海威華芯:已開發5G基站用GaN代工工藝,發布毫米波頻段用砷化鎵工藝
據海威華芯官方消息,公司已經開發了5G中頻段小于6GHz的基站用氮化鎵代工工藝、手機用砷化鎵代工工藝,發布了毫米波頻段用0.15um砷化鎵工藝。砷化鎵VCSEL激光器工藝、電力電子用硅基氮化鎵制造工藝在2019年也取得了較大的進展。
本文引用地址:http://www.j9360.com/article/201905/400692.htm未來,海威華芯將持續圍繞移動通信、光電傳感、電力電子三個方向投入研發、拓展業務。
成都海威華芯科技有限公司位于天府新區,是國內率先提供6英寸砷化鎵集成電路(GaAs MMIC)的純晶圓代工(Foundry)服務的制造企業。海威華芯擁有完整的技術團隊、先進的GaAs集成電路制造技術和生產設備,其“6英寸GaAs集成電路Foundry線” 是國家支持的重點產業化項目。
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