富士通微電子（上海）有限公司今天宣布推出一款用于消費類數字電子產品的低功耗256Mbit消費類電子產品FCRAM(1)，型號為MB81EDS256545。這款新型FCRAM產品為低功耗，系統封裝(SiP)(2)設計的理想產品，自今日起提供樣片。該款產品的特性是擁有64bit位寬的I/O口及使用低功耗DDR SDRAM接口，其數據吞吐速度相當于兩個擁有16bit位寬I/O口的DDR2 SDRAM(3)，同時能減少最大約1瓦特(1W) (約70%)(4)的功耗，從而降低了消費類數字電子產品的功耗。該款產品是適用于低功耗消費類電子產品(如數字電視和可攜式攝像錄像機)的理想產品。

圖 1: 新型FCRAM和DDR2 SDRAM的功耗比較

圖 2: SiP 使用新型FCRAM的優點

　　近年來電子元件在性能和集成度方面的發展越來越高，推動了消費類數字電子產品發展，伴隨而來的是如何解決散熱的問題，于是開發了小封裝芯片并努力提高消費類電子產品的省電性能。產業發展促進了市場對低功耗元器件的需求。
 
　　富士通微電子新型FCRAM特點是，其數據吞吐速度相當于兩個擁有16bit位寬I/O口的DDR2 SDRAM器件，而耗電卻降低70%，約1W。FCRAM的強大省電能力降低了消費類電子產品的功耗，同時更好的散熱能力不僅能簡化產品開發而且能降低元件成本。

　　富士通微電子預測該存儲器可取代傳統的RAM，用于要求低功耗的消費類數字電子產品，如數字電視及可攜式攝像錄像機等，是實現產品價值和成本降低的理想解決方案。

　　樣片價格和提供

　　銷售目標
　　
　　每月一百萬片

　　產品特點

　　1.數據傳輸時與DDR2 SDRAM相比，功耗最大減少了約為1W

　　DDR2 SDRAM和其它高速存儲器接口要求終端電阻 (5)在運行時保持信號穩定，這樣導致消耗更多的電流。這款新產品使用64bit位寬的I/O口在較低的工作頻率下運行，不再需要終端電阻。其數據吞吐速度與兩個擁有16bit位寬的I/O口的DDR2 SDRAM相當，同時實現功耗減少70%，約1W (見圖1)。

　　2.兩倍于DDR2 SDRAM的高速大規模圖像數據處理能力

　　該產品擁有64bit位寬的I/O口和高達216 MHz的工作頻率，每秒的最大數據吞吐量為3.46G字節(3.46 GBps)，是典型DDR2 SDRAM的兩倍，適用于處理圖像/視頻數據和其它需要高帶寬的數據，如數字電視等。

　　3.專為SiP設計的存儲器節省了貼裝空間

　　產品設計把邏輯芯片集成到SiP，從而縮減了電路板上的貼裝空間，進而降低元件和板材成本。除為SiP集成提供晶圓外形外，富士通微電子(FML)的新型FCRAM還可用于晶圓級封裝(WLP)(6) (見圖 2)。

　　MB81EDS256545的主要規格