橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商、市場領先的高性能航天元器件供應商意法半導體進一步擴大抗輻射產品組合，新推出一系列通過美國 300krad QML-V認證[1]的LVDS[2]驅動器、接收器和多工器(multiplexers)。

　　意法半導體最新的抗輻射器件的性能優于競爭品牌的解決方案，融合經過市場檢驗的130納米制造技術與專用芯片架構及布局規則，取得了優異的抗輻射性能和電氣特性。該開發項目得到了法國國家太空研究中心(CNES，Centre National d'Etudes Spatiales)和歐洲航天局(ESA，European Space Agency)的資金技術支持，將用于商用和政府衛星項目。意法半導體的新產品還通過了QML-V認證，全球航天局和承包商可在航天項目中使用該系列產品。

　　法國國家太空研究中心環境與元器件部主管Jean-Louis Venturin表示：“這些高性能元器件是意法半導體、歐洲航天局和法國國家太空研究中心多年合作研發抗輻射航天元器件的豐碩成果之一，我們迫切希望這些產品進入歐洲元器件優選目錄。”

　　意法半導體航天與高可靠性事業部經理Jean-Francois Vadrot表示： “我們的新LVDS器件配備整套的輻射測試報告和宏模型，包括生命周期終止和輻射終止，為全球航天市場提供最好的解決方案，同時進一步加強了我們的航天產品組合。”

　　意法半導體擁有35年的支持全世界政府和商用航天項目的經驗，其已安裝的元器件創下了數百萬個小時的成功飛行記錄。意法半導體正在擴大航天應用和高可靠性認證產品的陣容，包括雙極晶體管和MOSFET、電壓基準芯片、柵驅動器、線性IC和功率轉換器。意法半導體在130納米、65納米等節點擁有成熟的制造技術和設計能力，還擁有世界唯一的同時通過歐洲航天局(ESA)和國防后勤局(DLA，Defense Logistics Agency)認證的生產設施。

      
      LVDS系列技術說明:

　　新系列包括RHFLVDS31A和RHFLVDS32A驅動器/接收器芯片、RHFLVDSR2D2(LVDS雙接口收發器)和 RHFLVDS228A交叉點開關。在重離子和電離總劑量很大的輻照測試中，所有器件都有極強的穩健性表現，LVDS31A/32A在高達135 MeV.cm²/mg時未見單一事件閉鎖效應，并取得業內最高的單一事件瞬變抵抗能力。在電離總劑量高達300krad(MIL-STD-883 TM1019)時，該系列產品的動靜態特性無太大變化。

　　此外，該系列產品輸入共模電壓范圍寬達-4V到 +5V，包括連接電壓較低的電源的情況，例如3.3V。寬壓可提高系統地電位公差，簡化接地設計。

　　與市面上同類器件相比，意法半導體的新LVDS器件縮短了傳播時間和通道間延遲差，因此通道間同步更快，芯片功耗更低，可支持更高的數據傳輸速率。此外，電源電壓的最大絕對額定值(AMR)高達4.8V，確保器件符合太空局元器件降額設計規則，無需任何免責聲明。LVDS I/O引腳提供8kV (HBM) ESD保護功能，所有引腳都有冷備用緩沖器和失效保護功能。

　　如需了解更多詳情，請瀏覽 www.st.com/radhard-lvds-pr

　　[1]美國認證制造商名錄(QML，United States’ Qualified Manufacturer)5級和歐洲航天元器件委員會(ESCC，European Space Components Coordination)均為公認的等級最高的航天IC質量認證測試標準。

　　[2] 低壓差分信號(LVDS，Low-Voltage Differential Signaling)是差分串行通信協議電特性技術規范。