臺積電采購EUV 2018年或邁入7納米時代
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編者按：按照現在量產產品工藝進展的速度，幾乎可以預見的是，2018年上7納米的愿望很美好，但是實際情況卻困難重重，幾乎是不太可能的事，即便在技術上能實現，在商業上來看也不能算是理性的選擇。
歐洲半導體設備大廠ASML透露，晶圓代工大廠臺積電(TSMC)計劃在2015年采購兩套超紫外光(EUV)掃描機，或將探底至7納米的工藝技術節點。
本文引用地址：http://www.j9360.com/article/266782.htm根據ASML資深副總裁FritsvanHout的描述，臺積電采購的EUV掃描機是針對10納米工藝應用。他預期，臺積電可能最快在2018年以采購ASML的EUV掃描機展開7納米工藝芯片量產。
在11月24日舉行的倫敦法說會上，ASML宣布接獲臺積電2臺NXE：3350BEUV系統訂單，預計于2015年出貨，用于量產。ASML表示，業界可能會開始傾向于支持EUV技術。
臺積電在2012年8月便曾表示，同意投資ASML約85.4億元，以確保取得最新的量產技術知識。此次采用EUV設備，臺積電可能成為下一代半導體微影主流技術的第一波推動者。
臺積電共同執行長劉德音說，他希望該套設備能在2015年年底準備好試產，并在2016年正式生產。
ASML估計邏輯電路會最早使用EUV工藝，將在2016年的10納米節點上實現量產，NAND閃存會在2019開始啟用EUV工藝，DRAM及MPU產品則會在2018年進入EUV時代。如果一切順利，ASML預計2020年前會出貨50臺~60臺EUV設備，營收達到120億美元。
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