為了實現產品多樣化，臺灣晶圓廠聯華電子（UMC，簡稱聯電）有意利用自己的65納米和45納米技術進軍CPU和NAND閃存產品的生產領域。聯電稱他們正在洽談一宗CPU生產協議，但對于出擊大容量閃存市場的問題則顯得出言謹慎。

聯電首席執行官胡國強稱聯電“難以忽視”發展迅速的閃存市場，因此計劃在NAND、NOR和SRAM領域追逐訂單，但不會涉足DRAM（內存）市場。胡國強不愿透露具體細節，但暗示聯電不會在目前激烈混戰的閃存產品市場涉足過深。

“NAND和NOR的價格起伏太大了，所以我們對此不得不深思熟慮，”胡國強在接受采訪時說。“很明顯，高端、高密度領域很具挑戰性，需要的投資很大而技術變化速度也更快一點。”

胡國強承認NOR閃存產品市場的機會有限，這可能導致他們會擴大在嵌入式NOR閃存市場的業務，即類似于他們和Cypress Semiconductor在今年三月時達成的協議。Cypress計劃將自己0.13微米S8嵌入閃存技術和下兩代嵌入式閃存技術都轉讓給聯電。此外，聯電還將為Cypress生產更先進的SRAM，成為業界首個用65納米處理技術生產的同類產品。

在CPU領域，看起來聯電采取了一種較聰明的做法，避免了參與正處于流血價格戰的CPU市場所必需的重大資源投資。“坦白說，如果將目標定在臺式機用的高端絕緣硅技術，這個目標對我們來說比較難以達成，”胡國強說。“所以我們會使用標準CMOS(bulk-CMOS)技術，生產性能較低的處理器。”

聯電目前正開發一種65納米的絕緣硅工藝，預計今年內推出。“我們相信順著這條路走下去的將是32納米，屆時絕緣硅的重要性將越來越大，所以從技術開發的角度來看，我們需要有這種知識和經驗，”他說。

聯電還計劃今年下半年為幾個客戶試產45納米技術，而嘗鮮使用這種先進技術的有FPGA生產商和圖形芯片設計商。另外，手機芯片設計者為了降低成本，也會迅速采用45納米技術。“（采用45納米技術）肯定會有高性能和低能耗這些邊際效益，但最主要的原因還是降低成本，”胡國強說。

和在向130納米轉移時一樣，胡國強稱45納米的升級也充滿挑戰，原因在于采用了新的材料和設備。聯電在130納米技術上遭遇了比主要對手更多的挫折，但在90納米上他們又恢復了元氣。“由于有130納米的慘痛經驗，行業現在謹慎得多了。不過在我看來，45納米成功的機會比以前要高得多，”他說。

雖然現在的風氣是組團開發新工藝，但聯電將繼續走獨立開發的道路。“技術開發并非團隊運動，”胡說。“組團開發有自己的限制，因為每家公司都有自己的優先任務。”

盡管如此，胡國強稱集成器件制造商(IDM)和晶圓廠未來會更緊密合作是不可避免的，原因是新工藝的開發和晶圓廠的建設成本越來越高，但不等于要共同開發，反而是共同開發工藝和產品標準，確保設備能在通用晶圓廠中大量生產。

胡國強還談到了晶圓代工廠行業的整合問題，稱這種陣痛是必需的。聯電目前正密切留意一些表面看起來似乎毫無關系的發展項目，例如三星擴大晶圓代工業務的可能性、印度對芯片制造業表現出來的濃厚興趣以及中芯國際(SMIC)推出的“芯片廠租用”模式等。“現在出現的一些事情結果如何還有待觀察，”他說。“但我真是覺得在成熟工藝上產能過大了，因為在過去幾年里，中國大陸等地方一擁而上興建了多座晶圓廠。但現在他們應該意識到，建廠很容易，找到訂單滿足產能才是難事。”

胡國強稱聯電希望“臺灣政府”能批準他們加強與子公司“和艦科技”的合作，借此提高自己在大陸市場的份額。聯電擁有這座座落在蘇州的晶圓廠15%的股份，但一直未能完全收入旗下，因為這座工廠使用的0.18微米技術屬于“臺灣政府”限制出口的技術。雖然聯電會再次提出申請，但胡國強對短期內獲批并不樂觀。不過，一旦聯電能與和艦正式合作，他們會考慮收購這家晶圓廠。