據報道，三星電子近期進行了大規模人事調整，調派約2000名工程師至位于韓國平澤的半導體生產基地，旨在解決高帶寬內存（HBM）技術面臨的挑戰。 然而，三星公司否認了這些說法，稱其毫無根據。

韓國媒體指出，此次人事調整由三星設備解決方案（DS）部門執行副總裁兼負責人Jun Young-hyun主導，旨在提升先進DRAM工藝的良品率，并應對三星在HBM領域的技術差距。 據悉，超過2000名來自三星器興和華城園區的工程師被重新分配至平澤工廠，以加強生產過程管理和產品質量。 此次調整主要針對在從開發到量產過渡階段專注于優化良品率的工程師。

三星正加速其平澤P4工廠的設備采購，預計將開始第六代10納米級DRAM（1c DRAM）的量產。 然而，三星的HBM3E產品據稱未能達到行業標準，可能無法進入英偉達的供應鏈。 據報道，三星對未能滿足英偉達的HBM標準表示歉意，并對未來的突破表示樂觀。

此外，SK海力士計劃在2025年底前轉向3納米工藝生產HBM4產品，這可能會擴大其與三星之間的技術差距。 三星正在探索使用3納米工藝生產HBM4芯片的可能性，以保持競爭力。

此次人事調整和戰略部署，體現了三星電子在人工智能和高性能計算領域對先進內存解決方案的重視，以及其在全球半導體市場中保持競爭優勢的決心。