安森美半導體還規劃提供尺寸小至0.6 mm x 0.3 mm x 0.3 mm的0201 CSP封裝的ESD器件，保護單條線路，每條線路所占平面面積僅為0.18 mm2。

　　采用安森美半導體半導體保護元件的USB 2.0高速應用保護示例

　　USB 2.0接口在便攜設備中的應用范圍非常普及，在用戶的日常使用中也有著極高的使用頻率，故需要為高速的USB接口提供可靠的ESD保護。圖2顯示的是速度達480 Mbps的USB 2.0高速應用在帶識別(ID)線路及不帶ID線路兩種情況下的簡明結構示意圖。

　　圖2：USB 2.0高速(480 Mbps)應用結構示意圖。

　　以帶ID線路的圖2 a)為例，應用中需要以電容小于1 pF、小封裝的器件保護3條極高速數據線路(D+、D-和ID)及1條大功率線路(Vbus)。針對這樣的保護需求，既可以采用分立保護方案，如使用3顆ESD9L加1顆ESD9X，也可以采用集成保護方案，如1顆NUP3115UP或NUP4114UP(有1條線路未連接)。

　　而在圖2 b)的應用中，需要以電容小于1 pF、小封裝的器件保護2條極高速數據線路及1條大功率線路(Vbus)。針對這樣的保護需求，同樣既可以采用分立保護方案，如使用2顆ESD9L加1顆ESD9X、1顆ESD7L加1顆ESD9X或1顆ESD11L加1顆ESD9X，也可以使用集成保護方案，如1顆NUP2114UP或1顆NUP4114UP(保護2個USB端口)。

　　總結：

　　手機、數碼相機等便攜產品中的眾多位置可能遭受ESD脈沖的影響并損壞其中特征尺寸越來越小、越來越敏感的集成電路，進而影響系統的可靠性。最有效的ESD保護方法是在便攜設備的連接器或端口處放置外部保護元件。測試表明，硅TVS二極管比聚合物和壓敏電阻等無源元件的鉗位性能更優異，而安森美半導體的硅保護元件更是優于性能最接近的競爭器件。安森美半導體身為全球領先的高性能、高能效硅解決方案供應商，為便攜設備的大功率、高速和極高速應用領域提供豐富的高性能硅保護元件系列，其中不少都是當今業界的領先產品。這些領先產品以極小的封裝提供極低的電容和極低鉗位電壓，非常適合保護USB 2.0高速及HDMI等極高速應用。同時，客戶得益于安森美半導體豐富的硅保護元件系列，能夠為其USB 2.0高速等應用靈活地選擇及搭配安森美半導體的硅保護元件，滿足他們的不同應用需求。