KLA-Tencor 公司（納斯達克股票代碼：KLAC）今天宣布推出 eS35 電子束偵測系統，該系統能夠以大幅提升的速度檢測和分類更小的物理缺陷，以及更細微的電子缺陷。eS35 屬于 KLA-Tencor 的第十代電子束偵測系統，它具備更高的靈敏度，改善了單機檢查和分類，并且顯著加強了吞吐能力，以提高 4Xnm 和 3Xnm 設備的良率。

　　KLA-Tencor 的電子束技術部集團副總裁兼總工程師 Zain Saidin 表示：“電子束偵測對于捕獲和發現最小缺陷以及只能通過它們的電子特征檢測到的缺陷至關重要。但是，隨著晶片廠開始研究 4Xnm 和 3Xnm 節點，他們反映現在的電子束偵測系統無法持續捕獲某些缺陷類型——例如 DRAM 中的高縱橫比電容底部的微小殘留物、先進閃存中的細微位線橋接，或邏輯設備中的表面下短路或管線連接。作為電子束偵測技術的領袖，我們能夠利用我們的經驗和資源解決此問題，這不僅是通過改進電子束系統本身，而且還通過領先業界的光學偵測系統的專用圖像分析計算技術來加以解決。因此，我們開發出了靈敏度和吞吐能力均無可比擬的下一代電子束工具，讓晶片廠能夠以高靈敏度在線內操作該檢測設備。eS35 旨在讓我們的客戶能夠盡可能快速和高效地生產他們的下一代設備。”

　　eS35 擁有明顯更高的電子束電流密度、更小的像素和更快的數據速率，可提高最小缺陷捕獲率，且其吞吐能力是上一代系統——業界領先的 eS32 的二至四倍。這些改善得益于更低的噪聲基底和先進的算法，從而在整個晶片的每個芯片區獲得最大的靈敏度。由于具備更高的靈敏度和業界最廣泛的電子束條件和預掃描條件選擇，讓 eS35 能夠在最大的缺陷類型和材料范圍內捕獲缺陷。

　　eS35 捕獲有代表性的缺陷群之后，新的強化單機檢查功能可提供關鍵缺陷的高解析度圖像。基于規則的分類應用程序采用 KLA-Tencor 光學偵測系統中的算法，對缺陷進行高精度和高純度分類。分類結果被編制成為缺陷帕雷托排列圖，缺陷或良率工程師可依據此圖來矯正缺陷偏移根源，同時盡量降低對在制品的影響。

　　eS3x 系列電子束偵測系統廣為先進晶片廠所采用，并獲得極大成功。KLA-Tencor 在此基礎上開發出的 eS35 系統，將提供給亞洲、美國和歐洲的內存和邏輯芯片客戶。該系統目前用于 6Xnm 和 5Xnm 設備生產、4Xnm 改善和 3Xnm 開發，捕獲前端層和后端層上的各類缺陷。

　　關于 KLA-Tencor：KLA-Tencor 是專為半導體和相關微電子行業提供制程控制及良率管理解決方案的全球領先供應商。該公司總部設在美國加州的圣何塞市，銷售及服務網絡遍布全球。KLA-Tencor 躋身于標準普爾 500 強公司之一，并在納斯達克全球精選市場上市交易，其股票代碼為 KLAC。有關該公司的更多信息，請訪問 http://www.kla-tencor.com。

　　eS35 技術摘要

　　業界領先的缺陷捕獲率

　　靈敏度
　　
　　eS35 電子束偵測 (EBI) 系統推出了多項技術改善，提高了對限制良率的電子缺陷和細小物理缺陷的捕獲率。電子束密度較前代系統提高了 2.5 倍，其更小的束斑尺寸和硬件增強可全面降低噪聲基底，提供更高的密度，解決最小的物理缺陷和最細微的電壓對照 (VC) 問題。算法從 KLA-Tencor 的明區檢測儀獲得，這能降低噪聲，并為芯片的各個部分帶來更高靈敏度，從而獲得更高的關鍵缺陷百分比。其結果是，缺陷圖顯示出對于電子測試圖的更強相關性。

　　更廣的捕獲缺陷類型

　　業界最廣泛的電子束條件（電子束電流、Wehnelt 電壓、沉淀能量）與更寬廣的預掃描條件選擇相結合，讓 eS35 能夠處理的材料和層范圍廣度位居業界之冠。

　　系統性缺陷檢測

　　由于系統性缺陷可能對良率產生重大的影響，eS35 采用了 KLA-Tencor 的 ?LoopTM 專利技術。無論是否提供測試晶片，?Loop 代理都能更快地檢測系統性缺陷，其優越性尤其體現在邏輯和閃存設備的上面。

　　更快生成可操作缺陷帕雷托排列圖

　　吞吐能力

　　數據速率提高到 800 mpps，更高的電子束電流支持采用更大像素檢測， eS35 偵測系統的吞吐能力是前代系統的二至四倍。更快的速度可以支持更高靈敏度的操作，或更具有統計意義的可靠抽樣，以實現更嚴格的制造控制。

　　缺陷檢查和分類

　　改善的單機檢查圖像質量和新的缺陷分類算法讓工程師能夠快速找到并解決缺陷問題。更好的檢查圖像質量支持更快速的配方調校，并成為更準確缺陷分類的基礎。基于規則的分類與最近鄰近算法相結合，將提高分類純度和精度；同時，基于電路結構的實時分類算法自動將 VC 缺陷按照具體的微結構歸類。