近日，復旦大學團隊研發出一種名為“破曉（PoX）”的皮秒級閃存器件，其擦寫速度達到亞納秒級別，比現有技術快1萬倍，數據保存年限據實驗外推可達十年以上。相關研究成果已登上國際頂級期刊《Nature》。該項目由復旦大學集成芯片與系統全國重點實驗室、芯片與系統前沿技術研究院的周鵬-劉春森團隊完成。周鵬教授現任復旦大學微電子學院副院長，長期致力于集成電路新材料與新器件的研究。劉春森博士為青年研究員，與周鵬教授共同擔任論文通訊作者。傳統閃存器件中，硅材料的性能受限于電子有效質量和聲子散射等因素，導致熱載流子注入效率
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復旦大學 閃存
4 月 2 日消息，復旦大學集成芯片與系統全國重點實驗室周鵬、包文中聯合團隊成功研制全球首款基于二維半導體材料的 32 位 RISC-V 架構微處理器“無極”。據介紹，該成果突破二維半導體電子學工程化瓶頸，首次實現 5900 個晶體管的集成度，并在國際上實現二維邏輯芯片最大規模驗證紀錄，是由復旦團隊完成、具有自主知識產權的國產技術，使我國在新一代芯片材料研制中，占據先發優勢。“反相器是一個非常基礎且重要的邏輯電路，它的良率直接反映了整個芯片的質量。”復旦大學微電子學院教授周鵬介紹，二維材料不像硅晶圓可以通
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全球首發 復旦大學 二維半導體芯片 無極
異質異構Chiplet正成為后摩爾時代AI海量數據處理的重要技術路線之一，正引起整個半導體行業的廣泛關注，但這種方法要真正實現商業化，仍有賴于通用標準協議、3D建模技術和方法等。然而，以拓展摩爾定律為標注的模擬類比芯片技術，在非尺寸依賴追求應用多樣性、多功能特點的現實需求，正在推動不同半導體材料的異質集成研究。為此，復旦大學微電子學院張衛教授、江南大學集成電路學院黃偉教授合作開展了Si CMOS+GaN單片異質集成的創新研究，并在近期國內重要會議上進行報道。復旦大學微電子學院研究生杜文張、何漢釗、范文琪等
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復旦大學 Si CMOS GaN 單片異質集成
從復旦大學自然語言處理實驗室獲悉，國內首個對話式大型語言模型MOSS已由邱錫鵬教授團隊發布至公開平臺（ https://moss.fastnlp.top/ ），邀公眾參與內測。復旦MOSS公開后，引起不少網友關注，由于瞬時訪問壓力過大，MOSS服務器昨晚還被網友擠崩潰了。從MOSS官網獲悉，官方發布公告稱，團隊最初的想法只是將MOSS進行內測，以便進一步優化， 沒想到會引起這么大關注，我們的計算資源不足以支持如此大的訪問量， 并且作為學術團隊也沒有相關工程經驗，造成不好的體驗向大家致歉
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復旦大學 moss 開源 ChatGPT
IT之家 12 月 11 日消息，眾所周知，傳統集成電路技術使用平面展開的電子型和空穴型晶體管形成互補結構，從而獲得高性能計算能力，但這種晶體管密度的提高主要是靠縮小單元晶體管的尺寸來實現。例如，大家最常見的案例就是半導體行業的高精度尺寸微縮，從 14>10nm>7nm>5nm（不代表實際柵距）這樣一直按照 0.7 的倍率不斷迭代。據復旦大學微電子學院官方公告，該學院教授周鵬、研究員包文中及信息科學與工程學院研究員萬景團隊繞過 EUV 工藝，研發出性能優異的異質 CFET 技術
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復旦大學 晶體管
近日，復旦大學微電子學院教授盧紅亮（通訊作者）領導的團隊首次結合硬模板法、原子層沉積技術和水熱工藝，在低功耗MEMS器件上原位合成了單層有序SnO2納米碗支化ZnO納米線的多級異質復合納米材料，并以此作為氣體傳感器，對濃度低至1ppm的硫化氫實現了超靈敏和高選擇性的探測。相關成果以《Hierarchical highly ordered SnO2 nanobowls branched ZnO nanowires for ultrasensitive and selective hydrogen sulfi
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復旦大學 新型氣敏材料 MEMS氣敏器件
硅芯片是當代信息技術的核心，當前正向“深度摩爾”（More Moore）和“超越摩爾”（More than Moore）兩個方向發展。物聯網（IoT）應用是“超越摩爾”技術路線中相當重要的一環，需要數量巨大的集成電路芯片來分析處理來自外部傳感器件的海量信號。目前，大多數傳感信號采集器件和信號處理單元均為分離設計，將在整體上產生更大功耗并占據更大的空間。由此，復旦大學材料科學系教授梅永豐課題組提出了將信號檢測和分析功能集成于同一個芯片器件中的全新概念。作為演示，研究團隊將單晶硅薄膜柔性光電晶體管與智能薄膜材
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近日，復旦大學面向國家重大戰略需求，加快集成電路人才培養邁出重要一步。“集成電路科學與工程” 博士學位授權一級學科點將于2020年試點建設，并啟動博士研究生招生。
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復旦大學 集成電路 產業創新
近日，聯想與復旦大學管理學院聯合舉辦的“智慧 讓城市更美好——2019智慧城市論壇”隆重召開。并在論壇上透露，位于張江科學城內的聯想上海研發中心擴建項目一期已完成封頂，預計年底竣工，明年投入使用，將涵蓋智慧+功能。
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近日，復旦大學與華為簽署戰略合作協議。雙方將圍繞國家創新驅動發展戰略，在聯合科研創新、人才培養與交流、智慧校園建設等方面開展更深層次的合作。
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復旦大學 華為 戰略合作協議
集成電路技術是信息社會的基礎，也是國家綜合實力的關鍵標志之一。為了加快集成電路領域關鍵核心技術的攻關，加強集成電路"卡脖子"技術領域人才培養，國家發改委、工信部、教育部根據《國家集成電路發展推進綱要》和《教育部等七部門關于加強集成電路人才培養的意見》，積極推進在中央高校建設國家集成電路產教融合創新平臺。近日，教育部發文，正式批復同意復旦大學承擔的"國家集成電路產教融合創新平臺"項目可研報告。
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上海復旦微電子集團股份有限公司 1998年7月，由復旦大學“專用集成電路與系統國家重點實驗室”、上海商業投資公司和一批夢想創建中國最好的集成電路設計公司(芯片設計)的創業者聯合發起創建了復旦微電子。MCU主要產品有：16位微控制器和基于Arm
Cortex-M0內核的32位微控制器產品。 深圳市富滿電子集團股份有限公司 是一家從事高性能模擬及數模混合集成電路設計研發、封裝、測試和銷售的國家級高新技術企業。目前擁有電源管理、LED驅動、MOSFET等涉及消費領域IC產品四百余種。MCU主要產品
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據谷歌黑板報公布，5月31日，Google 在上海與復旦大學簽署兩年期合作協議，宣布成立復旦大學-谷歌科技創新實驗室，建立戰略合作關系。 復旦大學常務副校長桂永浩教授、校長助理徐雷教授、Google大中華區總裁石博盟(Scott Beaumont)、Google大中華區公共政策與政府事務經理張弘、Google中國教育合作部經理朱愛民等出席了簽約儀式。 基于此次簽署的協議，Google將重點支持復旦大學在人工智能、數據科學、移動應用等新興科技領域的課程和創新科技聯合實驗室建設，并支持中美青年創客交流
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近日，復旦大學微電子學院教授張衛、周鵬團隊實現了具有顛覆性的二維半導體準非易失存儲原型器件，開創了第三類存儲技術，解決了國際半導體電荷存儲技術中“寫入速度”與“非易失性”難以兼得的難題。
據了解，目前半導體電荷存儲技術主要有兩類，第一類是易失性存儲，例如計算機中的內存，掉電后數據會立即消失;第二類是非易失性存儲，例如人們常用的U盤，在寫入數據后無需額外能量可保存10年。前者可在幾納秒左右寫入數據，第二類電荷存儲技術需要幾微秒到幾十微秒才能把數據保存
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美國當地時間2月11日，2018國際固態電路會議(ISSCC 2018)在舊金山舉行，202篇來自學術界和產業界的前沿成果論文在這一集成電路設計領域的頂級學術會議中向全世界發布。由復旦大學微電子學院無線集成電路與系統(WiCAS)課題組和腦芯片研究中心模擬與射頻集成電路設計團隊研發的兩項成果雙雙亮相，分別以論文《面向窄帶物聯網NBIOT應用的緊湊型雙頻段數字式功率放大器》(“A Compact Dual-Band Digital Doherty Power Amplifier Using Parall
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