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無源器件 文章 進入無源器件技術社區

如何選擇一個合適的電感?

  • 電感器——又稱扼流器、電抗器、動態電抗器。與電容器、電阻器一起被稱為三大被動元件,繼電容器、電阻器之后迅速發展實現片式化的元件。基本原理自感現象:當流經導體本身的電流發生變化時會產生的電磁感應現象。用金屬導線做成線圈,流經線圈的電流發生變化時,會產生很明顯的電磁感應現象,線圈自感應反向電動勢阻礙電流的變化,起到平穩電流的作用。具體地,如果電感器在沒有電流通過的狀態下,電路接通時它將試圖阻礙電流流過它;如果電感器在有電流通過的狀態下,電路斷開時它將試圖維持電流不變。從能量角度看就是,電感器能把電能轉儲為磁能
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超強總結|電容的27種電路應用

  • 1、濾波電容濾波電容接在直流電壓的正負極之間,以濾除直流電源中不需要的交流成分,使直流電平滑,通常采用大容量的電解電容,也可以在電路中同時并接其它類型的小容量電容以濾除高頻交流電。2、退耦電容退耦電容并接于放大電路的電源正負極之間,防止由電源內阻形成的正反饋而引起的寄生振蕩。3、旁路電容在交直流信號的電路中,將電容并接在電阻兩端或由電路的某點跨接到公共電位上,為交流信號或脈沖信號設置一條通路,避免交流信號成分因通過電阻產生壓降衰減。4、耦合電容在交流信號處理電路中,用于連接信號源和信號處理電路或者作為兩放
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恒流二極管是什么鬼?

  • 01恒流二極管二極管是一種有極性的兩端電子元件,它在單個方向上傳導電流并阻止電流在另一個方向上流動,因為在一個方向上,它的電阻理想地為零,而在另一個方向上它是無限的。這些組件包括兩個端子,一個陽極和一個陰極。根據 PN 結二極管、齊納二極管、恒流二極管、肖特基二極管、發光二極管等要求,可以在各種電氣和電子項目中使用不同種類的二極管。本文下面討論了其中一種二極管恒流二極管及其應用。一、什么是恒流二極管?用于將電流限制或改變到設備最高值的二極管稱為恒流二極管或CCD。該二極管也稱為電流調節二極管或 CRD 和
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為何晶振并聯一個1MΩ電阻?晶振低溫不起振如何解決?

  • 無源晶振并聯一個1MΩ電阻電路圖問題描述:在一些方案中,晶振并聯1MΩ電阻時,程序運行正常,而在沒有1MΩ電阻的情況下,程序運行有滯后及無法運行現象發生。原因分析:在無源晶振應用方案中,兩個外接電容能夠微調晶振產生的時鐘頻率。而并聯1MΩ電阻可以幫助晶振起振。因此,當發生程序啟動慢或不運行時,建議給晶振并聯1MΩ的電阻。這個1MΩ電阻是為了使本來為邏輯反相器的器件工作在線性區, 以獲得增益, 在飽和區不存在增益, 而在沒有增益的條件下晶振不起振。簡而言之,并聯1M電阻增加了電路中的負性阻抗(-R),即提升
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二極管選型指南

  • 1正向導通壓降壓降:二極管的電流流過負載以后相對于同一參考點的電勢(電位)變化稱為電壓降,簡稱壓降。導通壓降:二極管開始導通時對應的電壓。正向特性:在二極管外加正向電壓時,在正向特性的起始部分,正向電壓很小,不足以克服PN結內電場的阻擋作用,正向電流幾乎為零。當正向電壓大到足以克服PN結電場時,二極管正向導通,電流隨電壓增大而迅速上升。反向特性:外加反向電壓不超過一定范圍時,通過二極管的電流是少數載流子漂移運動所形成反向電流。由于反向電流很小,二極管處于截止狀態。反向電壓增大到一定程度后,二極管反向擊穿。
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單片機晶振為什么不起振?

  • 雖然現在嵌入式的應用非常多,但是單片機的應用也還有非常多的應用之處。尤其是一些成本要求非常高的地方。本文將就常見的晶振問題加以說明和介紹。單片機晶振不起振原因分析遇到單片機晶振不起振是常見現象,那么引起晶振不起振的原因有哪些呢?(1) PCB板布線錯誤;(2) 單片機質量有問題;(3) 晶振質量有問題;(4) 負載電容或匹配電容與晶振不匹配或者電容質量有問題;(5) PCB板受潮,導致阻抗失配而不能起振;(6) 晶振電路的走線過長;(7) 晶振兩腳之間有走線;(8) 外圍電路的影響。解決方案,建議按如下方
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濾波電容怎么選?選多大容值?

  • 電源濾波電容如何選取,掌握其精髓與方法,其實也不難。理論上理想的電容其阻抗隨頻率的增加而減少(1/jwc),,但由于電容兩端引腳的電感效應,這時電容應該看成是一個LC串連諧振電路,自諧振頻率即器件的FSR參數,這表示頻率大于Fsr(串聯諧振頻率)值時,電容變成了一個電感(頻率超過Fsr電容此時呈感性),如果電容對地濾波,當頻率超出Fsr后,對干擾的抑制就大打折扣,所以需要一個較小的電容并聯對地,可以想想為什么?電容器,高頻等效模型原因在于小電容,Fsr值大,對高頻信號提供了一個對地通路,所以在電源濾波電路
  • 關鍵字: 濾波電容  無源器件  

高性能計算市場大漲,不起眼的元器件價值量提升8倍

  • 隨著高性能計算(HPC)系統,特別是 AI 服務器的市場規模不斷擴大,其核心處理器,包括 CPU、GPU、NPU、ASIC、FPGA 等,以及內存、網絡通信等芯片元器件的性能和功耗水平都在提升。隨著性能提升,功率管理水平的提升顯得更加重要,因為 HPC 系統,特別是 AI 服務器的耗電量越來越大,對整個系統,以及主要芯片的功率管理能力提出了更高要求。在 AI 服務器中,CPU 需要供電,GPU 板卡需要供電,內存(DDR4、DDR5、HBM)需要供電,各種接口也需要供電。此時,電源管理系統就顯得非常重要了
  • 關鍵字: 無源器件  芯片電感  

MOS管基礎及選型指南

  • MOS管,即金屬(Metal)—氧化物(Oxide)—半導體(Semiconductor)場效應晶體管,是一種應用場效應原理工作的半導體器件。和普通雙極型晶體管相比,MOS管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態范圍大、功耗小、易于集成等優勢,在開關電源、鎮流器、高頻感應加熱、高頻逆變焊機、通信電源等高頻電源領域得到了越來越普遍的應用。▉ 場效應管分類場效應管分為結型(JFET)和金屬-氧化物-半導體型(MOSFET)兩種類型。JFET的英文全稱是Junction Field-Effect Transistor,也
  • 關鍵字: MOS管  無源器件  模擬電路  

如何區分有源晶振與無源晶振

  • 我們知道,電子線路中的晶體振蕩器分為無源晶振和有源晶振兩種類型。無源晶振與有源晶振的英文名稱不同,無源晶振為crystal(晶體),而有源晶振則叫做oscillator(振蕩器)。無源晶振 有源晶振一、無源晶振無源晶振一般有兩個引腳,無極性。它自身無法震蕩起來,一般外部都接有兩個10-22PF的瓷片電容。無源晶振參考電路無源晶振信號質量較差,通常需要精確匹配外圍電路(用于信號匹配的電容、電感、電阻等),更換不同頻率的晶體時周邊配置電路也需要做相應的調整。一般建議采用精度較高的石英晶體,盡可能不要采用精度低
  • 關鍵字: 晶振  無源器件  

浪涌保護器件介紹

  • 壓敏電阻、氣體放電管、TVS管(瞬間抑制二極管)三種器件都限壓型的浪涌保護器件,都被用來在電路中用作浪涌保護,那么他們有什么之間有什么差異呢?壓敏電阻壓敏電阻的響應時間為ns級,比氣體放電管快,比TVS管稍慢一些,一般情況下用于電子電路的過電壓保護其響應速度可以滿足要求。壓敏電阻的結電容一般在幾百到幾千PF的數量級范圍,很多情況下不宜直接應用在高頻信號線路的保護中,應用在交流電路的保護中時,因為其結電容較大會增加漏電流,在設計防護電路時需要充分考慮。TVS管TVS和齊納穩壓管都能用作穩壓,但是齊納擊穿電流
  • 關鍵字: 浪涌保護器件  無源器件  

三極管電路,分析有方法

  • 三極管有靜態和動態兩種工作狀態。未加信號時三極管的直流工作狀態稱為靜態,此時各極電流稱為靜態電流,給三極管加入交流信號之后的工作電流稱為動態工作電流,這時三極管是交流工作狀態,即動態。一個完整的三極管電路分析有四步:直流電路分析、交流電路分析、元器件和修理識圖。01 直流電路分析方法直流工作電壓加到三極管各個電極上主要通過兩條直流電路:一是三極管集電極與發射極之間的直流電路,二是基極直流電路。通過這一步分析可以搞清楚直流工作電壓是如何加到集電極、基極和發射極上的。如圖所示,是放大器直流電路分析示
  • 關鍵字: 三極管  無源器件  電路分析  

二極管導通AB兩端的控制條件藏在A中,而三極管卻是藏在C中。

  • 1.單向開關二極管,連接AB兩端的管子。像一個開關,閉合導通,斷開分離。二極管中的PN結充當開關的閥門。AB兩端的壓差超過0.7V時,開關打開,管子導通。值得注意的是,二極管導通AB兩端的控制條件藏在A中,而三極管卻是藏在C中。對器件爛熟于于心,最好的方式莫過于搞懂他的曲線,這,是他的一生!下圖清晰地呈現了二極管的閉合條件:超過閾值電壓0.7V,兩極的電流陡然增加,通了!同時,也呈現了損壞條件:給足反向電壓,同樣會使PN結導通(反向導通),對普通二極管而言,這是一種不可逆轉的破壞。正向導通,稱為正偏,此時
  • 關鍵字: 二極管  無源器件  

解析三極管的電阻位置

  • 三極管用作開關時的常見電阻配置,如下圖所示。本文嘗試解析為何這些電阻要放置在這個位置,而不是那個位置。在其位,謀其職。電阻R11)產生基級電流Ib【三極管是流控型器件】流控在于,其輸出電流IC和IB具有關系IC=β*IB2)限流【串聯電阻的主要作用就是限流】電阻R31)跟R1組合形成基級分壓回路,用于產生開啟電壓(比5V小,有些管子耐受電壓較小)2)提供一個電壓泄放回路(如果VDD的5V有浪涌的話)電阻R41)產生發射級電流IC2)限流進一步,為什么R4要放在三極管上面,也就是C級,而不是E級?看一張圖,
  • 關鍵字: 三極管  無源器件  電路設計  

X-FAB最新的無源器件集成技術擁有改變通信行業游戲規則的能力

  • 全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)近日宣布,新增集成無源器件(IPD)制造能力,進一步增強其在射頻(RF)領域的廣泛實力。公司在歐洲微波展(9月17至22日,柏林)舉辦前夕推出XIPD工藝;參加此次活動的人員可與X-FAB技術人員(位于438C展位)就這一創新進行交流。X-FAB XIPD晶圓上的電感器測試結構XIPD源自廣受歡迎的X-FAB XR013 130nm RF SOI工藝——該技術利用工程基底和厚銅金屬化層,讓客戶能夠在其器
  • 關鍵字: X-FAB  無源器件  晶圓代工廠  
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無源器件介紹

  無源器件   在不需要外加電源的條件下,就可以顯示其特性的電子元件。無源元件主要是電阻類、電感類和電容   無源器件類器件,它的共同特點是在電路中無需加電源即可在有信號時工作。   電阻   電流通過導體時,導體內阻阻礙電流的性質稱為電阻。在電路中起阻流作用的元器件稱為電阻器,簡稱電阻。電阻器的主要用途是降壓、分壓或分流,在一些特殊電路中用作負載、反饋、耦合、隔離等。   電阻在電路 [ 查看詳細 ]

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