目前臺積電先進封裝CoWoS的制程瓶頸在于硅穿孔（TSV）技術，TSV硅穿孔芯片堆棧并非打線接合，而是在各邏輯芯片鉆出小洞，從底部填充入金屬，使其能通過每一層芯片。再以導電材料如銅、多晶硅、鎢等物質填滿，形成連接的功能，最后將晶圓或晶粒薄化加以堆棧、結合（Bonding），作為芯片間傳輸電訊號用之立體堆棧技術。

隨著IC設計業者繼續將更多的邏輯、內存和特殊功能芯片整合到先進的2.5D和3D封裝中，每個封裝中的TSV互連導線數量擴展到數千個。為整合更多的互連導線并容納更高的芯片堆棧，需將硅穿孔變得更窄、更高，造成沉積均勻性改變，因而降低了效能，也增加了電阻和功耗。

高效能運算和人工智能等應用對晶體管的需求以指數級速度成長，傳統的2D微縮速度緩慢且變得更加昂貴，異質整合解決產業所面臨的挑戰，使芯片制造商能以新的方式改善芯片的功率、效能、單位面積成本與上市時間。

應用材料（簡稱：應材）為異質整合技術最大供貨商，提供芯片制造系統，包括蝕刻、物理／化學氣相沉積、退火與表面處理等設備。幫助半導體業者將各種功能、技術節點和尺寸的小芯片結合到先進封裝中，使組合后的整體可作為單一產品的形式來運作。

應材指出，本次推出的新系統，包括Producer Avila PECVD電漿輔助化學氣相沉積系統、PVD物理氣相沉積系統，擴大了應材在異質整合領域與同業的差距。