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晶體管集成電路構(gòu)成的穩(wěn)壓電源電路

晶體管集成電路構(gòu)成的穩(wěn)壓電源電路
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晶體管集成電路構(gòu)成的穩(wěn)壓電源電路（續(xù)）

晶體管集成電路構(gòu)成的穩(wěn)壓電源電路（續(xù)）
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通用變頻器采用晶體管輸入信號圖

通用變頻器采用晶體管輸入信號圖見圖所示。由于晶體管可以用很小的基流電流控制，所以可使信號傳輸距離增加。圖通用變頻器采用晶體管輸入信號圖...
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晶體管恒流偏置電路

晶體管恒流偏置電路通常，當(dāng)RL?R時，流過光敏電阻的電流基本不變，此時的偏置電路稱為恒流電路。然而，光敏電阻自身的阻值已經(jīng)很高，再滿足恒流偏置的條件就難以滿足電路輸出阻抗的要求，為此，可引入如圖2-13所示的晶體管恒...
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晶體管放大電路的頻率特性

晶體管放大電路的頻率特性一：頻率特性簡述（1）：由于放大電路中存在電抗元件C，因此它對不同頻率呈現(xiàn)的阻抗不同，所以放大電路對不同頻率成分的放大倍數(shù)和相位移不同。放大倍數(shù)與頻率的關(guān)系稱為幅頻關(guān)系；相位與頻率的關(guān)系稱為...
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晶體管水平掃描電路的掃描電壓線性改進(jìn)電路圖

晶體管水平掃描電路的掃描電壓線性改進(jìn)電路圖
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晶體管與LC回路構(gòu)成的晶頻電路圖

晶體管與LC回路構(gòu)成的晶頻電路圖
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晶體管溫度補償電路圖

溫度升高，電流增大，NTC熱敏電阻阻值下降，Ub下降，Ib減小，穩(wěn)定晶體管靜態(tài)工作點。
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氮化鎵（GaN）晶體管設(shè)備越薄越冷

　　伊利諾伊大學(xué)研究人員開發(fā)出新的氮化鎵(GaN)熱控制方法　　GaN晶體管比傳統(tǒng)的硅晶體管具有更高的功率密度，可以在較高溫度下運行(500℃以下)，但像所有半導(dǎo)體那樣，GaN晶體管也產(chǎn)生過多的熱量，這會限制他們的性能。　　基于散熱器和風(fēng)扇的冷卻方法增加成本和體積。現(xiàn)在，一個來自伊利諾伊大學(xué)微納米技術(shù)實驗室的研究團隊創(chuàng)造了一種新的方法，他們聲稱該方法簡單而且低成本。　　采用計算機輔助設(shè)計，坎·拜拉姆的團隊已經(jīng)證明，GaN層的厚度在過熱中起很大作用，影響設(shè)備的熱預(yù)期和最終性能。
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晶體管或穩(wěn)壓器并聯(lián)后可以取消散熱器

引言雙極結(jié)型晶體管(BJT)看起來像老式的電子元件，但由于具有低成本和卓越參數(shù)的優(yōu)點，它們可以解決許多問題。我們可以發(fā)現(xiàn)過去由于這些元件太高成本而不可能實現(xiàn)的新應(yīng)用，比如我們可以在某些情況下用多個并聯(lián)的小
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1nm晶體管現(xiàn)身！

　　以物理學(xué)規(guī)則來看，電晶體的最小尺寸被認(rèn)為是5奈米，但透過采用碳奈米管制作電晶體閘極，這個極限已經(jīng)被突破… 　　碳奈米管從過去幾十年就已經(jīng)用于制作實驗性電晶體，但大多是當(dāng)做電晶體通道(channel);美國勞倫斯柏克萊國家實驗室(Lawrence Berkeley National Laboratory)的研究人員則是以奈米碳管制作閘極(gate)，并因此實現(xiàn)了號稱全世界最小的電晶體。　　　　采用二硫化鉬(molybdenum disulfide)通道與單奈米
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1nm晶體管能否改寫摩爾定律的命運？

隨著芯片技術(shù)的發(fā)展，摩爾定律所預(yù)言的發(fā)展軌跡似乎已逼近終點。這意味著，固守傳統(tǒng)思路的芯片制造商將舉步維艱。
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計算技術(shù)界的重大突破：1nm晶體管誕生

晶體管的制程大小一直是計算技術(shù)進(jìn)步的硬指標(biāo)。晶體管越小，同樣體積的芯片上就能集成更多，這樣一來處理器的性能和功耗都能會獲得巨大進(jìn)步。
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晶體管介紹

【簡介】　　晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關(guān)，和一般機械開關(guān)（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號來控制，而且開關(guān)速度可以非常之快，在實驗室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。　　半導(dǎo)體三極管，是內(nèi)部含有兩個P [ 查看詳細(xì) ]