a一级爱做片免费观看欧美,久久国产一区二区,日本一二三区免费,久草视频手机在线观看

新聞中心

EEPW首頁 > EDA/PCB > 業界動態 > Cadence為臺積電16納米FinFET+ 制程推出一系列IP組合

Cadence為臺積電16納米FinFET+ 制程推出一系列IP組合

作者: 時間:2014-10-08 來源:電子產品世界 收藏

  全球知名的電子設計創新領導者設計系統公司今日宣布為16納米+ 制程推出一系列IP組合。 所提供的豐富IP組合能使系統和芯片公司在16納米FF+的先進制程上相比于16納米FF工藝,獲得同等功耗下15%的速度提升、或者同等速度下30%的功耗節約。

本文引用地址:http://www.j9360.com/article/263607.htm

  目前在開發16 FF+工藝的過程中,的IP產品組合包括了在開發先進制程系統單芯片中所需的多種高速協議,其中包括關鍵的內存、存儲和高速互聯標準。IP將在2014年第四季度初通過測試芯片測試。有關IP產品和銷售時間的詳細信息,客戶可聯系Cadence當地的銷售人員

  Cadence在今天還宣布了其針對16納米+制程的數字實現、簽收和定制/模擬設計工具已獲得認證,詳細內容,請點擊Click here

  設計基礎架構市場部高級總監李碩表示:“我們16納米+制程對于下一代單芯片設計至關重要,它們平衡了設計中性能、功耗和面積的難題。作為臺積電長期可信任的合作伙伴,我們相信在這一新制程被廣泛采用的過程中,Cadence提供的驗證過的工具和IP會扮演非常重要的作用。”

  Cadence高級副總裁和IP部門總經理Martin Lund指出:“我們針對16納米FinFET+制程的豐富IP組合將使設計團隊能快速進入下一代系統單芯片的設計、并體驗到新FinFET制程的性能和功耗優勢。”



關鍵詞: Cadence 臺積電 FinFET

評論


相關推薦

技術專區

關閉