葡萄牙新里斯本大學（New University of Lisbon）的研究人員于日前成功研制了全球首款用紙層制成的晶體管，這種晶體管比采用氧化物半導體制成的普通薄膜晶體管（TFT）更具競爭力。
據負責此項研究的Elvira Fortunato和Rodrigo Martins透露，這種新型晶體管具備與采用氧化物半導體制成的薄膜晶體管一樣的性能，紙質晶體管可以用在紙質顯示屏、智能標簽、生物程序和RFID（無線射頻識別）電子標簽等新型電子設備中。雖然目前業界十分看重采用生物高聚物的低成本電子產品
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1．前言
隨著集成電路業工藝的發展，單位面積晶體管的數量急劇增加。按傳統的方法，能滿足芯片功能和時序要求設計的IC設計工程師，產能約為100門/天，要完成 1200萬門的芯片設計需要500人年。設計復用（Design Reuse）技術成為解決問題的有效方法。根據業界經驗，任何模塊如果不作任何修改就可以在10個或更多項目中復用，都應該開發成IP 。基于IP的數字IC設計方法是有效提高設計產能的關鍵技術。IP核又稱IP （Intellectual Property）Core指具有獨立知識產權的電路核
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意法半導體日前推出一款250A表面貼裝的功率MOSFET晶體管，新產品擁有市場上最低的導通電阻，可以把功率轉換損耗降至最低，并提高系統性能。
新產品STV250N55F3是市場上首款整合ST PowerSO-10™ 封裝和引線帶楔焊鍵合技術的功率MOSFET，無裸晶片封裝的電阻率極低。新產品采用ST的高密度STripFET III™ 制程，典型導通電阻僅為1.5毫歐。STripFET III更多優點包括：開關損耗低，抗雪崩性能強。除提高散熱效率外，九線源極連接配置還有助于
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??? 1947年貝爾實驗室肖克萊等人發明晶體管，1958年仙童公司RobertNoyce(羅伯特·諾伊斯)和德州儀器JackKilby(杰克·基爾比)分別發明基于硅和基于鍺的集成電路，1971年英特爾推出1KBDRAM(動態隨機存儲器)，1984年日本推出1MBDRAM和256KBSRAM(靜態隨機存儲器)，在集成電路的技術和工藝的每一次躍變過程中，都離不開半導體設備與材料的不斷推陳出新。
??? 支撐業是集成
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特瑞仕半導體株式會社開發了XCM517 系列內置晶體管600mA 同步整流雙路降壓DC/DC 轉換器。
XCM517 系列是在一個封裝組件中搭載兩個XC9235/XC9236 系列的同步整流降壓DC/DC 轉換器而組成的實裝芯片(IC)。工作電壓范圍從2.7V 到6.0V。內置時鐘控制器分為1.2MHz 和3.0MHz 兩種，可以根據具體應用來選擇合適的工作頻率。工作模式可選擇PWM 控制模式或PWM/PFM 自動轉換控制模式，即使是紋波控制難度較大的產品，也能實現從小負載到大負載的
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就像摩爾定律驅動半導體幾何尺寸的縮小一樣，有關解決半導體可靠性問題的活動也遵循一個似乎有點可以預測的周期。例如，技術演進到VLSI時，為了保持導線的電路速度，引入了鋁線連接。此時，很快就發現了電子遷移這類的可靠性問題。一旦發現了問題所在，就會通過實驗來對退化機制進行建模。利用這些模型，工藝工程師努力使新技術的可靠性指標達到最佳。隨著技術的進一步成熟，焦點轉移到缺陷的降低上面。而隨著ULSI的引入，由于使用了應力硅、銅和低K介電材料等，又開始一輪新周期。
隨著引入的化合物材料的增加，可靠性方面的挑
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飛思卡爾半導體近日揭開了全球首款適用于L波段雷達應用的50V LDMOS RF功率晶體管產品的神秘面紗。這一產品線非常適合于各種高功率RF應用，包括空中交通管理和長射程氣象雷達。?
RF產品線包括MRF6V14300H后期器件和MRF6V10010N驅動。當頻率在1200 － 1400 MHz之間時， MRF6V14300H生成330 W的RF脈沖輸出功率；與競爭性雙極場效晶體管（FET）器件相比，它重新設立了該功率和頻率級的新的效率、增益和熱阻標準。?
先進的RF功率
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2008年5月23日，意法半導體推出VIPer17開關式離線電源轉換器。新產品集成一支800V抗雪崩MOSFET晶體管和多項有助于節省外部組件和提高待機能效的先進功能，新轉換器內置可調設置點，恒流開關操作，能夠配合所有的市電電壓，最高可適用于12W的開關電源（SMPS）設計。
通過集成一個高壓啟動電流電源以及必要的保護功能，VIPer17不再需要外部感應元件和啟動電阻器。保護功能包括精確可調的過壓和超載保護、延時過熱保護和兩級過流保護。故障檢測電路激活轉換器的自動重啟功能，以防浪涌對電源或負載造
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近日，意法半導體（ST）推出一系列創新的絕緣柵雙極晶體管（IGBT），新系列產品采用高效的壽命控制工藝，有效降低關斷期間的能耗。如果設計工程師采用ST的全新IGBT（包括STGxL6NC60D 600V PowerMESH），用于工作頻率超過20kHz的照明等鎮流器節能型電路內，應用的整體功率可望提高到一個新的水平，遠勝標準技術的MOSFET。
開關性能的改進容許設計工程師把IGBT用于以硬開關拓撲和諧振電路為特點的高度競爭力產品。新產品關斷能耗降低，使用很小的緩沖電容器即可在低結溫下工作，帶來
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根據摩爾定律，每18個月（起初是24個月）芯片上的晶體管密度就會翻番，但是前幾年功耗問題曾一度困擾Intel等公司的發展。為此，Intel對摩爾定律進行了大膽的修正，指出摩爾定律是晶體管密度、性能和功耗的折中發展規律。為此，多核開創了一個嶄新的計算時代。
圖1 原摩爾定律不再有助于功耗降低
通常認為，多核設計與優化的處理器相互協同作用，才能帶來芯片能耗降低的地震（圖2）。多年來一直倡導在SoC中進行多核設計，在可配置多核方面獨樹一幟的Tensilica，在多核低功耗方面取得了巨大的突破，產
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英飛凌科技股份公司（IFX： FSE, NYSE）發布兩款面向無線寬帶應用的最新LDMOS射頻功率晶體管，例如在2.5至2.7 GHz頻段上運行的WiMAX應用。這些產品可提供最高達170 W的峰值輸出功率，進一步壯大了英飛凌目前已包括10 W、45 W和130 W器件的面向WiMAX應用的射頻功率晶體管產品陣營。這款LDMOS射頻功率晶體管杰出的峰值功率性能可支持設計師簡化其射頻功率放大器的設計。
英飛凌科技公司副總裁兼射頻功率器件業務部總經理Helmut Volger表示：&ldqu
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北京時間4月21日消息，據美國連線雜志報道，目前，英國研究人員研制世界上最小的電子晶體管，其厚度為1個原子，直徑10個原子。
這項最新研制的新型電子晶體管比之前32納米硅材料電子晶體管小3倍，英國曼徹斯特大學研究人員科斯特亞·諾沃舍羅夫說，“這種電子晶體管可用于任何半導體制造。”他和另一位合著作者將該研究報告發表在《科學》雜志上。
電子晶體管形式的邏輯門可加強計算處理能力。根據摩爾定律，每隔24個月，集成電路上的晶體管的數量將翻番，從而不斷
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前言
自從1947年第一支晶體管的發明，半導體集成電路在二十世紀的后三十年有了一個極大的發展。這個發展極大的推動了世界性的產業革命和人類社會的進步。 今天在我們每個人的日常生活中, 英特網，手機的普及和計算機在各個領域的大量應用，已經使我們進入了信息時代。在這中間起決定性作用的是在硅晶片上工作的CMOS場效應晶體管的發明，它的制造工藝的不斷發展和以它為基礎的超大規模集成電路的設計手段的不斷改進。
圖1是一個最基本的CMOS邏輯門—反向器的物理結構和電路圖。當輸入為邏輯0時它的輸
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近年來地球溫室效應問題引起了公眾的廣泛關注，對節能電子設備的呼聲也越來越高。人們強烈要求所有電子設備所用的電源都要提高效率，節約能耗，要求手機所代表的電池驅動移動產品不僅要有節能的意識，還要能夠提供極高的能效，以延長電池的使用壽命。
各種電子設備的電源由原來的通過變壓器調節電壓方式，演變為開關電源、DC—DC變頻器、逆變器調壓。作為下一代電源，使用DSP對電源實現高精度控制的數字電源正在開發并開始上市。
DC—DC變頻器IC用于調節直流電壓、改變基板電壓。其中開關頻
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1947年第一只晶體管在貝爾實驗室誕生，揭開了電子信息技術發展新紀元。1958年德州儀器公司和仙童公司成功地開發出全球第一顆集成電路。半個世紀以來，微電子技術和集成電路產業的崛起，大大推動了信息產業的發展，促進了經濟繁榮和社會進步。現在，芯片、微處理器、存儲器等集成電路產品，已不再是技術名詞，而是與人們日常生活休戚相關的東西;專業內常用的摩爾定律、晶圓代工線(Foundry)、無制造線集成電路企業(Fabless)、集成器件制造模式(IDM)等已成為社會經濟學界日常討論的內容。當今集成電路技術已進入納
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晶體管介紹
【簡介】
晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關，和一般機械開關（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號來控制，而且開關速度可以非常之快，在實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
半導體三極管，是內部含有兩個P [
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