在高科技產業領域，核心基礎材料往往扮演著極為關鍵的角色，也是需要持續高投入、承受高風險、費時費力的一大領域。然而，擁有核心材料的廠商往往把持著各大產業的上游，對整個行業擁有很高的話語權，其一舉一動可能給整個行業帶來一場震動。

　　砷化鎵應用領域廣泛

　　雖然，這些材料廠商們往往并不被大眾所熟知，卻不斷囊獲讓其他公司羨慕的高額利潤。為了遏制中國高科技產業的發展，材料領域是美國針對中國實行技術封鎖的關鍵領域之一，實行了非常嚴格的出口管制。而國內在芯片領域難以突破的關鍵掣肘之一就是核心材料。砷化鎵(GaAs)是一種很容易被人們提起的半導體材料，它與整個半導體產業密切關聯，而這也是我國產業結構中最為薄弱的環節。隨著5G的逐步到來，整個社會將進入萬物互聯的新階段，半導體相關芯片、器件需求量將進一步爆發，將成為像基礎能源一般的存在。

　　砷化鎵的化學式為GaAs，常溫下以黑灰色固體形式存在，它的熔點高達1238℃。在600℃以下時，GaAs能在空氣中穩定存在，并能不被非氧化性的酸侵蝕，屬于Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體。作為一種非常重要的半導體材料，GaAs屬閃鋅礦型晶格結構，晶格常數為5.65×10-10m，禁帶寬度1.4電子伏。

　　由于GaAs具有高頻、低雜訊與低耗電等優良特性，能夠應用在高頻IC與光電材料上，手機、WLAN、光纖通訊、衛星通訊與太陽能電池均是其適用的領域，其中手機與無線通訊應用是其中占比較高的市場。由于GaAs的電子遷移率要比硅大5到6倍，這就使得其在制作微波器件和高速數字電路方面得到重用應用。用GaAs制成的半導體器件具有高頻、高溫和低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強等諸多優點。目前，主流的工業化GaAs生長工藝主要有直拉法(Cz法)、水平布里其曼法(HB)、垂直布里其曼法(VB法)以及垂直梯度凝固法(VGF法)等等。這些工藝在實際操作中各有優劣。

　　1962年，在林蘭英院士的帶領下，中國研制出了我國第一個GaAs單晶樣品。1964年，我國第一只GaAs二極管激光器被成功研制出來。由于在半導體材料上的諸多貢獻，林蘭英被譽為“中國太空材料之母”。

　　由于受到成本和技術上的限制，GaAs晶圓廠必須具備一定級別的投資規模和長時間制程技術的開發，因此這類企業擁有極高的準入門檻，國內能夠形成一定體量的廠商屈指可數。在經過多年積淀過，我國臺灣地區在制程技術上擁有了極大優勢，收獲了全球諸多委外代工訂單，也形成了臺灣獨特的代工產業模式。