而在羅姆提出的四大發展戰略注13中，其中之一便是“強化以SiC為核心的功率元器件產品”。其實，羅姆在功率元器件領域的不斷發展中，為推進節能減排，羅姆也一直致力于以新一代元件碳化硅（SiC），氮化鎵（GaN）為原材料的產品的研發，并已陸續推出了適用于不同業界的各種解決方案，利用高新技術將這兩種“理想器件”植入生活的各個層面。通過在高效化、大電流化、高耐壓化、小型化、模塊化等各個方面的研發，帶來更多精彩的呈現。

　　＜術語解說＞

　　注1：SJ-MOSFET

　　超級結MOSFET的縮寫。即超級結金屬氧化物場效應三極管。

　　注2：MOSFET

　　Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor的縮寫。即金屬-氧化層-半導體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管，是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管。

　　注3：雙極晶體管

　　又稱雙極型晶體管（Bipolar Transistor），由兩個背靠背PN結構成的具有電流放大作用的晶體三極管。

　　注4：肖特基勢壘二極管（SBD）

　　肖特基勢壘二極管（Schottky Barrier Diode，縮寫成SBD）是一種熱載流子二極管。

　　注5：快速恢復二極管（FRD）

　　快速恢復二極管（Fast Recovery Diode，縮寫成FRD）是一種具有開關特性好、反向恢復時間短特點的半導體二極管。

　　注6：二極管（Di）

　　又稱晶體二極管，簡稱二極管（Diode，縮寫成Di），是一種具有單向傳導電流的電子器件。

　　注7：齊納二極管

　　又稱穩壓二極管，是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導體器件。

　　注8：SiC

　　Silicon Carbide的縮寫。即碳化硅，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑為原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

　　注9：GaN

　　即氮化鎵，屬第三代半導體材料，六角纖鋅礦結構。

　　注10：LDO

　　Low Dropout Regulator的縮寫。即低壓差線性穩壓器。

　　注11：DC/DC轉換器

　　是轉變輸入電壓后有效輸出固定電壓的電壓轉換器。

　　注12：FET

　　Field Effect Transistor的縮寫。場效應晶體管，簡稱場效應管。由多數載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。屬于電壓控制型半導體器件。

　　注13：四大發展戰略

　　2008年羅姆于創立50周年之際，面向未來50年提出發展戰略。其中包括：

　　（1）相乘戰略：羅姆將融合模擬IC及LAPIS Semiconductor的數字LSI技術，開拓汽車、工控市場。

　　（2）功率元器件戰略：以SiC為核心的元器件技術及依據功率IC的控制技術，以及將二者合二為一的模塊技術，融合這三項技術，不斷為節能環保做出貢獻。

　　（3）LED戰略：以LED照明為核心，從LED貼片、驅動IC到電源模塊提供綜合性LED綜合解決方案。

　　（4）傳感器戰略：羅姆于2009年將MEMS加速度傳感器的供應商Kionix公司納入集團，以世界頂級的產品陣容，滿足傳感器市場的各種需求。