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借用同步整流架構提高電源轉換器效率

作者: 時間:2013-09-22 來源:網絡 收藏

  隨著消費性電子的發展,各種供電電源如適配器所消耗的電能占全球能耗的比例急劇加大,成為不可忽視的耗能「大戶」。以美國為例,每年適配器須要消耗電能3,000億度,占整個國家每年用電總量的11%。

本文引用地址:http://www.j9360.com/article/228254.htm

  現今節能減碳聲浪不斷提高,各國政府法規對電源的要求也越來越嚴格。美國能源部(Department of Energy, DoE)針對External Power Supply公告新的要求NOPR(Notice of Proposed Rulemaking),將對電源供應廠與相關節能零件帶來新的挑戰,表1為針對效率的要求。詳細資料可參考美國能源部官方網站。

  晶片加速取代二極管

  手持式電子產品如平板裝置(Tablet Device)、智慧型手機等的風行,相對地亦開始要求電源充電器的尺寸必需短小輕薄,這些因素也對電源設計造成新的挑戰。

  近年來電子技術的發展,使得電路的工作電壓越來越低、電流越來越大。低電壓工作有利于降低電路的整體功率消耗,但也給電源設計提出新的難題。

  開關電源的損耗主要由三部分組成,分別為功率開關元件、變壓器及輸出端整流管的損耗。在低電壓、大電流輸出的情況下,整流二極體的導通壓降較高,輸出端整流管的損耗尤為突出。快恢復二極體(FRD)或超快恢復二極體(SRD)可達1.0或1.2伏特(V),即使採用低壓降的蕭特基二極體(SBD),也會產生大約0.5~0.6伏特的壓降,這就導致整流損耗增大、電源效率降低。整流管上的損耗也會達到電源總損耗的60%以上。

  因此,傳統的二極體整流電路已無法滿足實現低電壓、大電流開關電源高效率及小體積的需要,成為制約交流對直流(AC-DC)電源供應器提高效率的瓶頸。為能有效降低功耗及溫升,近來使用技術以取代整流二極管蔚為風潮。

  是採用通態電阻極低的專用功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET),來取代整流二極體以降低整流損耗的一項新技術,它能提高開關電源供應器的效率。MOSFET屬于電壓控制型元件,它在導通時的伏安特性呈線性關係。以功率MOSFET做整流器時,要求閘極電壓必須與被整流電壓的相位保持同步才能完成整流功能,故稱之為同步整流。

  晶片商競推同步整流晶片

  MOSFET耗損主要由內阻(Rdson)決定(切換速度《200kHz),蕭特基二極體耗損則由順向壓降(Vf)來決定。當多顆MOSFET并聯時內阻會成倍數下降,理論上并聯無數顆MOSFET時,內阻會趨近于零幾乎沒有耗損。但蕭特基二極體物理上存在最低屏蔽順向壓降約0.3伏特,不論并聯多少顆蕭特基二極體,最低都有此屏蔽壓降,因此最低也會約有耗損Ploss=0.3×輸出電流。

  基本單端自激、隔離式降壓同步整流電路如圖1所示。V1及V2為功率MOSFET,在次級電壓的正半周,V1導通,V2關斷,V1起整流作用;在次級電壓的負半周,V1關斷,V2導通,V2起到續流作用。同步整流電路功率耗損包括V1及V2導通損耗及閘極驅動損耗。當開關頻率低于200kHz時,導通耗損占主導地位。

  借用同步整流架構提高電源轉換器效率

  圖1 單端降壓式同步整流器的基本塬理圖

  自激式的同步整流架構很簡單,但是為能確保在使用時不發生失控電路燒毀或不穩定情形,周邊須加入保護電路,因此近年來各廠商陸續推出二次側同步整流控制IC。

  ZCD和預測式同步整流技術分庭抗禮

  自90年代末期同步整流技術誕生以來,開關電源技術得到極大的發展,採用IC控制技術的同步整流方案已為研發工程師普遍接受,現在的同步整流技術分為兩大類,分別為零電流偵測(ZCD)及預測式(Prediction)的同步整流方案。

  不論使用何種方案,效率的提升主要決定于MOSFET的選擇,由于開關電源供應器的使用頻率,通常是在200kHz以下,因而MOSFET的內阻決定大部分的效率的提升。

  ZCD有恩智浦(NXP)、國際整流器(IR)和安森美(ON Semiconductor)等廠家投入,預測式則是擎力科技的專利。這兩種方案各有優點,ZCD的周邊零件較少、調整較易、適用于非連續導通模式 (DCM);而預測式的優點是可同時使用于DCM及連續導通模式(CCM)之間、不挑選MOSFET和死區(Dead Time)可調整。

  所謂ZCD就是當偵測到MOSFET汲極的電流為零時,IC輸出一個高位準給MOSFET,由于是偵測電流,因而MOSFET的內阻變化會影響到電流,為了操作安全,各廠商均設定在-200?300毫伏特(mV)才做切換(圖2)。

  借用同步整流架構提高電源轉換器效率

  圖2 ZCD電流偵測圖示

  預測式是利用上一波形來預測下一波形,因此可以在MOSFET的Vds電壓上升之前,提前截止Vgs,以避免MOSFET的交越。

  圖3和圖4分別為工作在CCM、DCM下的同步工作波形,其中上方波形為同步MOS的Vds波形,下方波形為SP6018輸出波形。因為具有死區編程控制功能,能保證電源安全地工作在CCM模式,這也是業界唯一能出色應對連續模式的同步整流控制IC。

  借用同步整流架構提高電源轉換器效率

  圖3 連續導通模式

  借用同步整流架構提高電源轉換器效率

  圖4 非連續導通模式

  在綠能意識不斷抬頭下,開關電源供應器的效率要求也會愈來愈高,使用同步整流方案能將現有系統的效率提高2?4%并可降低溫度10?20℃,尤其是在大電流、低電壓輸出時其效益更為明顯。為能符合手提式產品對電源充電器要求短小輕薄的要求,CCM操作模式加上同步整流將成為主流。



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