三星電子正在推動關鍵半導體材料的本土化，此舉引起廣泛關注，因為該公司試圖減少對日本進口的嚴重依賴。在美國、日本、中國大陸和中國臺灣的全球半導體主導地位競爭日益激烈的背景下，這一戰略轉變被視為應對韓日關系潛在緊張的主動措施。

據業內人士透露，三星電子半導體部門正在加快努力用韓國本土替代品取代「ArF（氟化氬）空白掩模」。這些掩模在半導體光刻工藝中至關重要，占整個階段的 40% 以上。目前，三星對這些掩模的采購嚴重依賴日本的 Hoya。然而，三星現在正與韓國生產商 S&S Tech 密切合作，以實現本土化。一位業內人士透露，「三星一直在接收少量國產 ArF 空白掩膜，但最近已開始評估在特定工藝中全面采用。」

除了 ArF 空白掩膜，三星還在加大力度將其他高度依賴日本的材料本地化。對于目前由日本三井化學主導的 EUV 薄膜，三星正在與韓國 FST 合作實現本地化。此外，對于高帶寬存儲器（HBM）的關鍵材料非導電膜（NCF），三星正在與 LG Chem 合作。目前，NCF 材料 100% 由日本 Resonac 供應給三星。

三星材料供應鏈的多樣化主要是為了應對人工智能（AI）革命引發的半導體需求激增。這種需求需要多樣化目前由一兩家公司壟斷的工藝材料。該戰略還考慮到與美國和日本以及中國大陸和中國臺灣之間日益激烈的半導體主導地位競爭。

日本則在培育 Rapidus 等新芯片制造公司，以增強國內半導體產業。如果日本再次對半導體材料實施類似于 2019 年的出口限制，韓國國內半導體生產線可能會面臨嚴重中斷。一位資深行業官員評論說：「在最近國內外政治局勢變化的情況下，韓美、韓日、韓中關系的波動性比以往任何時候都高，三星從多個角度加強風險管理的努力意義重大。」

據悉，三星電子將從 ASML 引進首臺 High-NA EUV 光刻機 EXE:5000，預計 2025 年初到貨。這意味著三星將正式加入與英特爾和臺積電在下一代光刻技術商業化研發方面的競爭。

ASML 的 High-NA EUV 光刻機 EXE:5000 是一款先進的極紫外光刻設備，具有高數值孔徑 (NA) 和 8nm 的分辨率，相較于之前的 NXE 系列光刻機，其分辨率顯著提高。這款光刻機采用了 0.55 NA 的透鏡，能夠實現更精細的圖案化，從而支持更小的物理特征尺寸。

根據此前相關資料，EXE:5000 的設計使其能夠每小時處理超過 185 片晶圓，相比 NXE 系列的產能有所提升。然而，目前的生產速度僅為每小時 150 片晶圓，預計到 2026 年左右將提升到每小時約 200 片晶圓。

EXE:5000 光刻機預計將在 2025 年進入大規模生產階段。目前，該設備已經向英特爾交付了首批模塊，并且正在安裝和測試中。

與此同時，三星電子正在與蔡司集團深化在下一代極紫外光刻技術和芯片技術領域的合作。

三星電子執行董事長李在镕在訪問位于奧伯科亨的全球光學和光電子技術集團總部時，與蔡司公司總裁兼首席執行官 Karl Lamprecht 及其他高管進行了會晤。

雙方同意擴大在 EUV 技術和尖端半導體設備研發方面的合作，以進一步增強在代工和存儲芯片領域的業務競爭力。作為全球頂尖的動態隨機存取存儲器（DRAM）芯片生產商，三星電子與蔡司集團在 EUV 技術方面擁有廣泛的合作基礎。

通過與蔡司集團深化合作，三星電子期望改進其下一代半導體技術，優化芯片制造工藝，并提高先進芯片的產量。通過這次合作，三星希望提升下一代半導體技術，優化芯片制造流程，提高先進芯片的生產良率。

蔡司還計劃到 2026 年投資 480 億韓元在韓國建設研發中心，加強同三星等韓企的戰略合作，以建立其首個海外研究工作站，專注于解決方案研發。

三星電子的目標是推動 3 納米以下的微制造工藝技術的發展，此外，該公司還計劃在東北亞地區建立首個先進邏輯和存儲芯片流程控制解決方案研發中心，以滿足該地區對光學解決方案不斷增長的需求。

蔡司集團是全球領先的極紫外（EUV）光系統供應商 ASML Holding NV 的唯一光學系統供應商，對于全球芯片產業，特別是代工芯片制造商如臺積電和三星電子等具有重要影響力。