晶體管文章進入晶體管技術社區

單電子晶體管研制成功或重新精確定義電流單位

　　芬蘭與美國的一個研究小組研制出單電子晶體管(SET)它能將振蕩電壓轉換成非常精確的電流，這有望更精確重新定義電流的基本單位———安培。該項科研成果刊登在近期出版的《納米科學與技術在線資源》網站上。　　安培、伏特及歐姆是電子學的三大基本單位，后兩者分別通過約瑟夫森電壓和量子化霍爾電阻的測量而得，然而目前的安培測量技術卻還延續著十九世紀使用的版本：真空中相距1米的兩根無限長且圓截面可忽略的平行導線內通過一恒定電流，當兩導線每米長度之間產生的力等于2
關鍵字：單電子晶體管研制

壓電振蕩器供給白光LED發光

　　壓電陶瓷蜂鳴器從單電池為白光LED供能。　　接收單電池供電的LED驅動器正受到廣泛關注。為由低電壓電源產生能夠點亮白光LED的高電壓，主要需要某種電子振蕩器，最簡單的為壓電蜂鳴器。壓電轉換器特殊地用于振蕩器和驅動白光LED(圖1)。壓電模片或彎曲板組成壓電陶瓷片，帶雙面電極，用可傳導粘合劑貼在黃銅、不銹鋼或類似材料制成的金屬板上。電路使用三端壓電轉換器。在這個轉換器中，模片在其中一個電極上有反應標記。電感和容性器件之間諧振產生振蕩。工作的頻率為：fOSC=1/(2π 　　　　)，在
關鍵字： LED 振蕩器晶體管發光二極管 LED

LSI 慶祝晶體管發明 60 周年

　　LSI 公司日前宣布向位于加利福尼亞州山景市 (Mountain View) 的計算機歷史博物館捐贈了其首枚晶體管的復制品，以慶祝晶體管發明 60 周年。　　晶體管是1947 年 12 月 16 日由貝爾實驗室的科學家 John Bardeen、Walter Brattain 和 William Shockley 共同發明的，它是當今集成電路的構建塊，而集成電路則是從電腦到手機乃至導彈和心臟起搏器等各種產品的中樞。晶體管于1951 年最早由位于賓夕法尼亞州阿倫敦聯合大道 (Union Boul
關鍵字： LSI 晶體管集成電路嵌入式

回顧歷史——晶體管誕生60周年

在半導體產業迅猛發展的今天，讓我們一起來閱讀這段60年前的歷史…... LSI 熱烈慶祝晶體管誕生 60 周年 60年前的1947年12月，3 名貝爾試驗室的科學家共同發明了晶體管，從而開辟了現代電子時代，包括當今的LSI在內的全球性產業也由此誕生。 &nbs
關鍵字：晶體管誕生 60 周年元件制造

摩爾定律十年后失效業界爭議甚囂塵上

　　今年12月16日是晶體管誕生60周年紀念日，但是摩爾定律的發現者，英特爾公司聯合創始人戈登▪摩爾卻在接受美聯社采訪時說，摩爾定律還只能延續十年，此后在技術上將會變得十分困難，在他看來，晶體管體積繼續縮小的物理極限即將達到。美聯社評論稱，由此，曾經驅動了數字技術革命--甚至是現代經濟--的半導體技術引擎將"剎車"停車。　　"摩爾定律"可以簡述為：每18個月，同一面積芯片上可以集成的晶體管數量將翻一番，而價格下降一半。問世40多年來，摩爾定律對推動整個半導體行業發展，驅動數字革命和加速信息
關鍵字：嵌入式系統單片機晶體管半導體摩爾定律 IC 制造制程

2015年全球存儲芯片市場規模將達216億美元

　　據市場研究公司NanoMarkets最新發表的研究報告稱，包裝、顯示屏、智能卡、傳感器等行業對柔性大面積電子電路的需求將推動有機晶體管和存儲芯片市場在2015年達到216億美元。雖然有機存儲芯片的增長低于有機薄膜晶體管的增長，但是，它將迅速趕上來。到2015年，將有價值161億美元的電子產品中將包含有機存儲芯片。這篇報告的要點包括：　　
關鍵字：存儲芯片晶體管存儲器

晶體管型號一概表2

晶體管型號反壓Vbe0 電流Icm 功率Pcm 放大系數特征頻率管子類型 2SA1444 100V 1.5A 2W * 80MHZ PNP 2SA1494 200V 17A 200W * 20MHZ PNP 2SA1516 180V 12A 130W * 25MHZ PNP 2SA1668 200V 2A 25W * 20MHZ PNP 2SA1785 400V 1A 1W * 140MHZ PNP
關鍵字：晶體管型號元件制造

晶體管型號一概表1

晶體管型號反壓Vbe0 電流Icm 功率Pcm 放大系數特征頻率管子類型 9011 50V 0.03A 0.4W * 150MHZ NPN 9012 50V 0.5A 0.6W * * PNP 9013 50V 0.5A 0.6W * * NPN 9014 50V 0.1A 0.4W * 150MHZ NPN 9015 50V 0.1A 0.4W * 150MHZ PNP 9018 30V
關鍵字：晶體管型號元件制造

FPGA加速滲透非傳統應用領域

　　自從1985年首款FPGA器件誕生以來，FPGA產業一方面修煉內功——從技術上來說，工藝從2μm發展到65nm，晶體管數量從8.5萬個增長到10億個以上;另一方面向外擴張——應用領域從最初的通信業不斷向消費電子、汽車、工業控制等滲透，同時在不斷“蠶食”DSP、ASIC、ASSP和嵌入式處理器的市場。如今，Xilinx、Altera和Actel等FPGA產業的領導廠商也不再是20多年前的孤軍奮戰，在其周圍，FPGA開發和應用的生態系統已然初步形成，大大促進了FPGA產業的發展。　　“非傳統”應用領域
關鍵字：嵌入式系統單片機 FPGA 晶體管 DSP MCU和嵌入式微處理器

CEO如是說：對于可持續發展，電子行業做得太少

　　Applied CEO Mike Splinter指出，在生態可持續發展方面，電子行業做的還太少，在半導體制造業必須開始朝一個目標努力。Splinter指出，半導體行業持續地關注電子產品的速度和性能，而不夠重視能源使用效率。他說，未來的芯片架構必須關注功率優化。Splinter補充說，隨著消費電子中半導體產品的使用，芯片在可持續發展上扮演著重要的角色。　　在和印度半導體產業協會(India Semiconductor Association)的一位成員交談時，Splinter說尤其在少數半導體制造
關鍵字：消費電子電子行業晶體管消費電子

提供過電流和過電壓保護的斷路器

斷路器在汽車系統中很有用，既需要過電流檢測防止有故障的負載、也需要過電壓保護避免敏感電路不受高能負載突 ...
關鍵字：集電極晶體管負載

使用雙極晶體管進行鋰離子電池充電

序言隨著便攜式手持設備(如手機、PDA等)的功能不斷增加，加上對較小體積與更長電池壽命的要求，使得鋰電池成為許多此類設備的首選供電能源。本文將討論線性充電技術與相關的離散調節元件，并重點討論主要離散參數與選擇標準。鋰離子電池充電周期為模擬充電電路中的主要功率損耗，以便選擇正確的元件，我們必須了解鋰離子(Li-Ion)電池的充電周期。圖1 顯示了單個鋰離子電池的典型充電周期。預充電壓閾值(VPRE)、上端電池電極電壓閾值(VT)、以及再充電閾值(VRECHG)，取決于鋰離子電池的種類及不同的生產商。而
關鍵字：模擬技術電源技術 0708_A 雜志_技術長廊晶體管鋰離子模擬IC 電源

Zetex晶體管提升電源功率密度

模擬信號處理及功率管理解決方案供應商Zetex Semiconductors (捷特科) 公司，推出一系列微型NPN及PNP晶體管，以迎合新一代電源設備中MOSFET柵極驅動需求。全新的ZXTN及ZXTP晶體管是首次采用SOT23FF封裝的雙極器件，占板面積為2.5 x 3mm，板外高度只有1mm。它們可提供更低的飽和電壓和更高的電流增益保持，有助于改善電路效率和降低工作溫度。 Zetex亞太區銷售副總裁李錦華表示：“我們最新的雙極晶體管能夠支持20V至1
關鍵字：模擬技術電源技術 Zetex 晶體管電源功率模擬IC 電源

應用材料公司推出Centura Carina Etch系統克服高K介電常數

近日，應用材料公司推出Centura® Carina™ Etch系統用于世界上最先進晶體管的刻蝕。運用創新的高溫技術，它能提供45納米及更小技術節點上采用高K介電常數/金屬柵極(HK/MG)的邏輯和存儲器件工藝擴展所必需的材料刻蝕輪廓，是目前唯一具有上述能力并可以用于生產的解決方案。應用材料公司的Carina技術具有獨一無二的表現，它能達到毫不妥協的關鍵刻蝕參數要求：平坦垂直，側邊輪廓不含任何硅材料凹陷，同時沒有任何副產品殘留物。應用材料公司資深副總裁、硅系統業務
關鍵字：測試測量應用材料晶體管刻蝕 IC 制造制程

飛思卡爾推出最高功率的LDMOS射頻功率晶體管

飛思卡爾半導體日前在IEEE MTT-S國際微波大會上宣布推出全球最高功率的LDMOS射頻功率晶體管。MRF6VP11KH 設備提供130 MHz、1 kW的脈沖射頻輸出功率，具有同類設備最高的排放效率和功率增益。這種超高效率晶體管是飛思卡爾承諾為工業、科技和醫療（ISM）市場提供業界最具創新力的射頻功率解決方案的最新例證。該晶體管的操作電壓為50V，與雙極和MOSFET 設備相比，它具有明顯的優勢。它能夠提供核磁共振成像(MRI)系統、CO2激光器、等
關鍵字：嵌入式系統單片機飛思卡爾 LDMOS 晶體管嵌入式

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晶體管介紹

【簡介】　　晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關，和一般機械開關（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號來控制，而且開關速度可以非常之快，在實驗室中的切換速度可達100GHz以上。　　半導體三極管，是內部含有兩個P [ 查看詳細 ]