MOS晶體管表現出理想模型所沒有的各種二階效應。為了設計在現實世界中工作的模擬集成電路，我們需要了解這些非理想因素。在上一篇文章中，我們介紹了基本的MOSFET結構和工作區域。我們討論的模型描繪了一個理想的MOSFET，并且由于其較長的溝道尺寸，對于早期的MOSFET來說是相當準確的。然而，隨后的研究和晶體管的持續小型化都揭示了晶體管行為中的一系列非理想性。本文將介紹這些非理想性的基礎知識以及它們如何影響模擬集成電路中的晶體管性能。寄生電容由于MOSFET的物理實現，在端子結之間形成了以下寄生電容：CGS
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MOSEFT 晶體管
臺積電、英特爾都在規劃如何走向萬億級晶體管。
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晶體管
01 IGBT是什么？IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由（BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場效應管（MOS）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有（MOSFET）金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管（GTR）的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；（因為Vbe=0.7V,而Ic可以很大（跟PN結材料和厚度有關））MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。（因為MOS管有Rds，如果Ids比較大，就會導致Vds很大）IGBT綜合了以
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IGBT 晶體管 基礎知識
IBM在2023年12月早些時候的IEEE國際電子器件會議（IEDM）上展示了首個針對液氮冷卻進行優化的先進CMOS晶體管。納米片晶體管將通道分割成一堆薄硅片，完全被柵包圍。IBM的高級研究員鮑汝強表示：“納米片器件結構使我們能夠在指甲大小的空間內容納50億個晶體管。”這些晶體管有望取代當前的FinFET技術，并被用于IBM的首個2納米原型處理器。納米片技術是邏輯器件逐步縮小的下一步，將其與液氮冷卻技術搭配可能會帶來更好的性能。研究人員發現，在77K的溫度下運行，與在大約300K的室溫條件下運行相比，設備
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IBM 芯片 晶體管
無論是在太空還是在地面，這些基于 GaN 的晶體管都比硅具有新的優勢。
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GaN 晶體管
如今，越來越多的設計人員在各種應用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 電源。氮化鎵很重要，因為它有助于提高功率晶體管的效率，從而減小電源的尺寸并降低工作溫度。如今，越來越多的設計人員在各種應用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 電源。氮化鎵很重要，因為它有助于提高功率晶體管的效率，從而減小電源的尺寸并降低工作溫度。晶體管，無論是由硅還是氮化鎵制成，都不是理想的器件，有兩個主要因素導致其效率下降（在簡化模型中）：一個是串聯電阻，稱為 RDS（ON），另一個是并聯電容器稱為 C
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氮化鎵 晶體管
1947年，當John Bardeen、Walter Brattain和William Shockley成功制造出了世界上第一個能正常工作的晶體管時，他們未曾想到，晶體管如今會成為電子產品的最重要組成部分。晶體管被譽為20世紀最偉大的發明之一，它改進了真空管在功耗和尺寸方面的缺陷，為電子設備的發展奠定了基礎，也為人們帶來了便捷高效的數字化生活。1947年，當John Bardeen、Walter Brattain和William Shockley成功制造出了世界上第一個能正常工作的晶體管時，他們未曾想到，
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新思科技 晶體管
如果您施加一個足夠高的電壓 V IN以正向偏置基極-發射極結，電流將從輸入端流過 R B，通過 BE 結，到達地。我們稱之為 I B。電流還將從 5 V 電源流經 R C，流經晶體管的集電極到發射極部分，流到地。稱之為I C。假設 I C足夠小以在集電極端留下相對較高的電壓——足夠高的電壓，即保持基極-集電極結反向偏置。假設我們正在使用一個簡單的電路，該電路由一個 npn雙極結型晶體管(BJT) 和幾個電阻器組成，連接方式如下：如果您施
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晶體管
2023 年 5 月 24 日，中國—— 意法半導體的STL120N10F8 N溝道100V功率MOSFET擁有極低的柵極-漏極電荷(QGD)和導通電阻RDS(on)，優值系數 (FoM) 比上一代同類產品提高40%。 新推出的MOSFET利用ST的STPOWER STripFET F8先進技術，引入氧化物填充溝槽工藝，集極低的導通損耗和低柵極電荷于一身，實現高效的開關性能。因此，STL120N10F8的最大導通電阻 RDS(on)為 4.6mΩ（在 VGS = 10V 時），高效運行頻率達到6
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意法半導體 STripFET F8 晶體管 優值系數
MOS 晶體管正在按比例縮小，以限度地提高集成電路內的封裝密度。這導致氧化物厚度的減少，進而降低了 MOS 器件的閾值電壓。在較低的閾值電壓下，漏電流變得很大并有助于功耗。這就是為什么了解 MOS 晶體管中各種類型的漏電流至關重要。MOS 晶體管正在按比例縮小，以限度地提高集成電路內的封裝密度。這導致氧化物厚度的減少，進而降低了 MOS 器件的閾值電壓。在較低的閾值電壓下，漏電流變得很大并有助于功耗。這就是為什么了解 MOS 晶體管中各種類型的漏電流至關重要。在我們嘗試了解各種漏電流成
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MOS 晶體管
晶體管是一個簡單的組件，可以使用它來構建許多有趣的電路。在本文中，將帶你了解晶體管是如何工作的，以便你可以在后面的電路設計中使用它們。一旦你了解了晶體管的基本知識，這其實是相當容易的。
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晶體管
本系列連載將介紹電力電子相關的基礎知識和各種小知識。本系列涉及到的內容很廣泛，涵蓋從基礎知識到應用部分的豐富內容，希望能夠幫到那些“至今不好意思問別人，但又拿不準自己是否已經理解了”的人。第一個應該了解的要數“晶體管”了。“晶體管”在電子制作領域是非常常用的易用器件，尤其是在使用Arduino等微控制器控制LED和電機時，晶體管是不可或缺的重要器件。但是，對于電子制作初學者來說，掌握晶體管的使用方法有點難。剛開始電子制作時使用的元器件，比如電池、LED、電阻器和開關等，幾乎都是兩個引腳，而晶體管卻有三個引
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ROHM 晶體管
模擬 EE 世界失去了一顆明星。Jim 的數百篇文章、書籍和應用筆記是（并將繼續是）信息、靈感和看到大師輕松解決棘手設計難題的喜悅的無底泉源，所有這些都包含在令人愉快的寫作風格中。這里介紹的設計思想源自他發表在 AN45測量和控制電路集（夜班尿布和設計）第 7 頁的電路之一。模擬 EE 世界失去了一顆明星。Jim 的數百篇文章、書籍和應用筆記是（并將繼續是）信息、靈感和看到大師輕松解決棘手設計難題的喜悅的無底泉源，所有這些都包含在令人愉快的寫作風格中。這里介紹的設計思想源自他發表在 AN45測量和控制電路
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晶體管 VBE 振蕩器
IT之家 12 月 11 日消息，眾所周知，傳統集成電路技術使用平面展開的電子型和空穴型晶體管形成互補結構，從而獲得高性能計算能力，但這種晶體管密度的提高主要是靠縮小單元晶體管的尺寸來實現。例如，大家最常見的案例就是半導體行業的高精度尺寸微縮，從 14>10nm>7nm>5nm（不代表實際柵距）這樣一直按照 0.7 的倍率不斷迭代。據復旦大學微電子學院官方公告，該學院教授周鵬、研究員包文中及信息科學與工程學院研究員萬景團隊繞過 EUV 工藝，研發出性能優異的異質 CFET 技術
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復旦大學 晶體管
晶體管介紹
【簡介】
晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關，和一般機械開關（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號來控制，而且開關速度可以非常之快，在實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
半導體三極管，是內部含有兩個P [
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