為什么電容通高頻阻低頻？解釋一：電容器有一個充放電的時間問題。當交流電的正半周，給電容器充電的瞬間，電路是有電流流過的，相當于通路，一旦電容器充電完畢，則電路就沒有電流流過了，相當于斷路。當交流電的負半周到來時，又將產生電流，先抵消掉原來充在電容上的那個相反的電荷，再繼續充電至充滿。現在假設電容器需要的充電時間t一定，則當一個頻率較高的交流電正半周結束時，假設電容器容量夠大，還未充滿電，負半周就到來了，則電路會一直流著電流，相當于電容器對這個高頻的交流電來說，是通路的。如果這個交流電的頻率較低，正半周將電
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輸入側的電解電容計算我們一般按照在最低輸入電壓下，最大輸出的情況下，要求電解電容上的紋波電壓低于多少個百分點來計算。當然，如果有保持時間的要求，那么需要按照保持時間的要求重新計算，二者之中，取大的值。假如在最低輸入電壓下，電源的輸入功率為Pin，最低輸入交流電壓有效值為Vinacmin，那么我們一般認為此時整流后的直流電壓為Vinmin=1.2×Vinacmin，由于在交流兩次充電周期間，對后面變換器的供電都是由電容儲能來保證的，那么電壓跌落是可以計算出來的：C×ΔV=I×Δt，ΔV是電壓紋波，一般取Vi
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9月25日消息，美國分立半導體和無源元件制造商Vishay Intertechnology（威世科技）宣布了重組計劃，包括關閉三家制造工廠和裁員約800人。根據Vishay的官方聲明，被關閉的工廠包括位于中國上海的二極管封裝工廠，以及位于德國菲希特爾貝格和美國威斯康星州密爾沃基的兩家電阻器工廠。這些工廠的關閉預計將于2026年底完成，生產轉移將于2025年第四季度開始。此次重組將導致Vishay減少約365名直接員工，精簡其銷售、一般和行政職能，約170名員工將受到影響，制造運營和生產轉移也將導致制造和生
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前言肖特基二極管是重要的電子元器件，因為其承載著保護電路的重要作用，所以顯得格外的不可或缺，我們都知道在選擇肖特基二極管時，主要看它的正向導通壓降、反向耐壓、反向漏電流等。但我們卻很少知道其在不同電流、不同反向電壓、不同環境溫度下的關系是怎樣的，在電路設計中知道這些關系對選擇合適的肖特基二極管顯得極為重要，尤其是在功率電路中。知道其特性，對于我們的使用也更加得心應手，下面這篇文章將帶你一起去探索神秘的肖特基二極管特性。正向導通壓降與導通電流的關系在肖特基二極管兩端加正向偏置電壓時，其內部電場區域變窄，可以
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無論是硬件DIY愛好者還是維修技術人員，你能夠說出主板、聲卡等配件上那些小元件叫做什么，又有什么作用嗎？如果想成為元件（芯片）級高手的話，掌握一些相關的電子知識是必不可少的。譬如在檢修某硬件時用萬用表測量出某個電阻的阻值已為無窮大，雖然可斷定這個電阻已損壞，但由于電腦各板卡及各種外設均沒有電路圖（只有極少數產品有局部電路圖），故并不知電阻在未損壞時的具體阻值，所以就無法對損壞元件進行換新處理。可如果您能看懂電阻上的色環標識的話，您就可知道這個已損壞電阻的標稱阻值，換新也就不成問題，故障自然也就會隨之排除。
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我們都知道電容是電路中使用量最多的器件，我們經常接觸的電容是陶瓷電容、鋁電解電容、鉭電解電容。我們電路設計越來越多的是以MCU、CPU為核心的數字電路設計，周邊的時鐘、電源電路。所以我們以這三種電容為主。因為數字電路，所以有大量的數字電路輸出的“0”“1”翻轉導致，需要大量的去耦電容。圖中開關Q的不同位置代表了輸出的“0”“1”兩種狀態。假定由于電路狀態裝換，開關Q接通RL低電平，負載電容對地放電，隨著負載電容電壓下降，它積累的電荷流向地，在接地回路上形成一個大的電流浪涌。隨著放電電流建立然后衰減，這一電
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鉭（tan），英文名是Tantalum ，主要存在于鉭鐵礦中，同鈮共生。鉭有非常出色的化學性質，具有極高的抗腐蝕性。鉭是一種過渡金屬元素，化學符號為 Ta，原子序數為 73。它具有一些獨特的物理和化學性質，使其在許多高科技和工業應用中非常重要。以下是鉭元素的一些關鍵特性和全球儲存情況的介紹：鉭的特性高熔點：鉭的熔點高達 3017°C，使其在高溫應用中非常有價值。抗腐蝕性：鉭對許多化學物質具有很強的抵抗力，包括酸和堿，這使其在化工和醫療領域廣泛應用。高密度：鉭的密度為 16.65 g/cm3，接近黃金的密度
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二極管的參數解釋常規參數：正向壓降、反向擊穿電壓、連續電流、反向漏電等；交流參數：開關速度、反向恢復時間、截止頻率、阻抗、結電容等；極限參數：最大耗散功率、工作溫度、存貯條件、最大整流電流等。一、常規參數1、正向導通壓降壓降：二極管的電流流過負載以后相對于同一參考點的電勢（電位）變化稱為電壓降，簡稱壓降。導通壓降：二極管開始導通時對應的電壓。正向特性：在二極管外加正向電壓時，在正向特性的起始部分，正向電壓很小，不足以克服PN結內電場的阻擋作用，正向電流幾乎為零。當正向電壓大到足以克服PN結電場時，二極管正
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?極管種類有很多，按照所用的半導體材料，可分為鍺?極管（Ge管）和硅?極管（Si管）。根據其不同用途，可分為檢波?極管、整流?極管、穩壓?極管、開關?極管等。按照管芯結構，?可分為點接觸型?極管、?接觸型?極管及平?型?極管。點接觸型?極管是??根很細的金屬絲壓在光潔的半導體晶?表?，通以脈沖電流，使觸絲?端與晶?牢固地燒結在?起，形成?個“PN結”。由于是點接觸，只允許通過較?的電流（不超過??毫安），適?于?頻?電流電路，如收?機的檢波等。面接觸型?極管的“PN結”?積較?，允許通過較?的電流（?安到
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1、二極管的定義二極管是一種具有兩端（陽極和陰極）的電子元件，它允許電流在一個方向上流動，而在另一個方向上阻止電流流動。這種特性使二極管在電路中起到整流、保護、開關等作用。二極管（英語：diode）又稱二極體，是一種具有不對稱電導的兩個端子（陰陽二極接線端，故名“二極”）的電子器件；此二極使其原則上僅允許電流作單方向傳導，它在一個方向為低電阻（理想情況下是零），高電流，而在另一個方向為高電阻。現今，二極用半導材料。 借由二極管的特性，在電力工程上常用作整流器（將交流電變成直流電）；在電子工程上常
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一. 元器件選型基本原則a 普遍性原則所選的元器件要是被廣泛使用驗證過的，盡量少使用冷門、偏門芯片，減少開發風險。 b 高性價比原則在功能、性能、使用率都相近的情況下，盡量選擇價格比較好的元器件，降低成本。 c 采購方便原則盡量選擇容易買到、供貨周期短的元器件。 d 持續發展原則盡量選擇在可預見的時間內不會停產的元器件。 e 可替代原則盡量選擇pin to pin兼容芯片品牌比較多的元器件。f 向上兼容原則盡量選擇以前老產品用過的元器件。 g 資源節約原則盡量用上元器件的全部功能和管腳。芯片的選型過程是對
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關于三極管，我相信每個搞硬件的應該都有看過基本原理，現在我們算是溫故而知新，那么最好是帶著問題去看。這里準備了幾個問題，我們帶著這幾個問題往下看。· 集電結為何會發生反偏導通并產生Ic，這看起來與二極管原理強調的PN結單向導電性相矛盾。· 放大狀態下集電極電流Ic為什么會只受控于電流Ib而與電壓無關；即：Ic與Ib之間為什么存在著一個固定的放大倍數關系。雖然基區較薄，但只要Ib為零，則Ic即為零。· 飽和狀態下，Vc電位很弱的情況下，仍然會有反向大電流Ic的產生。以上這三點，都是為什么？很多教科書對于這部
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電容是電路設計中最為普通常用的器件，是無源元件之一，有源器件簡單地說就是需能(電)源的器件叫有源器件，無需能(電)源的器件就是無源器件。電容的作用和用途一般都有好多種，如：在旁路、去耦、濾波、儲能方面的作用；在完成振蕩、同步以及時間常數的作用……下面來詳細分析一下：隔直流：作用是阻止直流通過而讓交流通過。旁路（去耦）：為交流電路中某些并聯的元件提供低阻抗通路。旁路電容：旁路電容，又稱為退耦電容，是為某個器件提供能量的儲能器件。它利用了電容的頻率阻抗特性，理想電容的頻率特性隨頻率的升高，阻抗降低，就像一個水
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電阻1概念電阻元件的電阻值大小一般與溫度，材料，長度，還有橫截面積有關，衡量電阻受溫度影響大小的物理量是溫度系數，其定義為溫度每升高1℃時電阻值發生變化的百分數。導體的電阻通常用字母R表示，電阻的單位是歐姆（ohm），簡稱歐，符號是Ω（希臘字母，讀作Omega)，1Ω=1V/A。比較大的單位有千歐（kΩ）、兆歐（MΩ）（兆=百萬，即100萬）。1TΩ=1000GΩ；1GΩ=1000MΩ；1MΩ=1000KΩ；1KΩ=1000Ω（也就是一千進率）串聯： R=R1+R2+．．．+Rn定義式：R=U/I電阻元件
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電容器，作為電子領域中的基礎元件，以其獨特的工作原理在電路中發揮著多重作用。本文將從多個方面詳細解析電容器在電路中的各種應用及其重要性。濾波作用電容器常被用作濾波器，特別是在直流電源電路中。它們被接在直流電壓的正負極之間，目的是濾除直流電源中不需要的交流成分，從而使直流電變得更加平滑。為了達到更好的濾波效果，通常會使用大容量的電解電容，同時也可以在電路中并接其他類型的小容量電容來濾除高頻交流電。退耦作用在放大電路中，電容器還能起到退耦的作用。它們被并接在放大電路的電源正負極之間，這樣可以防止由電源內阻形成
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無源器件介紹
無源器件
在不需要外加電源的條件下，就可以顯示其特性的電子元件。無源元件主要是電阻類、電感類和電容
無源器件類器件，它的共同特點是在電路中無需加電源即可在有信號時工作。
電阻
電流通過導體時，導體內阻阻礙電流的性質稱為電阻。在電路中起阻流作用的元器件稱為電阻器，簡稱電阻。電阻器的主要用途是降壓、分壓或分流，在一些特殊電路中用作負載、反饋、耦合、隔離等。
電阻在電路 [
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