近日，富士通半導體(上海)有限公司市場部經理蔡振宇介紹了FRAM(鐵電存儲器)產品在應用中的獨特優勢。擁有15年FRAM量產經驗的富士通半導體，用“多、快、省”形象地概括出FRAM的特點。“多”指的是FRAM的高讀寫耐久性(1萬億次)的特點，可以頻繁記錄操作歷史和系統狀態;“快”指的是FRAM的高速燒寫(是EEPROM的40000倍)特性，這可以幫助系統設計者解決突然斷電數據丟失的問題;“省”是FRAM超低功耗(是EEPROM的1/1,000)特性，特別是寫入時無需升壓。

　　因此，采用串行接口的FRAM可以替代EEPROM或串行閃存，而采用并行接口的FRAM產品可以代替低功耗SRAM或PSRAM (Pseudo SRAM)。在封裝方面，目前FRAM基本可以直接替換EEPROM，FRAM的封裝和EEPROM的封裝是完全兼容的。

　　由于掌握著從FRAM的研發、設計到量產及封裝的整個流程，加上多年的經驗，富士通半導體因而能保證FRAM產品的品質和穩定供貨，并且產品線相當寬泛，容量從4Kb到4Mb，涵蓋SPI和I2C串行接口、并行接口?，F在該公司已經在著手研發8Mb、16Mb的產品。

　　另悉，富士通半導體的FRAM最開始是以日本國內應用為主，后來逐漸拓展至醫療、智能儀表、工業自動化設備等多元化應用領域。現在，該公司的FRAM主要包括三大類(單體FRAM、RFID和內嵌FRAM的認證芯片)，在很多領域實現了批量應用。