電機控制變頻器及高性能電源系統等工業應用的系統設計工程師，一直尋求在單 IC 封裝中高度集成柵極驅動和保護特性，以簡化設計并提高效率。新研發的FOD8332 是高級 2.5 A 輸出電流 IGBT/MOSFET 驅動光電耦合器。
　　該器件的絕緣工作電壓額定值 (VIORM) 為 1414 V，比競爭產品高 13%，允許器件直接驅動 1200 V IGBT。共模瞬態抑制性 (CMTI) 優于競爭型解決方案 100% 以上，而開關期間每周期動態功耗 (ESW) 比競爭產品低 50%。

　　這些高壓部件允許給定功率額定值的系統以較高電壓和較低電流工作，其噪聲濾波損耗小，從而使變頻器更高效。
　　FOD8332 集成了防止出現故障狀態所需的關鍵保護功能，從而確保 IGBT不會由于過熱損壞。內置了大多數保護功能，從而減少了設計復雜性，無需板級設計人員設計額外元件。

　　該器件采用Fairchild專有的 Optoplanar® 共面封裝技術和 IC 優化設計，實現了高絕緣電壓和高抗噪能力，具有高共模抑制特性。
　　該器件采用寬體 16 引腳小型塑料封裝，在緊湊封裝內提供高絕緣性能。

　　“Fairchild提供獨特的功率器件，并結合深厚的設計專業知識和制造經驗，協助客戶打造震撼的電子產品。”Fairchild絕緣和光電子器件總監 John Constantino 指出，“FOD8332 根據客戶的要求研發，集成多項功能，可針對性地解決客戶所面臨的嚴峻挑戰。這既體現了我們以客戶為中心的宗旨，也是為了實現成為創新電源管理解決方案源泉這一目標。”

　　主要功能：
　　· 輸入 LED 驅動輔助接受來自 PWM 輸出的數字編碼信號
　　· 光隔離故障檢測反饋
　　· 高 dv/dt 無負電源電壓時，有源米勒箝位關閉 IGBT
　　· 具有共模抑制特性的高抗噪能力 – 最小值 35 kV/μs，VCM = 1500 VPEAK
　　· 2.5 A 輸出電流驅動能力，針對中等功率 IGBT
　　· 使用 P 溝道 MOSFET 作為輸出級可使輸出電壓擺幅接近供電軌(軌到軌輸出)
　　· 寬電源電壓范圍： 15 V 至 30 V
　　· 1 分鐘 UL1577、4243 V RMS
　　· DIN-EN/IEC60747-5-5(待定)：
　　· 1414 VPEAK 工作絕緣電壓
　　· 8000 VPEAK 瞬態額定隔離電壓
　　· 8 mm 爬電和安全距離

　　應用:
　　· 隔離IGBT/功率MOSFET柵極驅動
　　· 可再生能源 - 光伏逆變器，風力發電逆變器
　　· 交流和無刷直流電機驅動
　　· 工業變頻器
　　· 不間斷電源
　　· 感應加熱