服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)和世界排名前列的電信、工業、國防和數據中心半導體解決方案供應商MACOM技術解決方案控股有限公司(納斯達克股票代碼:MTSI，以下簡稱“MACOM”) 宣布，射頻硅基氮化鎵(RF GaN-on-Si)原型芯片制造成功。基于這一成果，意法半導體和MACOM將繼續攜手，深化合作。

射頻硅基氮化鎵可為5G和6G移動基礎設施應用帶來巨大的發展潛力。初代射頻功率放大器 (PA)主要是采用存在已久的橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS) 射頻功率技術，而GaN(氮化鎵)可以給這些射頻功率放大器帶來更好的射頻特性和更高的輸出功率。此外，雖然GaN既可以在硅片上制造，也可以在碳化硅 (SiC) 晶圓上制造，但射頻碳化硅基氮化鎵（RF GaN-on-SiC）終究不是一種主流半導體制造工藝，且還要考慮和高功率應用爭奪SiC晶圓，這些都可能會導致其成本更加昂貴。而意法半導體和 MACOM 正在開發的射頻硅基氮化鎵技術可以集成到標準半導體工業中，在實現具有競爭力的性能的同時，也有望帶來巨大的規模經濟效益。

意法半導體制造的射頻硅基氮化鎵原型晶圓和相關器件已達到成本和性能目標，完全能夠與市場上現有的LDMOS和 GaN-on-SiC技術展開有效競爭。現在，這些原型即將進入下一個重要階段——認證測試和量產。意法半導體計劃將在 2022 年實現這一新的里程碑。為取得這一進展，意法半導體和 MACOM 已著手研究如何加大投入力度，以加快先進的射頻硅基氮化鎵產品上市。

意法半導體功率晶體管子產品部總經理兼執行副總裁 Edoardo Merli表示：“我們相信，這項技術的性能水平和工藝成熟度現已達到可以挑戰現有的 LDMOS和射頻GaN-on-SiC的程度。我們可以為無線基礎設施等大規模應用帶來成本效益和供應鏈優勢。射頻硅基氮化鎵產品的商業化是我們與 MACOM 合作的下一個重要目標，隨著合作項目不斷取得進展，我們期待著釋放這一激動人心的技術的全部潛力。”

MACOM 總裁兼首席執行官 Stephen G. Daly 表示：“我們推進硅基氮化鎵技術商業化和量產工作繼續取得良好進展。我們與意法半導體的合作是我們射頻功率戰略的重要組成部分，相信我們可以在硅基氮化鎵技術可以發揮優勢的目標應用領域贏得市場份額。”

 關于MACOM
MACOM 為電信、工業和國防以及數據中心行業設計和制造高性能半導體產品。每年，MACOM為6,000 多家客戶提供廣泛的產品組合，其中包括射頻、微波、模擬和混合信號以及光學半導體技術。MACOM已通過IATF16949汽車標準、ISO9001國際質量標準和ISO14001環境管理標準認證。MACOM 在美國、歐洲和亞洲設有設施，總部位于馬薩諸塞州洛厄爾。

關于意法半導體
意法半導體擁有48,000名半導體技術的創造者和創新者，掌握半導體供應鏈和先進的制造設備。作為一家半導體垂直整合制造商 (IDM)，意法半導體與二十多萬家客戶、數千名合作伙伴一起研發產品和解決方案，共同構建生態系統，幫助他們更好地應對各種挑戰和新機遇，滿足世界對可持續發展的更高需求。意法半導體的技術讓人們的出行更智能，電力和能源管理更高效，物聯網和互聯應用更廣泛。意法半導體承諾將于2027年實現碳中和。詳情請瀏覽意法半導體公司網站：www.st.com

關于前瞻性陳述的特別說明

本新聞稿包含基于意法半導體和/或MACOM的觀點、假設和雙方各管理層目前所掌握的信息而做出的前瞻性聲明。這些前瞻性陳述包括有關雙方推進硅基氮化鎵的商業化和量產的能力和相關產品能否獲得市場份額的能力的等陳述。
這些前瞻性聲明反映了意法半導體和/或MACOM當前對未來事件的看法，并且受到風險、不確定性、假設和環境變化的影響，這些變化可能導致這些事件或者我們的實際活動或結果與任何前瞻性聲明中所表達的內容大不相同。盡管意法半導體和MACOM認為前瞻性聲明中反映的預期是合理的，但并不能保證未來事件、結果、行動、業務量、業績或成就。警告讀者不要過分依賴這些前瞻性陳述。若干重要因素可能導致實際結果與前瞻性聲明中所指示的結果存在重大差異，此類因素包括但不限于意法半導體最新的Form 20-F報表中陳述的風險因素或MACOM向美國證券交易委員會提交的Form 10-K年度報告和Form 10-Q季報等文件中“風險因素”所述的因素。無論是由新信息、未來事件還是其他情況引起，雙方沒有義務公開更新或修改任何前瞻性聲明。