據Intel最新對外公布的信息，Intel 4nm芯片已準備投產，將用于包括Meteor Lake（14代酷睿流星湖）處理器、ASIC網絡產品等。同時，Intel 3nm、20A（2nm，其中A代表埃米，1nm=10埃米，下同）、18A(1.8nm)進展一切順利，甚至還略有提前。其中Intel 3nm將在明年下半年投產，用于Granite Rapids和Sierra Forest數據中心產品。

Intel 20A計劃2024上半年準備投產，首發Arrow Lake（15代酷睿）客戶端處理器，18A提前到2024下半年就緒，分別用在下一代酷睿和數據中心產品上。此前，18A規劃是在2025年，如今來看，進展非常順利，甚至要超前。

據悉，從Intel 3nm開始，將采用全新的RibbonFET晶體管取代當前的FiFET，引入革命性的PowerVias背面供電技術。所謂RibbonFET其實就是Inetl對于GAA（環繞柵極）晶體管的改進，后者已被三星3nm首發。