此外，便攜設備可能遭受多次的ESD電壓應力，這在中國北方地區表現得猶為顯眼。因為，外部保護元件在多種ESD應力條件的性能猶為重要，直接決定著便攜產品的可靠性。因此，同樣可以對壓敏電阻、聚合物和硅ESD二極管等保護元件在Tesec直流測試條件下測試，每個元件都施以總計2,000次的15 kV接觸放電ESD脈沖(正向及負向各1,000次)，每兩次脈沖的時間間隔為0.1秒。表2所示的測試結果顯示，安森美半導體的硅集成ESD保護元件在多重應力條件下仍然維持極佳的性能，而競爭器件要么損壞，要么性能退化較嚴重。

　　表2：Tesec直流測試條件下不同ESD外部保護元件在多重應力后的性能比較。

　　安森美半導體高性能ESD外部保護元件概覽

　　如表1所示，安森美半導體為便攜設備的大功率、高速和極高速等應用領域均提供一系列的高性能硅ESD保護元件，滿足不同應用需求。其中，安森美半導體的ESD11L、ESD11N、NUP4016(用于極高速應用)，ESD11B、NUP4xxxP5(用于高速應用)更是當今業界領先的產品。

　　例如，NUP4016具備每條I/O線路0.5 pF的超低電容，非常適用于保護通用串行總線(USB) 2.0高速(480 Mbps)和高清多媒體接口(HDMI) (1.65 Gbps)等高速接口。ESD11L5.0D將安森美半導體的超低電容技術集成至3引腳封裝中，以0.5 pF電容保護兩條高速數據線路，為設計人員提供保護USB 2.0端口的D+和D-線路的單個器件解決方案;ESD11L5.0D也能夠連接陰極至陰極，以0.25 pF電容保護單條雙向線路，非常適用于保護高頻射頻(RF)天線線路。

　　NUP4016和ESD11L5.0D都能在數納秒時間內將15千伏(kV)輸入ESD波形鉗位至不足8伏(V)，為當今對ESD敏感的集成電路(IC)提供最高保護水平。這些硅器件沒有無源技術的磨損問題，在經過多次浪涌事件如ESD等后，可靠性和性能都不受影響。

　　值得一提的，安森美半導體的這些高性能硅保護不僅提供極低電容和極低鉗位電壓，更采用極小的封裝，是需要在超薄封裝中提供優異保護性能的便攜產品的極佳保護器件。如NUP4016采用極小的1.0 mm x 1.0 mm x 0.4 mm SOT-953封裝保護4條高速數據線路，是如今市場上最薄的高速通信接口用ESD保護器件。

　　ESD11L5.0D采用超小型1.0 mm x 0.6 mm x 0.37 mm SOT-1123封裝，與采用SOT-723封裝的市場上同類解決方案相比，占位面積小50%，厚度低20%，是如今市場上最薄的高速通信、USB 2.0數據和電源線路和保護用ESD器件。