而對于非連續導電模式(DCM)或CRM而言，要實現更高的效率，建議的策略如下：

　　·優化電感磁芯，以降低磁芯損耗和高頻繞組損耗；

　　·選擇更低的Rds-on開關；

　　·不須過于在意升壓二極管的選擇。

　　圖2a和2b別顯示了安森美半導體NCP1606和NCP1654在不同功率和模式應用下的能效。其中，從圖2a我們可以看出，它在CRM工作模式時，輕載狀態下的能效更高，因為輕載時開關損耗較低。

　　而在主開關電源段，要提高其能效，可采取以下策略：

　　·降低初級側的導電損耗。具體的做法是：降低導通阻抗(更高開關損耗)和/或降低初級側峰值電流及均方根(RMS)電流；
　　·降低開關損耗(考慮軟開關技術)；

　　·次級側損耗：減少整流器壓降(使用低Vf二極管或FET整流器)；

　　·降低磁芯損耗：采用更好的材料。

　　針對計算機高能效電源解決方案的需求，安森美半導體近期還推出了率先滿足美國能源之星對臺式計算機ATX電源性能要求的300W GreenPoint ATX參考設計。該參考設計在高電壓輸入時可以達到86.5%的滿載高能效，在20%負載和低電壓輸入時則達82.5%能效，和目前市場上常見平均 70%能效的電源比較，該設計可以降低電源損耗達50%。此外，安森美半導體的ATX參考設計還符合IEC61000-3-2功率因數要求。

　　如前所述，電子電器設備的待機能耗非常驚人，世界各地的相關法規也非常之多。作為產業鏈上游的半導體公司，也積極運用各種技術來幫助降低電源的待機功耗。

　　而要解決待機能耗問題，同樣必須搞清楚損耗在哪里。在電源電路中，通常的待機損耗來自啟動電路、驅動電路、開關損耗、偏置電路、輸出整流器、磁性元件等。電源管理芯片可以通過集成一些功能和技術，針對上述待機損耗來源制定相應對策來實現待機功能。以安森美半導體為例，常見的待機技術有跳周期、頻率回走等。