全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC功率元器件（SiC MOSFET^*1）被應用于中國汽車行業一級綜合性供應商——聯合汽車電子有限公司（United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ，總部位于中國上海市，以下簡稱“UAES公司”）的電動汽車車載充電器（On Board Charger，以下簡稱“OBC”）。UAES公司預計將于2020年10月起向汽車制造商供應該款OBC。

與IGBT^*2等Si（硅）功率元器件相比，SiC功率元器件是一種能夠顯著降低損耗的半導體，在電動汽車以及基礎設施、環境/能源、工業設備領域的應用日益廣泛。

ROHM于2010年全球首家開始SiC MOSFET的量產，作為SiC功率元器件的領軍企業，ROHM一直在推動世界先進的產品開發。另外，在汽車領域，ROHM于2012年在業界率先開始供應車載產品，并在電動汽車的快速充電用車載充電器領域擁有很高的市場份額，該產品在電動汽車的電機和逆變器中的采用也日益加速。

此次，ROHM的SiC　MOSFET被UAES公司的OBC產品采用，與以往的OBC相比，新OBC所在單元的效率提高了1%（效率高達95.7%，功率損耗比以往降低約20%）。并且，這一先進的解決方案獲得了UAES頒發的2019年度最佳技術進步獎。

未來，ROHM將作為SiC功率元器件的領軍企業，不斷壯大產品陣容，并結合充分發揮元器件性能的控制IC等外圍元器件和模塊化技術優勢，繼續提供有助于下一代汽車技術創新的電源解決方案。

采用SiC MOSFET的好處

在大功率（高電壓×大電流）范圍中，與Si-IGBT相比，SiC MOSFET具有“開關損耗和傳導損耗^*3小”、“抗溫度變化能力強”等優點。得益于這些優點，當SiC MOSFET用于電動汽車的車載充電器和DC/DC轉換器等產品中時，可降低功率轉換時的損耗并實現散熱部件的小型化，高頻工作還可實現線圈小型化，從而有助于提高應用的效率、減少部件數量并縮減安裝面積。

ROHM的SiC功率元器件開發歷史

術語解說：

^*1) MOSFET（Metal－Oxide－Semiconductor Field　Effect　Transistor的縮寫）

金屬－氧化物－半導體場效應晶體管，是FET中最常用的結構。用作開關元件。

^*2) IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極晶體管）

同時具有MOSFET的高速開關特性和雙極晶體管的低傳導損耗特性的功率晶體管。

^*3） 傳導損耗、開關損耗

因元器件結構的緣故，MOSFET和IGBT等晶體管在使用時會產生損耗。傳導損耗是電流流過元器件時（ON狀態時），受元器件的電阻分量影響而產生的損耗。開關損耗是切換元器件的通電狀態時（開關動作時）產生的損耗。

關于聯合汽車電子有限公司（UAES）

UAES公司是中聯汽車電子有限公司和德國羅伯特·博世有限公司在中國的合資企業，是汽車行業一級綜合供應商。自1995年成立以來，該公司已在中國市場獲得了引擎控制單元和燃油汽車動力總成業務領域極高的市場份額，2009年之后開始面向電動汽車領域開發包括主機逆變器在內的產品。