全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日宣布推出新一代高密度功率模塊，該模塊將在實現(xiàn)AI和高性能計算方面發(fā)揮關鍵作用。全新OptiMOS? TDM2454xx四相功率模塊通過提升系統(tǒng)性能并結合英飛凌一貫的穩(wěn)健性，為AI數(shù)據(jù)中心運營商實現(xiàn)業(yè)界領先的功率密度，降低總體擁有成本（TCO）。

TDM24XX kaveri

OptiMOS?  TDM2454xx四相功率模塊實現(xiàn)了真正的垂直供電（VPD），并提供 行業(yè)領先的2安培/平方毫米電流密度    。此模塊延續(xù)了英飛凌去年推出的OptiMOS?  TDM2254xD和TDM2354xD 雙相功率模塊，繼續(xù)為加速計算平臺提供卓越的功率密度。在傳統(tǒng)水平供電系統(tǒng)中，電流需要流經半導體晶圓表面，這導致了電阻增加并產生了明顯的功率損耗。垂直供電通過縮短電流傳輸路徑，減少電阻損耗，從而提升系統(tǒng)效率。

根據(jù)國際能源署（IEA）數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)中心目前占全球能耗的2%。在AI發(fā)展的推動下，數(shù)據(jù)中心的電力需求預計將在2023至2030年間增長165%。持續(xù)提升從電網(wǎng)到主板核心的電源轉換效率與功率密度是進一步提高計算性能并降低TCO的關鍵。

英飛凌科技功率IC產品線副總裁Rakesh Renganathan表示：“我們很高興推出 OptiMOS? TDM2454xx VPD模塊，來擴展英飛凌的高性能 AI 數(shù)據(jù)中心解決方案。我們采用三維的設計方式，并且利用業(yè)界領先的功率器件、封裝技術，以及我們深厚的系統(tǒng)底蘊，提供高性能的節(jié)能型計算解決方案，進一步實現(xiàn)我們推動數(shù)字化和低碳化的企業(yè)使命。”

通過采用英飛凌強大的OptiMOS? 6溝槽式技術功率組件和嵌入式芯片封裝，OptiMOS? TDM2454xx模塊可以提供優(yōu)異的電氣和散熱性能，同時運用創(chuàng)新的超薄電感設計技術，不斷提高VPD系統(tǒng)性能和質量的極限。此外，OptiMOS? TDM2454xx的結構設計有利于模塊化拼接，且能改善電流傳導，進而提升電氣、散熱和機械性能。該模塊在四相電源中最高支持280A電流，并在僅10x9 mm2的小型封裝內整合了嵌入式電容層，結合英飛凌的 XDP? 控制器，可實現(xiàn)穩(wěn)定耐用的高電流密度功率解決方案。

OptiMOS? TDM2454xx模塊進一步鞏固了英飛凌在市場中的特殊地位。憑借基于所有相關半導體材料的廣泛產品和技術組合，英飛凌能夠以更節(jié)能的方式為不同的AI服務器配置提供從電網(wǎng)到核心的動力。