新的碳化硅 (SiC) MOSFET器件與SiC功率模塊相輔相成，顯著提升高壓應用的系統效率，并提供最大功效，幫助客戶開發更輕、更小、更可靠的系統設計

致力于提供功率、安全、可靠與高性能半導體技術方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 推出全新碳化硅(Silicon Carbide, SiC) MOSFET產品系列 ─ 1200V解決方案。這系列創新SiC MOSFET器件設計用于效率至關重要的大功率工業應用，包括用于太陽能逆變器、電動汽車、焊接和醫療設備的解決方案。

美高森美擁有利用SiC半導體市場增長的良好條件，據市場研究機構Yole Développement預計，從2015年至2020年，SiC功率半導體市場的同比增長率將達到39%，而且Market Research預計SiC半導體市場將于2022年達到53億美元，同比增長率38%。

新型SiC MOSFET器件

全新SiC MOSFET器件采用來自美高森美的專利技術，特別設計以幫助客戶開發在更高頻率下運行并提升系統效率的解決方案。

美高森美的專利 SiC MOSFET技術特性包括 ：

同級最佳的RDS(on)對比溫度

超低柵極電阻，最大限度減小開關能耗

出色的最大開關頻率

卓越的穩定性和出色的短路耐受性

美高森美功率產品組總經理Marc Vandenberg表示：“美高森美的1200V SiC MOSFET建立了全新的性能基準，我們利用公司內部的SiC制造能力，繼續擴大SiC產品組合，為客戶提供創新的大功率解決方案。”

美高森美的1200V SiC MOSFET器件的額定電阻為 80mΩ和 50mΩ，通過同時提供行業標準TO-247和SOT-227封裝，可為客戶提供更多的開發靈活性 ：

APT40SM120B 1200V、80mΩ、40A、TO-247 封裝

APT40SM120J 1200V、80mΩ、40A、SOT-227封裝

APT50SM120B 1200V、50mΩ、50A、TO-247封裝

APT50SM120J 1200V、50mΩ、50A、SOT-227封裝

新型SiC MOSFET功率模塊

美高森美SiC MOSFET還可以集成進公司擴展的MOSFET功率模塊中，用于電池充電、航空航天、太陽能、焊接和其它大功率工業應用。新的功率模塊具有更高的工作頻率并提升了系統效率。

新型1700V肖特基二極管

美高森美的 SiC MOSFET器件也與公司完整的SiC肖特基二極管產品系列相輔相成，全新的1700V SiC肖特基二極管將產品線擴展至1200V和650V以上，這些產品設計使用出色的鈍化技術，在室外和潮濕應用中實現穩健性。