4月24日電，臺積電計劃在2028年開始生產A14芯片技術，旨在保持芯片行業的領先地位。該技術將推動這家全球最大芯片制造商超越其當前最先進的3納米制程，以及今年晚些時候將推出的2納米制程。臺積電還計劃在2026年末推出中間的A16制程。
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臺積電 2028年 A14 制程技術
4 月 21 日消息，2025 年超大規模集成電路研討會（VLSI Symposium）定于 2025 年 6 月 8 日至 12 日在日本京都舉行，這是半導體領域的頂級國際會議。VLSI 官方今日發布預覽文檔，簡要介紹了一系列將于 VLSI 研討會上公布的論文，例如 Intel 18A 工藝技術細節。相較于 Intel 3 制程，Intel 18A 節點在性能、能耗及面積（PPA）指標上均實現顯著提升，將為消費級客戶端產品與數據中心產品帶來實質性提升。英特爾聲稱，在相同電壓（1.1V）和復雜度條件下，I
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英特爾 2025 VLSI 18A 制程技術
英特爾近期于美國檀香山舉行的年度VLSI國際研討會，公布Intel 4制程的技術細節。相較于Intel 7，Intel 4于相同功耗提升20％以上的效能，高效能組件庫（library cell）的密度則是2倍，同時達成兩項關鍵目標：它滿足開發中產品的需求，包括PC客戶端的Meteor Lake，并推進先進技術和制程模塊。 英特爾公布Intel 4制程的技術細節。對于英特爾的4年之路，Intel 4是如何達成這些效能數據？ Intel 4于鰭片間距、接點間距以及低層金屬間距等關鍵尺寸（Critic
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Intel 4 制程技術 FinFET Meteor Lake
意法半導體（ST）宣布，電機電子工程師學會（Institute of Electrical and Electronics Engineering，IEEE）授予意法半導體IEEE里程碑獎，表彰ST在超級整合硅閘半導體制程技術領域的創新研發成果。ST的BCD技術可以單芯片整合雙極制程高精密模擬晶體管、CMOS制程高性能數字開關晶體管和高功率DMOS晶體管，滿足高復雜度、大功率應用的需求。多年來，BCD制程技術已賦能硬盤驅動器、打印機和汽車系統等終端應用獲得重大技術發展。在意法半導體Agrate工廠的實時／
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ST BCD 制程技術
晶圓代工廠臺積電對先進制程技術發展深具信心，業務開發副總經理張曉強表示，5納米制程明年第1季量產，仍會是全世界最先進的制程技術。
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臺積電 5nm 制程技術
電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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IBM RF芯片 代工升級 制程技術 SiGe SOI
在上周舉辦的IDF2009秋季開發者論壇上，Intel曾提到會在2011年下半年開始使用22nm制程技術，而其后的下一步目標則將是15nm制程技術。而對手AMD的代工公司Globalfoundries則會在2012年啟用22nm制程技術，兩年后的2014年他們計劃轉向15nm制程。盡管有 科學家聲稱15nm制程技術尚處在研發階段，有關的制造工具甚至都還沒有開發出來，不過按照Intel“tick-tock”的進程推算，預計Intel 啟用15nm制程技術的年份會在2013年左右。
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Intel 15nm 22nm 制程技術
臺灣“經濟部投審會”委員會議 通過臺灣積體電路制造股份有限公司申請將其上海廠晶圓制程技術提升為零點一八微米以上申請案。這是臺灣方面去年底開放零點一八微米晶圓制程登陸后首宗獲準投資案。 “中央社”報道，臺灣有關方面去年底宣布開放零點一八微米晶圓制程赴大陸投資，唯一獲準在大陸投資設立八吋、零點二五微米晶圓廠的臺積電率先提出提升制程申請。 臺積電早于二00五年一月即向當局提出赴大陸投資零點一八微米制程申請，當局直至去年底政策才正式松綁。臺積電遂補件申請。 二十日
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0.18微米晶圓 單片機 嵌入式系統 臺積電 制程技術 其他IC 制程
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