- ●? ?無需焊接或探針，即可輕松準確地測量寬禁帶功率半導體裸片的動態特性●? ?是德科技夾具可在不損壞裸片的情況下實現快速、重復測試●? ?寄生功率回路電感小于10nH，實現干凈的動態測試波形是德科技在寬禁帶半導體裸片上實現動態測試是德科技增強了其雙脈沖測試產品組合，使客戶能夠從寬禁帶（WBG）功率半導體裸芯片的動態特性的精確和輕松測量中受益。在測量夾具中實施新技術最大限度地減少了寄生效應，并且不需要焊接到裸芯片上。這些夾具與是德科技的兩個版本的
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是德科技 寬禁帶半導體 裸片 動態測試
- 禁帶寬度和電場強度越高，器件越不容易被擊穿，耐壓可以更高；熱導率和熔點越高，器件越容易散熱，也更容易耐高溫；電子遷移率越高，器件的開關速度也就越快，因此可以做高頻器件。不難看出，SiC和GaN器件在高溫、高壓、高頻應用領域的顯著優勢。半導體迄今為止共經歷了三個發展階段：第一代半導體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代半導體是以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為主的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高
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寬禁帶半導體
- 力科近日宣布推出新的DL-ISO 1 GHz高壓光隔離探頭和功率器件測試軟件，與高精度示波器 (HDO) 結合使用時，可提供最準確的氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 功率半導體器件的電氣特性表征。三十多年來，工程師們一直在使用硅 (Si) 金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 和絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 功率半導體器件來生產電源和功率轉換系統。然而，消費者需要體積更小、重量更輕的電源和系統，而政府要求更高的效率。寬禁帶 (WBG) 材料，例如GaN 和 SiC，開關速度比 Si
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力科 寬禁帶半導體
- 英飛凌將顯著擴大寬禁帶（碳化硅和氮化鎵）半導體的產能，進一步鞏固和增強其在功率半導體市場的領導地位。公司將斥資逾20億歐元，在馬來西亞居林工廠建造第三個廠區。建成之后，新廠區將用于生產碳化硅和氮化鎵功率半導體產品，每年可為英飛凌創造20億歐元的收入。
此次擴建是英飛凌根據公司半導體生產制造長期戰略而做出的決策，居林工廠在200毫米晶圓生產方面所取得的規模經濟效應為該項目打下了良好的基礎。英飛凌位于菲拉赫和德累斯頓的300毫米晶圓廠奠定了公司在半導體市場的領導
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英飛凌 寬禁帶半導體 產能
- 據看看新聞網報道，目前，英諾賽科（蘇州）半導體有限公司項目主體施工已經完成。資料顯示，英諾賽科寬禁帶半導體項目總投資68.55億元人民幣，注冊資本20億元，占地368.6畝，主要建設從器件設計，驅動IC設計開發，材料制造，器件制備，后段高端封測以及模塊加工的全產業鏈寬禁帶半導體器件制造平臺。建成后將成為世界一流的集研發、設計、外延生產、芯片制造、分裝測試等于一體的第三代半導體全產業鏈研發生產平臺。據規劃，項目開工后兩年內投產，投產后三年實現年產78萬片功率控制電路及半導體電力電子器件的總目標，年銷售收入約
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英諾賽科 寬禁帶半導體
- 寬禁帶半導體材料也被稱為第三代半導體材料(一代和二代分別為硅、鍺)，其帶隙大于或等于2.3 eV。寬禁帶半導體材料一般具有電子漂移飽和速度高、介電常數小、導電性能好等特點，受到了研究者廣泛研究。傳統的寬禁帶半導體有SiC、GaN、ZnO和Ga2O3等，以及其他II-VI組化合物材料。這類寬禁帶材料具有短波吸收、高擊穿電壓等特點，因此在發光二極管(LEDs)與激光二極管(LDs)領域具有巨大的應用前景。此外，隨著近些年太陽能電池(SCs)的迅猛發展，寬禁帶半導體材料開始在太陽能電池領域發揮重要作用。比如
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寬禁帶半導體
- 第一代半導體材料是元素半導體的天下，第一代半導體材料是化合物半導體材料，然而隨著半導體器件應用領域的不斷擴大，特別是特殊場合要求半導體能夠在高溫、強輻射、大功率等環境下依然堅挺，第一、二代半導體材料便無能為力，于是賦予使命的第三代半導體材料——寬禁帶半導體材料誕生了。
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寬禁帶半導體 SiC
- 現代電子產品的基礎是半導體器件，因此半導體器件的性能就決定了整個電子產品的性能，所謂半導體就是導電性能介于導體和絕緣體之間的物理器件。最開始時，人們對這些物質并不感興趣，后來才發現半導體的獨特性能，有導體和絕緣體不可替代的優勢。最常見的半導體器件是二極管，其他所有的半導體器件都是建立在此基礎之上的。 原子結構和半導體器件 導體之所以導電是因為其內部有容易活動的自由電子，自由電子在電場的作用下開始運動，這個運動就是電流。物質都是由原子組成，每個原子都由原子核和繞在其外面的軌道的自由電子組成，一般從外
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相控陣雷達 寬禁帶半導體
- 報告起因
國內上市公司紛紛涉足寬禁帶半導體,我們從三大維度看好:實現國家戰略層面的彎道超車:半導體行業實現技術升級以及股票層面將形成板塊效應,我們此前的三安光電報告是市場第一篇詳細描述化合物半導體的深度報告。此行業報告也是市場上領先的深度梳理寬禁帶半導體行業的報告。
核心觀點
寬禁帶半導體材料性能突出,有望替代Si 基半導體:電和光的轉化性能突出,在微波信號傳輸方面的效率更高,可被廣泛應用到照明、顯示、通訊等各個領域。
碳化硅將在功率器件領域快速發展,市場空間上百億美元:1)S
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寬禁帶半導體
寬禁帶半導體介紹
固體中電子的能量具有不連續的量值，電子都分布在一些相互之間不連續的能帶上。價電子所在能帶與自由電子所在能帶之間的間隙稱為禁帶或帶隙。所以禁帶的寬度實際上反映了被束縛的價電子要成為自由電子所必須額外獲得的能量。硅的禁帶寬度為1.12電子伏特(eV)，而寬禁帶半導體材料是指禁帶寬度在2.3eV及以上的半導體材料，典型的是碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、金剛石等材料。寬禁帶半導體材料是被稱為第三代半 [
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