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博通擴展與新思科技在7納米及5納米設計方面的合作

作者: 時間:2020-04-24 來源:美通社 收藏

本文引用地址:http://www.j9360.com/article/202004/412353.htm

新思科技(Synopsys, Inc.)近日宣布與(Broadcom Inc.)擴展合作,助力基于Fusion Design Platform ?開發半導體解決方案,以解決7納米及7納米以下的一系列設計難題。

在7納米設計多個成功經驗的基礎上,與新思科技進一步合作,部署了包括基于Fusion Design Platform進行的5納米芯片設計。博通通過整合新思科技的工具、流程和方法,從最新的芯片工藝產品中獲得最大的收益,并有效地為客戶提供價值。

Fusion Design Platform旨在幫助設計團隊以最收斂的方式實現最佳的功耗、性能和面積(PPA),來確保最快和最可預測的成果時間(TTR)。Fusion Design Platform跨越了測試插入和優化、RTL綜合、布局布線以及設計的收斂和signoff,是一種高度融合的解決方案。Fusion Design Platform使可預測PPA達到了新的水平,從而解決了業界芯片設計的固有挑戰。 

新思科技Fusion Design Platform的主要產品和功能包括:

?Fusion Compiler? RTL-to-GDSII解決方案: 高度優化的全流支持,提供最佳設計可布線性和收斂以及最短的獲得結果的時間 (TTR) 

?IC Compiler? II布局和布線:EUV單曝光布線,提供優化的5LPE設計規則支持、單鰭單元多樣化感知擺放合法化(single fin variant-aware legalization),以及過孔裝訂(via stapling),確保獲得最大的利用率和最小的動態功耗 

?Design Compiler? NXT RTL綜合: 結果的相關一致性、布線擁塞減少、感知引腳訪問的優化、5LPE設計規則支持以及提供給IC Compiler II的物理指導 

?PrimeTime?時序signoff:近閾值超低電壓變異建模,過孔變異建模以及感知布局規則的工程變更指令(ECO)指南 

?StarRC?寄生參數提取:支持基于EUV單曝光的布線,以及新的提取技術,如基于覆蓋的過孔電阻和垂直柵極電阻建模



關鍵詞: 博通

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