IDT 與eSilicon 合作開發下一代RapidIO 交換
IDT 公司與 eSilicon 公司今天宣布,將合作加快下一代 RapidIO 交換的開發進程,以滿足用于無線、嵌入式和計算基礎架構中的新系統架構對性能不斷增長的要求。兩家公司將共同致力于初期研究,開發基于 RapidIO 10xN 標準的每端口 40 Gbps 的 RapidIO 交換機。
本文引用地址:http://www.j9360.com/article/249741.htm在這一計劃下開發的交換將幫助下一代無線基站、Cloud RAN(無線接入網)、移動 Edge 計算和其他演進運營網絡的制造商能夠相對于便攜式設備的廣泛使用帶來數據量的迅速增長先行一步。
eSilicon 公司首席執行官 Jack Harding 表示:“從設計到實現再到量產,這一協作的研發努力正在確立并會將新一代的 RapidIO 產品快速推向市場,以滿足更高容量、更大帶寬基站和其他運營平臺的需求。eSilicon 在 28 納米領域的專長,包括高速串行器部署和定制內存設計,對于 IDT 在 RapidIO 設計上的專長是一個很好的補充。”
RapidIO 10xN 交換器將為網絡提供一個理想的組合,包括 100ns 低延遲、每端口 40 Gbps 帶寬和大于 40 億節點的可擴展性。雙方共同研發的設備將應用于新一代基站平臺,例如 LTE 演進版本(LTE-A)、C-RAN 和 5G,但也可應用于例如與高性能計算(HPC)平臺同地協作的基站的新興架構中。
IDT 每端口 20 Gbps 交換機產品目前是 DSP 集簇、微處理器以及在全球范圍內部署的現有 3G 和 4G 基站中 ASIC 的事實上的互連標準。在這一合作下,兩家公司將基于現有的交換和橋產品組合,計劃在 2015 年下半年推出首款合作開發的產品。
IDT 公司首席執行官 Gregory Waters 表示:“互連的發展對通信基礎架構的持續演進必不可少,我們目前的 RapidIO 交換幾乎為全球每一個 4G 基站所打造。但是下一代基站和 C-RAN 已然到來,要求比以往任何時候都更高的性能。與 eSilicon 的合作將使我們加快 RapidIO 開發,我們的客戶和整個通信行業都將因此受益。”
RapidIO.org 執行總裁 Rick O’Connor 表示:“IDT 和 eSilicon 的此次合作將使RapidIO 技術朝向每端口 40 Gbps 以及未來 100 Gbps 的方向發展,這是邁向成長的RapidIO 生態系統的重要一步。毫無疑問,這一合作將廣受需要高帶寬和高容量的性能關鍵型計算應用開發者們的歡迎,并將通過處理器、DSP 和 RapidIO 生態系統內的 FPGA 合作,促進 RapidIO 10xN 技術的發展。”
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