全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日宣布與總部位于加拿大的AWL-Electricity建立合作關系，后者是兆赫級電容耦合諧振式功率傳輸技術的領導者。英飛凌將為AWL-E提供CoolGaN? GS61008P，幫助該公司開發先進的無線功率解決方案，為各行各業開辟解決功率難題的新途徑。

此次合作將英飛凌的先進氮化鎵（GaN）技術與AWL-E創新的兆赫級電容耦合諧振式功率傳輸系統相結合，實現了行業領先的無線功率效率。英飛凌的GaN晶體管技術具有極高的效率和功率密度，而且可在極高的開關頻率下工作。這使AWL-E能夠延長系統使用壽命、減少停機時間和運營成本，并提高產品的易用性。汽車行業利用該技術將車內體驗和座椅動態性提升到一個新的水平；工業系統則利用該技術獲得近乎無限的設計自由，包括自動導引車輛、機器人應用等。此外，由于該技術允許采用全密封系統設計，因此無需配備充電端口，減少了全球電池的使用量。

英飛凌CoolGaN? GS61008P

英飛凌科技電源與傳感系統（PSS）事業部全球合作與生態系統管理團隊的Falk Herm表示：“通過合作伙伴，我們再次證明了AWL-E能夠充分發揮英飛凌CoolGaN?技術的系統級優勢，提高緊湊性和效率。AWL-E與英飛凌在能力上形成互補，此次合作展示了GaN可以在兆赫頻率下工作的特點，改變了功率晶體管的應用范式，帶來了更加環保、性能更好的產品。”

AWL-E聯合創始人、副總裁兼業務開發總監Francis Beauchamp-Verdon表示：“英飛凌認為最終需要通過一個強大的產業生態滿足當今的功率需求，因此以一種特殊的方式讓我們加入他們的大家庭。英飛凌的GaN晶體管、評估板和合作機會使我們基于GaN的兆赫級功率耦合系統得到普及。”

AWL-E AgileStation

英飛凌是功率半導體市場的領導者，也是目前唯一一家掌握所有功率技術，同時提供全部產品和技術組合的制造商，包括硅器件（例如SJ MOSFET、IGBT）、碳化硅器件（例如肖特基二極管和 MOSFET）和氮化鎵器件（增強型HEMT）。其產品涵蓋了裸片、分立器件和模塊。