PMT）。環球晶圓承諾在美國投資約40億美元（約合人民幣290億元）建設兩座12英寸晶圓制造工廠。美國政府將向環球晶圓提供至多4億美元（約合人民幣29億元）的《芯片法案》直接補助，以加強半導體元件供應鏈。據悉，環球晶圓將在德克薩斯州謝爾曼建立第一家用于先進芯片的300mm硅晶圓制造廠，在密蘇里州圣彼得斯建立生產300mm絕緣體上硅（“SOI”）晶圓的新工廠。環球晶圓董事長徐秀蘭表
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環球晶圓 晶圓廠 碳化硅
引言：隨著新能源汽車產業的蓬勃發展，功率密度的不斷提升與服役條件的日趨苛刻給車載功率模塊封裝技術帶來了更嚴峻的挑戰。碳化硅憑借其優異的材料特性，成為了下一代車載功率芯片的理想選擇。同時，高溫、高壓、高頻、大電流的工作環境對碳化硅模塊內部封裝材料的互連可靠性提出了更高要求，開發與碳化硅功率芯片匹配的新型互連材料和工藝亟需同步推進。傳統互連材料的局限傳統的高溫錫基焊料和銀燒結技術已在功率模塊行業中活躍多年，但它們各自存在一定短板。例如，錫基焊料耐高溫性能不足，熱導率、電導率偏低，在高溫下存在蠕變失效的風險，在
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基本半導體 銅燒結 碳化硅 功率模塊
作為第三代半導體材料的典型代表，碳化硅（SiC）與硅（Si）相比，擁有更加優異的物理和化學特性，使得 SiC 器件能降低能耗 20% 以上，減少體積和重量 30%~50%，可滿足中低壓、高壓、超高壓功率器件制備要求。SiC 器件可廣泛應用于電動汽車、軌道交通、智能電網、通信雷達和航空航天等領域。SiC 主要用于功率器件制造，與傳統硅功率器件制造工藝不同，SiC 器件不能直接在 SiC 單晶材料上制造，必須在導通型單晶襯底上額外生長高質量的外延材料，在外延層上制造器件。在 SiC 產業鏈上，關鍵部分主要集中
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碳化硅
碳化硅場效應晶體管(SiC FET)接近于理想的開關，具有低損耗、寬帶隙技術和易于集成設計等優勢。Qorvo的SiC FET技術如今以高效模塊化產品的形式呈現;本文探討了這種產品形態如何使SiC FET成為太陽能逆變器應用的理想之選。
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202407 太陽能 PV SiC FET 寬帶隙 碳化硅 光伏
碳化硅！介紹
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