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三星宣布投產40納米8Gb融合閃存芯片

作者: 時間:2009-03-13 來源:電子產品世界 收藏
        電子宣布,采用40nm工藝的Flex-OneNAND融合式閃存已經投產,容量也達到了8Gb。Flex-OneNAND是在2007年研發成功的一種新型閃存技術,將單層SLC NAND和多層MLC NAND整合在了一塊硅片上,有利于減少PCB占用空間、降低傳送噪聲、最大化地提高性能和效率。

        稱,通過采用40nm新工藝和8Gb大容量,Flex-OneNAND閃存的生產效率可比上一代60nm 4Gb提高最多180%。40nm Flex-OneNAND當前主要面向智能手機,不過三星認為今年底就會走入全高清電視、網絡電視(IPTV)和其他高端應用領域,而且隨著數據傳輸率的提高,會有越來越多的高端手機集成1GB乃至32GB嵌入式內存。

本文引用地址:http://www.j9360.com/article/92342.htm


關鍵詞: 三星 芯片

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