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臺積電開發N4e制程滿足物聯網需求,另提升特殊制程產能50%

作者: 時間:2024-05-21 來源:全球半導體觀察 收藏

年度技術論壇的歐洲場,向客戶展示N4e新型低功耗節點,并未出現過藍圖。 表示,幾年內將把特殊制程晶圓廠產能提高50%。

本文引用地址:http://www.j9360.com/article/202405/458994.htm

Anandtech報道,計劃「四至五年」內,將特殊制程晶圓廠產能大幅提高50%,修改晶圓廠空間,建造Greenfield新晶圓廠。 臺積電將興建低功耗4納米節點,稱為N4e,臺積電官方藍圖將N4e加入N4P和N4X行列。

尚不清楚 N4e 工藝可能有哪些客戶或應用使用,但可能專門給物聯網和其他需要消耗電力的設備。 通常應用都采成熟制程,因相對廉價設備用成本太高。 臺積電為需求做好規劃,因計劃要到2029年左右才能落實。

臺積電業務發展和海外營運副總經理張曉強強調,已開始建造N4e節能制程產線。 張曉強未透露產線位置,產線快速部署是臺積電第一次基本上跳過漫長審查過程,并開始進行。

張曉強強調,臺積電強化全球供應鏈彈性,這種彈性透過臺灣以外建造晶圓廠,以及增加未來需要節點產能。 現在臺積電最先進低功耗制程是N6e,是使用0.4V~0.9V電壓的6/7納米制程。 消息指臺積電希望將N4e電壓一路降至0.4V,但研討會并未提到性能或屬性詳細信息。



關鍵詞: 臺積電 先進制程

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