4月上旬，全球光刻機龍頭企業ASML發布了其最新一代極紫外線(EUV)光刻設備Twinscan NXE:3800E，該工具投影透鏡擁有0.33的數值孔徑，旨在滿足未來幾年對于尖端技術芯片的制造需求，包括3nm、2nm等小尺寸節點。ASML還計劃進一步推出另一代低數值孔徑(EUV)掃描儀Twinscan NXE:4000F，預計將于2026年左右發布。

近日，據外媒消息，ASML截至2025上半年的高數值孔徑EUV（High-NA EUV）設備訂單由英特爾全部包攬，據悉，英特爾在宣布重新進入芯片代工業務時搶先購買了這些設備。由于ASML的高數值孔徑EUV設備產能每年約為五至六臺，三星等其他大廠或需要2025下半年后才能獲得設備。ASML方面則計劃未來幾年要改善產能，年產能增加至20臺。

據悉，ASML的高數值孔徑EUV設備是芯片制造商制造2nm工藝節點芯片的必備設備，每臺設備的成本超過5000億韓元（當前約26.47億元人民幣）。NA代表數值孔徑，表示光學系統收集和聚焦光線的能力。數值越高，聚光能力越好，行業消息顯示，ASML最先進的高數值孔徑EUV設備的數值孔徑將從0.33提高到0.55，這意味著設備可以繪制更精細的電路圖案。

自2017年ASML的第一臺量產的EUV光刻機正式推出以來，三星的7nm、5nm、3nm工藝，臺積電的第二代7nm、5nm、3nm工藝的量產都是依賴于0.33數值孔徑的EUV光刻機來進行生產。隨著三星、臺積電、英特爾3nm制程芯片的相繼量產，目前這三大先進制程制造廠商都在積極投資2nm制程的研發，以滿足未來高性能計算（HPC）等先進芯片需求，并在晶圓代工市場的競爭當中取得優勢。

英特爾方面，自2021年起就提出了IDM2.0戰略。目前其還處于高資本支出投入期，各地投資擴產計劃相繼開出，并且先進制程研發投入加速推進。目前晶圓代工部門還處于虧損階段。

財報顯示，英特爾晶圓代工業務去年的營業虧損較2022年擴大34.6%至70億美元，營收同比下降31.2%至189億美元。當時英特爾預計，代工業務的營業虧損會在今年達到峰值，2027年左右實現盈虧平衡。今年一季度英特爾代工業務實現營收44億美元，同比下滑10%，營業虧損25億美元。

擴產方面，2023年以來，英特爾相繼公布了在美國、歐洲和以色列興建半導體制造工廠的計劃，在各地政府的紛紛補助下，總投資金額高達千億美元。制程推進方面，英特爾即將完成“四年五個制程節點”計劃，其中Intel 7，Intel 4和Intel 3已實現大規模量產。這樣來看，英特爾或許能在未來斬獲更多訂單。

三星在光刻機獲得方面亦早有計劃。今年一月，ASML韓國公司總裁Lee Woo-kyung透露，期待2027年帶來三星電子和ASML的合資企業新研發中心的高數值孔徑 (NA) 極紫外 (EUV) 設備。

據悉，這個新的半導體研究中心是韓國總統尹錫悅去年對荷蘭進行國事訪問期間組建的半導體聯盟的成果，三星電子和荷蘭設備公司ASML共同投資1萬億韓元在韓國建立該中心。該設施將成為 ASML 和三星電子工程師使用 EUV 設備進行先進半導體研發合作的場所。該中心建于京畿道華城市ASML新園區前，將配備能夠實施亞2納米工藝的先進高數值孔徑EUV光刻設備。Lee Woo-kyung表示，已在ASML韓國華城新園區附近新獲得了一塊場地，將于明年開始建設。計劃在竣工時引進[高數值孔徑]設備，預計最晚會在2027年完成。

另外，據三星官方消息，近期，三星執行董事長李在镕(Jay Y. Lee) 訪問位于奧伯科亨 (Oberkochen) 的全球光學和光電子技術集團總部當時，會見了蔡司公司總裁兼總裁Karl Lamprecht以及其他公司高管，以深化與蔡司集團在下一代EUV和芯片技術方面的合作。

會上，雙方同意擴大EUV技術和尖端半導體設備研發方面的合作伙伴關系，以增強雙方的合作關系在代工和存儲芯片領域的業務競爭。公開資料顯示，蔡司集團是全球唯一的極紫外（EUV）光系統供應商ASML Holding NV的光學系統唯一供應商。

據悉，三星電子的目標是引領3納米以下的微制造工藝技術，今年計劃采用EUV光刻技術量產第六代10納米DRAM芯片。未來，三星電子積極尋求到2025年實現2nm芯片商業化，到2027年實現1.4nm芯片商業化。