IBM周一宣布，已生產出首個22納米工藝SRAM（靜態存儲器）單元。

　　據國外媒體報道，SRAM芯片是半導體產業試驗新工藝的設備，速度更快、體積更小且技術更復雜，主要負責在數據被處理之前暫時存儲數據。

　　IBM認為SRAM芯片的生產是縮小整個微處理器體積的重要一步。SRAM芯片將使22納米處理器性能大幅提高，并減少耗電。

　　IBM希望，到2011年能夠制造出22納米制程處理器。IBM研究機構副總裁陳博士表示：“隨著處理器內核數量增多，人們對微處理器中存儲器的需求也在日漸增加。為滿足市場需求，我們會不斷地向下一代半導體技術挺進。”

　　去年9月，Intel曾公開展示了32納米SRAM芯片，預計今年秋季可能會交出首顆32nm處理器原型。由此可見，要想與22納米工藝SRAM芯片見面，還需等待多時。

　　IBM則表示，其32納米工藝進展順利，制作過程中將使用業界領先的32nm High-K金屬柵極技術，可超過任何企業和聯盟。