2月28日消息，SK海力士正致力于開發新一代低功耗內存LPDDR5M，其數據傳輸速率與現有的LPDDR5T相同，均為9.6Gbps，但在能效方面實現了顯著提升。

LPDDR5M的工作電壓從1.01-1.12V降至0.98V，能效提高了8%。這一技術突破預計將廣泛應用于具備設備端AI功能的智能手機中，使其在本地運行密集型操作時消耗更少的電量，從而滿足設備制造商對高效能、低功耗的需求。業內人士推測，SK海力士最快將于年內推出LPDDR5M產品。

與此同時，SK海力士在高帶寬內存（HBM）領域的研發也取得了重要進展。目前，SK海力士已進入12層堆疊HBM4的試產階段，良品率從去年底的60%提升至70%。

這一進展得益于其采用了1β（b）nm（第五代10nm級別）工藝制造DRAM芯片，該工藝在性能和穩定性方面已得到充分驗證，并將同樣應用于HBM3E產品的生產中。

根據計劃，SK海力士將于2025年6月向英偉達提供HBM4樣品，以支持其Rubin架構產品的需求。此外，SK海力士預計在今年下半年推出首批12層堆疊的HBM4產品，并于2025年第三季度進入全面供應階段，進一步鞏固其在高端內存市場的領先地位。